表膜、带表膜的光掩模及半导体元件的制造方法技术

本发明专利技术涉及表膜，其具备：表膜框；张架于表膜框的一个端面(2e)的表膜用膜(3)；和附着于表膜框的另一个端面(2f)的非交联型的丙烯酸系粘合剂(10)，前述非交联型的丙烯酸系粘合剂(10)中的重均分子量800以下的化合物的含量为18重量％以下。根据本发明专利技术，能够充分地防止从掩模剥离表膜时的残胶。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及制造LSI、超LSI等半导体元件或液晶显示板等半导体装置时，用于防止异物附着于掩模(光掩模)的光刻用表膜。
技术介绍
半导体制造的光刻工序中，为了在晶圆上形成对应集成电路的光致抗蚀剂图案，使用步进器(缩小投影曝光装置)等半导体制造装置。表膜是在具有框形状的表膜框的一个端面张架透明薄膜而得到的，防止异物直接附着于掩模上而形成电路图案的缺陷。具体而言，即使光刻工序中异物附着于表膜上，涂布有光致抗蚀剂的晶圆上这些异物也无法成像。由此，能够防止由异物的图像导致的电路图案的缺陷所引起的半导体集成电路的短路及断路等，能够提高光刻工序的制造成品率。近年，伴随半导体装置的高集成化，正在进行光刻工序中使用的曝光用光的短波长化。即，在晶圆上绘制集成电路图案时，要求能够用更窄的线宽绘制精细的电路图案的技术。为了与此对应，例如，作为光刻用步进器的曝光用光，从以往的g射线(波长436nm)、i射线(波长365nm)发展到使用KrF准分子激光(波长248nm)、ArF准分子激光(波长193nm)、进而F2准分子激光(波长157nm)等更短波长的光。伴随着近年的曝光用光的短波长化·高能量化，曝光伴有的表膜用膜或掩模的污物的产生频率变高，因此表膜及掩模的更换频率也变高。此处，作为将表膜固定在掩模上的方法，通常使用以粘合剂能够剥离地进行固定的方法。作为粘合剂，已知丙烯酸系、橡胶系、聚丁烯系、聚氨酯系、有机硅系等粘合剂(参照专利文献1)，另外，已知热塑性弹性体系的粘合剂(参照专利文献2)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开平05-281711号公报专利文献2：国际公报第2012-004951号
技术实现思路
专利技术要解决的问题对于粘合剂，期望具有稳定的适宜的粘合力，并且在更换表膜时，防止从掩模剥离表膜时粘合剂发生内聚破坏而变成粘合剂的一部分附着于掩模的状态(以下，将该现象称为残胶)。但是，伴随近年的曝光用光的短波长化·高能量化，对于专利文献1中记载的粘合剂，由于漏光导致粘合剂的分解、容易与掩模结合，将表膜从掩模剥离时，在掩模表面上容易产生粘合剂的残胶。另外，对于专利文献2中记载的粘合剂，在丙烯酸系粘合剂中防止残胶的方面也存在问题。尤其是，使用200nm以下的短波长时，发生被称为雾浊(haze)的掩模的污染。因此，表膜的更换频率变高，所以要求从掩模剥离时在掩模上粘合剂不发生残胶。本专利技术鉴于上述问题，目的在于提供能够充分防止从掩模剥离表膜时的残胶的表膜、带表膜的光掩模及半导体元件的制造方法。用于解决问题的方案本专利技术提供以下(1)～(11)。(1)一种表膜，其具备：表膜框；张架于表膜框的一个端面的表膜用膜；和附着于表膜框的另一个端面的非交联型的丙烯酸系粘合剂，粘合剂中的重均分子量800以下的化合物的含量为18质量％以下。(2)根据(1)所述的表膜，其中，非交联型的丙烯酸系粘合剂的弹性模量为20mN/mm2以上且180mN/mm2以下。(3)根据(1)或(2)所述的表膜，其中，非交联型的丙烯酸系粘合剂的玻璃化转变温度低于-25℃。(4)根据(1)～(3)中任一项所述的表膜，其中，非交联型的丙烯酸系粘合剂含有丙烯酸系聚合物(A)和丙烯酸系基础聚合物(B)。(5)根据(4)所述的表膜，其中，丙烯酸系聚合物(A)的玻璃化转变温度为-30℃以下，丙烯酸系基础聚合物(B)的玻璃化转变温度为-25℃以上。(6)根据(4)或(5)所述的表膜，其中，非交联型的丙烯酸系粘合剂中的丙烯酸系聚合物(A)的含量为15～80质量％。(7)根据(4)～(6)中任一项所述的表膜，其中，丙烯酸系聚合物(A)为具有碳数1～14的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯的聚合物或共聚物。(8)根据(4)～(7)中任一项所述的表膜，其中，丙烯酸系基础聚合物(B)为嵌段聚合物。