具有用于嵌入式装置的蚀刻沟槽的半导体装置制造方法及图纸

一种具有用于嵌入式装置的蚀刻的沟槽的半导体装置被揭示，并且例如可以包含基板，其包括顶表面以及底表面；沟槽，从所述底表面延伸到所述基板中；以及在所述基板中的重分布结构，其是在所述基板的所述顶表面与所述底表面之间。半导体裸片可以是耦合至所述基板的所述顶表面。电子装置可以是至少部分地在所述沟槽之内，并且电耦合至所述重分布结构。导电垫可以是在所述基板的所述底表面上。导电凸块可以是在所述导电垫上。在所述沟槽中的所述电子装置可以延伸超出所述基板的所述底表面一段距离，所述距离小于所述导电凸块从所述基板的所述底表面起算的高度。囊封剂可以封入所述半导体裸片以及所述基板的所述顶表面。所述电子装置可以包括电容器。

【技术实现步骤摘要】
具有用于嵌入式装置的蚀刻沟槽的半导体装置
本揭露内容的某些范例实施例是有关于半导体装置封装。更明确地说，本揭露内容的某些范例实施例是有关于一种具有用于嵌入式装置的蚀刻的沟槽的半导体装置。相关的申请案的交互参照本申请案是参考2016年1月6日申请的韩国专利申请案号10-2016-0001657，主张其优先权并且主张其益处，所述韩国专利申请案的内容是藉此将其整体纳入在此作为参考。
技术介绍
尽管产品封装持续倾向小型化，但是对于被纳入到此种产品内的半导体装置而言，具有增进的功能及/或缩小的尺寸是所期望的。此外，为了缩减半导体装置的尺寸，所述半导体装置的面积及/或厚度可被减低。习知及传统的方式的进一步限制及缺点对于具有此项技术的技能者而言，通过此种系统与如同在本申请案的其余部分中参考图式所阐述的本揭露内容的比较将会变成是明显的。
技术实现思路
此揭露内容的各种特点提供一种具有用于嵌入式装置的蚀刻的沟槽的半导体装置，其实质如同在图式的至少一图中所示且/或相关该图叙述的，即如同更完整地在所述权利要求书中阐述的。本揭露内容的各种优点、特点以及新颖的特征、以及各种支持实施例的所描绘的例子的细节从以下的说本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其包括：基板，其包括：顶表面以及底表面；沟槽，其是从所述底表面延伸到所述基板中；以及在所述基板中的重分布结构，其是在所述基板的所述顶表面与所述基板的所述底表面之间；半导体裸片，其是耦合至所述基板的所述顶表面；以及电子装置，其是至少部分地在所述沟槽之内并且电耦合至所述重分布结构。

【技术特征摘要】
2016.01.06 KR 10-2016-0001657;2016.05.09 US 15/1491.一种半导体装置，其包括：基板，其包括：顶表面以及底表面；沟槽，其是从所述底表面延伸到所述基板中；以及在所述基板中的重分布结构，其是在所述基板的所述顶表面与所述基板的所述底表面之间；半导体裸片，其是耦合至所述基板的所述顶表面；以及电子装置，其是至少部分地在所述沟槽之内并且电耦合至所述重分布结构。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其包括在所述基板的所述底表面上的导电垫。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其包括在所述导电垫上的导电凸块。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中在所述沟槽中的所述电子装置是延伸超出所述基板的所述底表面一段距离，所述距离小于所述导电凸块从所述基板的所述底表面起算的高度。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其包括将所述半导体裸片以及所述基板的所述顶表面封入的囊封剂。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述电子装置包括电容器。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述重分布结构是电耦合至所述基板中的第二重分布结构。8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述半导体裸片是电耦合至所述第二重分布结构。9.一种半导体装置，其包括：基板，其包括：顶表面以及底表面；在所述基板中的重分布结构，其是在所述基板的所述顶表面与所述基板的所述底表面之间；以及蚀刻区域，其是从所述底表面至所述重分布结构而延伸到所述基板中；半导体裸片，其是耦合至所述基板的所述顶表面；以及电子装置，其是...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳智妍，金本吉，新及补，
申请(专利权)人：艾马克科技公司，
类型：发明
国别省市：美国,US