一种透明电路板用镧系靶材及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种透明电路板用镧系靶材，以重量百分比计，包括0.03～0.2％的La、0.04～0.08％的Ce、0.01～0.06％的Yb、0～0.05％的Gd、0～0.03％的Lu、0～0.03％的Tb，余量为靶材基质，还公开了其制造方法。本发明专利技术通过在靶材基质中增加镧系金属，与同类型未添加靶材相比，导电性能增加，电阻率下降5～18％；靶材作用于玻璃基板时，附着力明显增强，与玻璃表面溅射的其他附着层互融性明显增强，附着力提高2～5％表面焊接电子器件时，每平方厘米可以承受2KG以上的推力。

Lanthanum target material for transparent circuit board and manufacturing method thereof

The invention discloses a transparent lanthanide target circuit board, by weight percentage, including 0.03 ~ 0.2% La and 0.04 ~ 0.08% Ce, 0.01 ~ 0.06% Yb and 0 ~ 0.05% Gd, 0 ~ 0.03% Lu and 0 ~ 0.03% Tb, margin target matrix, are also disclosed. The manufacturing method. The present invention by adding lanthanide metal in the target matrix, compared with the same type without target, conductivity increases, the resistivity decreased from 5 to 18%; the target on the glass substrate, the adhesion was enhanced, and the other layer of glass surface sputtering fusion significantly enhanced adhesion increased 2 ~ 5% surface welding electronic devices when the per square centimeter can withstand more than 2KG thrust.

【技术实现步骤摘要】
一种透明电路板用镧系靶材及其制造方法
本专利技术涉及靶材制造领域，特别涉及一种透明电路板用镧系靶材及其制造方法。
技术介绍
传统的ITO作为一种成熟的透明导电薄膜技术发展在手机触摸屏以及显示面板等领域得到了广泛的应用，然而在≤30欧姆领域的应用，由于成本的问题，而未能够大规模进行推广。另外，在制作透明电路板的过程中，传统的ITO以及金属材料所形成的电路阻值会比较高，一般采取加厚电路镀层来降低电阻的方案。然而，该方案的使用一方面会使得成本增加，另一方面也会降低效率。目前，虽然已有关于在靶材中添加其他金属来降低电阻，改善导电性能的方法，但效果一直不理想。因此，亟需一种能提高导电性能，并且能有效地降低电路阻值的靶材。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种透明电路板用镧系靶材，该靶材在基质上形成电路镀层时，可降低电路阻值，提高电路的导电性能，同时还能提高镀层与基质的附着力，增强电路的稳定性。为了解决上述技术问题，本专利技术的技术方案为一种透明电路板用镧系金属，以重量百分比计，包括0.03～0.2％的La、0.04～0.08％的Ce、0.01～0.06％的Yb、0～0.05％的Gd、0～0.03％的Lu、0～0.03％的Tb，余量为靶材基质。优选地，靶材基质选自ITO、Cu、Ni、Ag、Ti中任一种。优选地，以重量百分比计，包括0.03～0.06％的La、0.04～0.08％的Ce、0.01～0.05％的Yb。优选地，以重量百分比计，包括0.05～0.2％的La、0.05～0.08％的Ce、0.01～0.03％的Yb、0.02～0.05％Gd、0.01～0.03％Lu。优选地，以重量百分比计，包括0.1～0.2％的La、0.05～0.08％的Ce、0.02～0.06％的Yb、0.02～0.05％的Gd、0.01～0.03％的Lu、0.01～0.03％的Tb。一种透明电路板用镧系靶材的制造方法，其制造步骤为：首先，以La、Ce、Yb、Gd、Lu、Tb与部分靶材基质在真空、高温下熔融形成中间体，中间体再与余量靶材基质在同等条件下进行熔炼形成靶材。优选地，La、Ce、Yb、Gd、Lu、Tb与部分靶材基质熔融后与靶材的比例按重量比为1：20～50。采用上述技术方案，通过在靶材基质中添加镧系金属，可以达到以下效果：1、与同类型未添加靶材相比，导电性能增加，阻值有明显的降低，电阻率下降5～18％；2、靶材作用于基质时，附着力明显增强，与玻璃表面溅射的其他附着层互融性明显增强，附着力提高2～5％，电路稳定性高，而在表面焊接电子器件时，每平方厘米可以承受2KG以上的推力。具体实施方式下面对本专利技术的具体实施方式作进一步说明。在此需要说明的是，对于这些实施方式的说明用于帮助理解本专利技术，但并不构成对本专利技术的限定。此外，下面所描述的本专利技术各个实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。以下实施例均以最终形成的添加镧系金属的靶材1Kg为例，同时靶材基质均以Cu为例，但本专利技术并不局限于Cu，也可以包括其他市售的靶材基质，如ITO、Cu、Ni、Ag、Ti等，由于不同靶材基质的熔点不同，下述实施例中的高温是以每个实施例中的熔点最高的金属为准，等于或略大于靶材中最高熔点金属的熔点温度即可，即下述实施例中的高温或权利要求中的高温为确定温度，并非不确定用语，另外在熔融时容器的选择上有所区别，一般采用钨坩埚，需承受更高温度时可采用石墨坩埚，而制造方法中先通过形成中间体的方式，有利于镧系金属与靶材基质的均匀融合，更利于保护靶材性能的稳定性。实施例1本实施例以重量百分比计，包括0.3g的La、0.8g的Ce、0.4g的Yb，余量为靶材基质Cu998.5g，La、Ce、Yb与部分Cu在真空、高温下熔融形成中间体，中间体的重量为30g，中间体再与剩余靶材基质在同等条件下进行熔炼形成靶材。实施例2本实施例以重量百分比计，包括0.6g的La、0.4g的Ce、0.5g的Yb，余量为靶材基质Cu998.5g，La、Ce、Yb与部分Cu在真空、高温下熔融形成中间体，中间体的重量为30g，中间体再与剩余靶材基质在同等条件下进行熔炼形成靶材。实施例3本实施例以重量百分比计，包括0.5g的La、0.5g的Ce、0.2g的Yb，余量为靶材基质Cu998.8g，La、Ce、Yb与部分Cu在真空、高温下熔融形成中间体，中间体的重量为30g，中间体再与剩余靶材基质在同等条件下进行熔炼形成靶材。实施例4本实施例以重量百分比计，包括0.5g的La、0.5g的Ce、0.2g的Yb、0.3g的Gd、0.1g的Lu，余量为靶材基质Cu998.5g，La、Ce、Yb、Gd、Lu与部分Cu在真空、高温下熔融形成中间体，中间体的重量为30g，中间体再与剩余靶材基质在同等条件下进行熔炼形成靶材。实施例5本实施例以重量百分比计，包括1g的La、0.6g的Ce、0.2g的Yb、0.5g的Gd、0.2g的Lu，余量为靶材基质Cu997.5g，La、Ce、Yb、Gd、Lu与部分Cu在真空、高温下熔融形成中间体，中间体的重量为30g，中间体再与剩余靶材基质在同等条件下进行熔炼形成靶材。实施例6本实施例以重量百分比计，包括2g的La、0.8g的Ce、0.3g的Yb、0.2g的Gd、0.3g的Lu，余量为靶材基质Cu996.4g，La、Ce、Yb、Gd、Lu与部分Cu在真空、高温下熔融形成中间体，中间体的重量为30g，中间体再与剩余靶材基质在同等条件下进行熔炼形成靶材。实施例7本实施例以重量百分比计，包括1g的La、0.8g的Ce、0.2g的Yb、0.2g的Gd、0.2g的Lu、0.1g的Tb，余量为靶材基质Cu997.5g，La、Ce、Yb、Gd、Lu、Tb与部分Cu在真空、高温下熔融形成中间体，中间体的重量为30g，中间体再与剩余靶材基质在同等条件下进行熔炼形成靶材。实施例8本实施例以重量百分比计，包括1.5g的La、0.5g的Ce、0.5g的Yb、0.5g的Gd、0.3g的Lu、0.2g的Tb，余量为靶材基质Cu996.5g，La、Ce、Yb、Gd、Lu、Tb与部分Cu在真空、高温下熔融形成中间体，中间体的重量为30g，中间体再与剩余靶材基质在同等条件下进行熔炼形成靶材。实施例9本实施例以重量百分比计，包括2g的La、0.6g的Ce、0.6g的Yb、0.4g的Gd、0.1g的Lu、0.3g的Tb，余量为靶材基质Cu996g，La、Ce、Yb、Gd、Lu、Tb与部分Cu在真空、高温下熔融形成中间体，中间体的重量为30g，中间体再与剩余靶材基质在同等条件下进行熔炼形成靶材。在以上实施例中，所有镧系金属+3价离子颜色均为透明，熔融中以颗粒状悬浮于熔体之中，形成结晶核基底，增加了小微轴晶的生成，从而细化晶粒。另一方面，镧原子半径大于靶材基质的原子半径，进入靶材基质相晶格内引起较大的晶格畸变，产生畸变能，使系统能量增加，稀土原子只能向高能量的晶界富集，使系统保持最低的自由能。所以铸态组织中镧原子大部分沿晶界分布，而且阻滞单质金属晶粒的长大，靶材基质的晶粒被细化。以上实施例在基质靶材(不限于Cu靶材)中添加镧系金属，相较于之前没有添加镧系金属的靶材来说，具有以下优点：1、制成新的靶材可用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种透明电路板用镧系靶材，其特征在于，以重量百分比计，包括0.03～0.2％的La、0.04～0.08％的Ce、0.01～0.06％的Yb、0～0.05％的Gd、0～0.03％的Lu、0～0.03％的Tb，余量为靶材基质。

【技术特征摘要】
1.一种透明电路板用镧系靶材，其特征在于，以重量百分比计，包括0.03～0.2％的La、0.04～0.08％的Ce、0.01～0.06％的Yb、0～0.05％的Gd、0～0.03％的Lu、0～0.03％的Tb，余量为靶材基质。2.根据权利要求1所述的镧系靶材，其特征在于，靶材基质选自ITO、Cu、Ni、Ag、Ti中任一种。3.根据权利要求1或2所述的镧系靶材，其特征在于，以重量百分比计，包括0.03～0.06％的La、0.04～0.08％的Ce、0.01～0.05％的Yb。4.根据权利要求1或2所述的镧系靶材，其特征在于，以重量百分比计，包括0.05～0.2％的La、0.05～0.08％的Ce、0.01～0.03％的Yb、0.0...

【专利技术属性】
技术研发人员：李天奇，
申请(专利权)人：广州市祺虹电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44