表膜、带表膜的光掩模及半导体元件的制造方法技术

本发明专利技术涉及表膜，其具备：表膜框；张架于表膜框的一个端面(2e)的表膜用膜(3)；和附着于表膜框的另一个端面(2f)的非交联型的丙烯酸系粘合剂(10)，前述非交联型的丙烯酸系粘合剂(10)中的重均分子量800以下的化合物的含量为18重量％以下。根据本发明专利技术，能够充分地防止从掩模剥离表膜时的残胶。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及制造LSI、超LSI等半导体元件或液晶显示板等半导体装置时，用于防止异物附着于掩模(光掩模)的光刻用表膜。
技术介绍
半导体制造的光刻工序中，为了在晶圆上形成对应集成电路的光致抗蚀剂图案，使用步进器(缩小投影曝光装置)等半导体制造装置。表膜是在具有框形状的表膜框的一个端面张架透明薄膜而得到的，防止异物直接附着于掩模上而形成电路图案的缺陷。具体而言，即使光刻工序中异物附着于表膜上，涂布有光致抗蚀剂的晶圆上这些异物也无法成像。由此，能够防止由异物的图像导致的电路图案的缺陷所引起的半导体集成电路的短路及断路等，能够提高光刻工序的制造成品率。近年，伴随半导体装置的高集成化，正在进行光刻工序中使用的曝光用光的短波长化。即，在晶圆上绘制集成电路图案时，要求能够用更窄的线宽绘制精细的电路图案的技术。为了与此对应，例如，作为光刻用步进器的曝光用光，从以往的g射线(波长436nm)、i射线(波长365nm)发展到使用KrF准分子激光(波长248nm)、ArF准分子激光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种表膜，其具备：表膜框；张架于所述表膜框的一个端面的表膜用膜；和附着于所述表膜框的另一个端面的非交联型的丙烯酸系粘合剂，所述非交联型的丙烯酸系粘合剂中的重均分子量800以下的化合物的含量为18质量％以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.10.15 JP 2013-2150051.一种表膜，其具备：表膜框；
张架于所述表膜框的一个端面的表膜用膜；和
附着于所述表膜框的另一个端面的非交联型的丙烯酸系粘合剂，
所述非交联型的丙烯酸系粘合剂中的重均分子量800以下的化合物的含
量为18质量％以下。
2.根据权利要求1所述的表膜，其中，所述非交联型的丙烯酸系粘合剂
的弹性模量为20mN/mm2以上且180mN/mm2以下。
3.根据权利要求1或2所述的表膜，其中，所述非交联型的丙烯酸系粘
合剂的玻璃化转变温度低于-25℃。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的表膜，其中，所述非交联型的丙烯
酸系粘合剂含有丙烯酸系聚合物(A)和丙烯酸系基础聚合物(B)。
5.根据权利要求4所述的表膜，其中，所述丙烯酸系聚合物(A)的玻璃
化转变温度为-30℃以下、
所述丙烯酸系基础聚合物(B)的玻璃化转变温度为-25℃以上。
6.根据权利要求4或5所述的表膜，其中，所述非交联型的丙烯酸系粘
合剂中的所述丙烯酸系聚合物(A)的含量为15～80质量％。
7.根据权利要求4～6中任一项所述的表膜，其中，所述丙烯酸系...

【专利技术属性】
技术研发人员：浅田晋，玉屋英明，矢野浩平，山下泰辉，
申请(专利权)人：旭化成株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP