一种边缘封装结构制造技术

技术编号:15830386 阅读:60 留言:0更新日期:2017-07-16 03:47
本实用新型专利技术提供一种边缘封装结构,所述边缘封装结构包括:基板及位于所述基板上表面的待密封材料层;覆盖于所述待密封材料层表面以及所述待密封材料层边缘外围区域的隔离层,所述隔离层中具有空隙;位于所述隔离层上且覆盖所述空隙,以及覆盖于边缘外围区域的隔离层及基板之间的封装胶层;位于所述封装胶层上表面的密堆积膜层。本实用新型专利技术通过在封装胶层上表面增加密堆积膜层,极大地提高了封装防水、防氧化性能,减少了外界环境对封装区域的应力、划伤、撕扯造成的影响,延长产品的使用寿命。

Edge encapsulation structure

The utility model provides an edge package structure, comprising a substrate and packaging structure: edge is positioned on the upper surface of the substrate to be covered on the sealing material layer; the sealing material layer and the isolation layer sealing material layer edge of the peripheral region, the gap with the isolation layer is located; the isolation layer and covers the gap between the isolation layer and the substrate, and covered on the edge region of the peripheral layer is positioned in the package; package on close packed surface. The utility model package layer surface to increase the dense packing film, greatly improve the encapsulation of waterproof and anti oxidation performance, reduce the external environment of the packaging area stress, scratch and tear caused, prolong the service life of the product.

【技术实现步骤摘要】
一种边缘封装结构
本技术属于半导体封装领域,特别是涉及一种边缘封装结构。
技术介绍
在半导体封装行业中,边缘封装主要使用封装胶进行封装。目前常用的边缘封装解决方案如图1所示,包括:基板1及位于基板1上表面的平行排列的待密封材料层2,所述待密封材料层2中通常具有间隙;覆盖于所述待密封材料层2表面的隔离层3,所述隔离层3中通常也会具有空隙;以及位于所述隔离层3上表面,覆盖于所述空隙处的封装胶层4。其中,封装胶层的厚度h为0.3~1mm,宽度W为3~10mm,长度为100~500mm。边缘封装中使用的封装胶一般为UV胶、热熔胶、或硅胶等有机材料,利用封装胶中相应有机材料独有的化学性质,在待封装材料(例如闪烁体层等)与外界环境之间形成有效地隔离区域,以达到封装需要的效果,但是这些封装胶易受外界环境影响,并且强度较低,封装完成后的使用过程中存在易划伤、不耐高温高湿、易发生形变等问题,从而使得里面的待封装材料容易受潮或氧化,降低了封装可靠性,减少了待封装材料的使用寿命。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点,本技术的目的在于提供一种边缘封装结构,用于解决现有技术中半导体行业中边缘封装结构可靠性低的问本文档来自技高网...
一种边缘封装结构

【技术保护点】
一种边缘封装结构,其特征在于,所述边缘封装结构包括:基板及位于所述基板上表面的待密封材料层;覆盖于所述待密封材料层表面以及所述待密封材料层边缘外围区域的隔离层,所述隔离层中具有空隙;位于所述隔离层上且覆盖所述空隙,以及覆盖于边缘外围区域的隔离层及基板之间的封装胶层;位于所述封装胶层上表面的密堆积膜层。

【技术特征摘要】
1.一种边缘封装结构,其特征在于,所述边缘封装结构包括:基板及位于所述基板上表面的待密封材料层;覆盖于所述待密封材料层表面以及所述待密封材料层边缘外围区域的隔离层,所述隔离层中具有空隙;位于所述隔离层上且覆盖所述空隙,以及覆盖于边缘外围区域的隔离层及基板之间的封装胶层;位于所述封装胶层上表面的密堆积膜层。2.根据权利要求1所述的边缘封装结构,其特征在于:所述密堆积膜层为金属层。3.根据权利要求2所述的边缘封装结构,其特征在于:所述密堆积膜层为铜箔或铝箔。4.根据权利要求1所述的边缘封装结构,其特征在于:所述密堆积膜层的厚度为0.4~0....

【专利技术属性】
技术研发人员:张恒庆程丙勋周作兴
申请(专利权)人:上海奕瑞光电子科技有限公司
类型:新型
国别省市:上海,31

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