(9)根据(8)所述的表膜，其中，嵌段聚合物在聚合物主链中具有下述通式(I)表示的结构，式(I)中，(a1)及(a2)各自表示玻璃化转变温度80℃以上的聚合物，(b)表示玻璃化转变温度30℃以下的聚合物，-(a1)-(b)-(a2)-(I)。(10)根据(9)所述的表膜，其中，通式(I)中的(a1)及(a2)各自主要由碳数1～14的甲基丙烯酸烷基酯形成，通式(I)中的(b)主要由碳数1～14的(甲基)丙烯酸烷基酯形成。(11)根据(4)～(10)中任一项所述的表膜，其中，丙烯酸系聚合物(A)的重均分子量为850以上且70000以下、丙烯酸系基础聚合物(B)的重均分子量为10000以上且500000以下。(12)一种带表膜的光掩模，其安装有(1)～(11)中任一项所述的表膜。(13)一种半导体元件的制造方法，其具备利用(12)所述的带表膜的光掩模对基板进行曝光的工序。专利技术的效果根据本专利技术，能够充分地防止从掩模剥离表膜时的残胶。附图说明图1为示出本专利技术的一个实施方式的表膜的立体图。图2为图1中的II-II线截面图。图3为示出利用本专利技术的一个实施方式的带表膜的光掩模对基板进行曝光的工序的示意图。具体实施方式以下，针对用于实施本专利技术的方式(以下，简称为“本实施方式”)详细地说明。以下的本实施方式为用于说明本专利技术的示例，但本专利技术不限定于以下的内容。本专利技术可以在其要旨的范围内适宜地变形来实施。图1为示出本实施方式的表膜的立体图，图2为图1中的II-II线截面图。如图1及图2所示，表膜1具备：表膜框2；张架于表膜框2的一个端面2e的表膜用膜3；附着于表膜框2的另一个端面2f的粘合剂10；及被粘合剂10粘合且保护该粘合剂10的保护薄膜F。图3为示出利用本实施方式的带表膜的光掩模对基板进行曝光的工序的示意图。如图3所示，本实施方式的带表膜的光掩模30具备表膜1和光掩模20。表膜1的另一个端面2f介由粘合剂10安装于形成有光掩模20的图案20P的一侧端面20f。为了对基板60进行曝光，从带表膜的光掩模30的上方对该带表膜的光掩模30照射曝光用光40。曝光用光40穿过带表膜的光掩模30后，例如利用投光光学系统50进行聚光而被照射于表面设置有光致抗蚀层62的基板60。之后，经过显影工序、蚀刻工序等特定工序，由此光掩模20的图案20P被转印在基板60的表面。基板60例如由半导体材料制成。使用上述这样的带表膜的光掩模30将光掩模20的图案20P转印到基板60的表本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种表膜，其具备：表膜框；张架于所述表膜框的一个端面的表膜用膜；和附着于所述表膜框的另一个端面的非交联型的丙烯酸系粘合剂，所述非交联型的丙烯酸系粘合剂中的重均分子量800以下的化合物的含量为18质量％以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.10.15 JP 2013-2150051.一种表膜，其具备：表膜框；
张架于所述表膜框的一个端面的表膜用膜；和
附着于所述表膜框的另一个端面的非交联型的丙烯酸系粘合剂，
所述非交联型的丙烯酸系粘合剂中的重均分子量800以下的化合物的含
量为18质量％以下。
2.根据权利要求1所述的表膜，其中，所述非交联型的丙烯酸系粘合剂
的弹性模量为20mN/mm2以上且180mN/mm2以下。
3.根据权利要求1或2所述的表膜，其中，所述非交联型的丙烯酸系粘
合剂的玻璃化转变温度低于-25℃。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的表膜，其中，所述非交联型的丙烯
酸系粘合剂含有丙烯酸系聚合物(A)和丙烯酸系基础聚合物(B)。
5.根据权利要求4所述的表膜，其中，所述丙烯酸系聚合物(A)的玻璃
化转变温度为-30℃以下、
所述丙烯酸系基础聚合物(B)的玻璃化转变温度为-25℃以上。
6.根据权利要求4或5所述的表膜，其中，所述非交联型的丙烯酸系粘
合剂中的所述丙烯酸系聚合物(A)的含量为15～80质量％。
7.根据权利要求4～6中任一项所述的表膜，其中，所述丙烯酸系...

【专利技术属性】
技术研发人员：浅田晋，玉屋英明，矢野浩平，山下泰辉，
申请(专利权)人：旭化成株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP