半导体装置及使用其的便携式设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种可实现封装尺寸小型化或薄型化，同时维持MOSFET特性，且可降低导通电阻值的半导体装置及使用其的便携式设备。半导体芯片10的栅极电极26及28被配置于封装2的长边方向(纸面X轴方向)的2个侧面2A及2B附近，而与栅极电极26及28倒装(flip‑chip)封装的栅极端子13及14沿封装2的长边方向延伸，且从2个侧面2A及2B往外部引出。通过此构造，可使半导体芯片尺寸相对于封装尺寸得以最大化，进而可使作为模块的元件特性为高性能化。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及使用其的便携式设备
本专利技术是关于一种内建具多个芯片的封装(package)，利用倒装(flip-chip)封装来降低导通电阻值，同时可实现封装尺寸的小型化或薄型化的半导体装置及使用其的便携式设备。
技术介绍
众所皆知图6所示的构造是作为用于常见的充电保护装置的半导体装置。于如图所示的树脂封装101中，内建有：作为充电控制用开关的FET102(以下称“充电用FET102”)；作为放电控制用开关的FET103(以下称“放电用FET103”)；及保护IC104。以虚线105所示的线系树脂封装101的外围线，以此实现1个封装构造。充电用FET102的漏极电极透过银胶(silverpaste)固定于导线框架(leadframe)106的晶粒座(diepad)内部引脚107上。且，充电用FET102的源极电极108及栅极电极109透过布线110电性连接于导线框架(frame)106的内部引脚(Innerlead)107。放电用FET103及保护IC104也与充电用FET102同样，固定于导线框架106，且透过布线110电性连接于内部引脚107(譬如参考专利文献1)。另外，众所皆知本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，包含：一框架；一半导体芯片，其一主面被倒装封装于该框架上；一IC芯片，堆栈且固定于与该半导体芯片的该主面相对的另一主面上；金属导线，用来电性连接该半导体芯片及该IC芯片；及一封装，密封该框架、该半导体芯片、该IC芯片及该金属导线，其中，该封装具有于该长边方向相对的二个侧面，于该半导体芯片形成一第一晶体管及一第二晶体管，被形成于该主面一侧的该第一晶体管的栅极电极被配置于该封装的其中一边的该侧面一侧，而被形成于该主面一侧的该第二晶体管的栅极电极被配置于该封装的另一边的该侧面一侧。

【技术特征摘要】
2016.01.06 JP 2016-0010451.一种半导体装置，其特征在于，包含：一框架；一半导体芯片，其一主面被倒装封装于该框架上；一IC芯片，堆栈且固定于与该半导体芯片的该主面相对的另一主面上；金属导线，用来电性连接该半导体芯片及该IC芯片；及一封装，密封该框架、该半导体芯片、该IC芯片及该金属导线，其中，该封装具有于该长边方向相对的二个侧面，于该半导体芯片形成一第一晶体管及一第二晶体管，被形成于该主面一侧的该第一晶体管的栅极电极被配置于该封装的其中一边的该侧面一侧，而被形成于该主面一侧的该第二晶体管的栅极电极被配置于该封装的另一边的该侧面一侧。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一晶体管的栅极电极所倒装封装的该框架于该长边方向延伸，且从该封装的其中一边的该侧面露出，而该第二晶体管的栅极电极所倒装封装的该框架于该长边方向延伸，且从该封装的另一边的该侧面露出。3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，与该第一晶体管的栅极电极电性连接的该金属导线，与该第一晶体管的栅极电极及该封装的其中一边的该侧面之间的该框架连接；与该第二晶体管的栅极电极电性连接的该金属导线，是与该第二晶体管的栅极电极及该封装的另一边的该侧面之间的该框架连接。4.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，该半导体芯片具有：形成于该主面一侧的该第一晶体管的源...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳田正道，小谷野雅史，松浦伸悌，新井宽己，
申请(专利权)人：力祥半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71