电路板及其制造方法技术

提供一种电路板及其制造方法。一种电路板包括：芯层，具有第一表面和与所述第一表面背对的第二表面；第一积层和第二积层，分别形成在所述芯层的第一表面和第二表面上，并且包括导电图案和导电过孔；外层，形成在所述第一积层和所述第二积层的表面上，其中，所述第一积层和所述第二积层中的至少一层积层包括：设置有空腔的感光绝缘层以及设置在所述空腔中的散热单元。

【技术实现步骤摘要】
本申请要求于2015年6月25日在韩国知识产权局提交的第10-2015-0090655号韩国专利申请的权益，其全部公开出于所有目的通过引用被包含于此。
以下描述涉及一种电路板。
技术介绍
电路板可被用于各种类型的电子组件封装应用，诸如，封闭若干个芯片的系统级封装(SiP)或模块封装。因为散热性能极大地影响电子组件封装的稳定性操作和品质，所以用于电子组件封装应用的电路板需要具有高散热，以有效地释放由电子组件产生的热。
技术实现思路
提供本
技术实现思路
以通过简化形式介绍在下面的具体实施方式中进一步描述的专利技术构思的选择。本
技术实现思路
并不意在确定所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在用作帮助确定所要求保护主题的范围。根据一个总的方面，一种电路板包括：芯层，包括第一表面和与所述第一表面背对的第二表面；第一积层和第二积层，分别形成在所述芯层的第一表面和第二表面上，并且包括导电图案和导电过孔；外层，形成在所述第一积层和所述第二积层的每个表面上，其中，所述第一积层和所述第二积层中的至少一层积层包括：设置有空腔的感光绝缘层以及通过用导电材料填充所述空腔而形成的散热单元。根据另一总的方面，一种用于制造电路板的方法包括：制备芯层，所述芯层包括第一表面和与所述第一表面背对的第二表面；分别在所述芯层的所述第一表面和所述第二表面上形成至少一层第一积层和至少一层第二积层；在所述第一积层和第二积层的表面上形成外层，其中，所述形成至少一层第一积层和至少一层第二积层的步骤包括：形成感光绝缘层；使用曝光和显影工艺在所述感光绝缘层中形成孔和空腔；通过用导电材料填充所述孔和所述空腔，形成导电过孔和散热单元；在所述感光绝缘层的表面上形成导电图案。在下面详细描述了一种具有提高的散热性能的电路板和一种制造所述电路板的方法。可通过设置使用感光绝缘材料的散热单元来确保根据示例的电路板的优异的散热性能。根据下面的具体实施方式、附图和权利要求，其他特征和方面将变得清楚。附图说明图1是示出应用电路板的示例的电子装置的立体图；图2是示出应用电路板的示例的半导体封装的剖视图；图3是示出图2中示出的散热单元周围的电路板的部分的放大视图；图4A至图4F是示出用于制造图2中示出的电路板的方法的示例的每个步骤的剖视图；图5A至图5D是示出用于制造图4D中示出的电路板的方法的示例的每个步骤的剖视图；图6至图8分别是各自示出电路板的示例的剖视图；图9是示出无芯电路板的示例的剖视图。在整个附图和具体实施方式中，相同的附图标号指代相同的元件。附图可不按比例绘制，并且为了清楚、说明、方便起见，可夸大附图中的元件的相对大小、比例和描绘。具体实施方式提供下面的具体实施方式，以帮助读者获得关于这里所描述的方法、装置和/或系统的全面的理解。然而，这里所描述的方法、装置和/或系统的各种改变、修改及等同物将对本领域的技术人员而言显而易见。这里所描述的操作的顺序仅仅是示例，并不限于这里所阐述的，而是除了必须按照特定顺序发生的操作之外，可作出将对本领域技术人员而言显而易见的改变。此外，为了增加清楚性和简洁性，可省略对于本领域普通技术人员而言公知的功能和结构的描述。这里所描述的特征可以以不同的形式实施，且不应被理解为限于这里所描述的示例。更确切地说，已经提供了这里所描述的示例使得本公开将是彻底的和完整的，并将把本公开的全部范围传达给本领域的普通技术人员。除非另外指出，否则第一层“在”第二层或基板“上”的表述将被理解为涵盖第一层直接接触第二层或基板的情况，以及一层或更多其它层设置在第一层与第二层或第一层与基板之间的情况。可使用诸如“在…下面”、“在…下方”、“在…之下”、“下部”、“底部”、“在…之上”、“在…上方”、“上部”、“顶部”、“左”和“右”的描述相对空间关系的词语，以方便地描述一个装置或元件与其它装置或元件的空间关系。这些词语将被理解为包含装置在如附图中所示出的方位以及在使用或操作中的其它方位。例如，包括基于附图中示出的装置的方位而设置在第一层之上的第二层的装置的示例也包括在使用或操作中装置被向下翻转时的装置。根据这里描述的一些示例的电路板可应用在各种电子装置中，例如，移动电话，个人数字助理、数字视频摄录机、数字照相机、网络系统、计算机、监视器、电视、视频游戏、智能手表以及本领域普通技术人员所公知的各种其它电子装置。参照图1，根据示例的电路板用作在电子装置1中用于安装或嵌入各种电子组件20的主电路板10。电路板也可用作电子组件20(诸如，具有较小尺寸的半导体封装)的基板(未示出)。此外，电路板可以以各种形式应用到除了移动装置以外的其它电子装置。参照图2，半导体封装180包括电路板100和安装在电路板100上的电子组件150。电子组件150可以是半导体芯片，例如，应用处理器芯片。电路板100包括板层压件，所述板层压件包括芯层110以及分别形成在芯层110的上表面和下表面的三层第一积层121a、122a、123a和三层第二积层121b、122b、123b。在本描述中，电路板100中的芯层110、第一积层121a、122a、123a和第二积层121b、122b、123b形成板层压件。芯层110包括内层电路，所述内层电路包括形成在芯层110的上表面和下表面上的导电图案P0以及穿过所述上表面和所述下表面的导电过孔V0。芯层110可由具有高刚度的材料形成，以防止电路板100的翘曲。例如，芯层110可以是包含增强剂(诸如，半固化片、玻璃或金属(例如，殷钢))的绝缘树脂。第一积层121a、122a、123a和第二积层121b、122b、123b可分别按顺序形成在芯层110的上表面和下表面上。第一积层121a、122a、123a的外层电路包括形成在每一级(level)上的导电图案P1a、P2a、P3a和导电过孔V1a、V2a、V3a。第二积层121b、122b、123b的外层电路可包括导电图案P1b、P2b、P3b和导电过孔V1b、V2b、V3b。第一积层121a、122a、123a和第二积层121b、122b、123b可由感光绝缘材料形成。导电过孔V1a、V2a、V3a、V1b、V2b、V3b通过以下步骤来形成：通过用感光绝缘材料进行涂覆以及选择性曝光和显影工艺来形成孔，并且用导电材料来填充(例如，镀覆)所述孔。与芯层110相接触的第一积层121a包括空腔C。由导电材料形成的散热单元130设置在空腔C中。散热单元130可通过用导电材料填充空腔C的内部空间来形成。散热单元130靠近产生热的电子组件150而设置。如图2所示，散热单元130设置在与热点区域HS对应的区域，在所述热点区域HS的电子组件150产生过量的热。电路板110包括散热过孔Vh，散热过孔Vh形成在芯层110和其它的积层122a、123a、121b、122b、123b中的每个中。散热过孔Vh可与散热单元130直接或间接连接，以进一步与电路板100的上表面和下表面连接。因此，散热单元130设置有沿着电路板100的竖直方向的通过散热过孔Vh的散热路径。这里，散热过孔Vh和散热单元130之间的间接连接可意味着它是通过其它散热过孔Vh而连接的。在该示例中，散热单元130仅安装在积层121a中。然而，散热单元130可没有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电路板，包括：芯层，包括第一表面和与所述第一表面背对的第二表面；第一积层和第二积层，分别形成在所述芯层的所述第一表面和所述第二表面上，并且包括导电图案和导电过孔；外层，形成在所述第一积层和所述第二积层的表面上，其中，所述第一积层和所述第二积层中的至少一层积层包括：设置有空腔的感光绝缘层以及设置在所述空腔中的散热单元。

【技术特征摘要】
2015.06.25 KR 10-2015-00906551.一种电路板，包括：芯层，包括第一表面和与所述第一表面背对的第二表面；第一积层和第二积层，分别形成在所述芯层的所述第一表面和所述第二表面上，并且包括导电图案和导电过孔；外层，形成在所述第一积层和所述第二积层的表面上，其中，所述第一积层和所述第二积层中的至少一层积层包括：设置有空腔的感光绝缘层以及设置在所述空腔中的散热单元。2.如权利要求1所述的电路板，其中，散热单元的导电材料与形成在所述感光绝缘层中的导电过孔的导电材料相同。3.如权利要求2所述的电路板，其中，所述导电材料包括：形成在所述空腔的内表面上的金属种子层，以及形成在所述金属种子层上的镀覆层。4.如权利要求1所述的电路板，其中，所述第一积层和所述第二积层分别包括多层第一积层和多层第二积层。5.如权利要求4所述的电路板，其中，所述多层第一积层、所述多层第二积层和所述芯层包括：直接或间接连接至所述散热单元的散热过孔。6.如权利要求4所述的电路板，其中，至少一层积层包括彼此邻近的两层或更多层积层，并且形成在彼此邻近的所述两层或更多层积层中的散热单元被层叠，以在所述积层的层压方向上被重叠。7.如权利要求4所述的电路板，其中，所述第一积层和所述第二积层中的每个包括形成有散热单元的至少一层积层。8.如权利要求7所述的电路板，其中，所述第一积层和所述第二积层中的每个中的所述至少一层积层被置于以所述芯层为基准的同一级。9.如权利要求7所述的电路板，其中，形成在所述第一积层...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴正铉，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR