半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术的半导体装置，包括：由第1导电型的SiC构成的半导体层；在所述半导体层的表面部形成多个并分别构成单位单元的第2导电型的主体区域；形成在所述主体区域的内侧的第1导电型的源极区域；隔着栅极绝缘膜而与所述主体区域对置的栅极电极；在所述半导体层的背面部相邻地形成的第1导电型的漏极区域及第2导电型的集电极区域；以及所述主体区域与所述漏极区域之间的漂移区域，所述集电极区域以在沿着所述半导体层的表面的X轴上覆盖至少包含两个所述单位单元的区域的方式形成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及SiC半导体装置。
技术介绍
近年来，主要在马达控制系统、电力转换系统等各种功率电子学领域的系统中使用的SiC半导体装置备受瞩目。专利文献1公开了一种立式IGBT，包括：p型SiC衬底（集电极层）；形成在SiC衬底上的n型的漂移层；形成在漂移层的上部的p型的基极区域；以及形成在基极区域的上部的n型的发射极区域。专利文献2公开了一种沟槽栅型MOSFET，包括：n＋型SiC衬底；形成在SiC衬底上的n－型的基极层；形成在基极层的表层部的p型的主体（body）区域；形成在主体区域的表层部的n＋型的源极区域；从基极层的表面贯通源极区域及主体区域的栅极沟槽；以及隔着栅极绝缘膜埋设栅极沟槽的栅极电极。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2011－49267号公报专利文献2：日本特开2011－44688号公报专利文献3：日本特开2010－251517号公报专利文献4：日本特开2010－74051号公报。
技术实现思路
本专利技术提供一种对小电流区域的特性及大电流区域的特性都优异的SiC半导体装置。用于解决课题的方案本专利技术的一个实施方式，提供一种半导体装置，包括：由第1导电型的S本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，包括：由第1导电型的SiC构成的半导体层；在所述半导体层的表面部形成多个并分别构成单位单元的第2导电型的主体区域；形成在所述主体区域的内侧的第1导电型的源极区域；隔着栅极绝缘膜而与所述主体区域对置的栅极电极；在所述半导体层的背面部相邻地形成的第1导电型的漏极区域及第2导电型的集电极区域；以及所述主体区域与所述漏极区域之间的漂移区域，所述集电极区域以在沿着所述半导体层的表面的X轴上覆盖至少包含两个所述单位单元的区域的方式形成。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.04.17 JP 2014-0856151.一种半导体装置，包括：由第1导电型的SiC构成的半导体层；在所述半导体层的表面部形成多个并分别构成单位单元的第2导电型的主体区域；形成在所述主体区域的内侧的第1导电型的源极区域；隔着栅极绝缘膜而与所述主体区域对置的栅极电极；在所述半导体层的背面部相邻地形成的第1导电型的漏极区域及第2导电型的集电极区域；以及所述主体区域与所述漏极区域之间的漂移区域，所述集电极区域以在沿着所述半导体层的表面的X轴上覆盖至少包含两个所述单位单元的区域的方式形成。2.一种半导体装置，包括：由第1导电型的SiC构成的半导体层；在所述半导体层的表面部形成的第2导电型的主体区域；在所述主体区域的内侧形成的第1导电型的源极区域；隔着栅极绝缘膜而与所述主体区域对置的栅极电极；在所述半导体层的背面部相邻地形成的第1导电型的漏极区域及第2导电型的集电极区域；以及所述主体区域与所述漏极区域之间的漂移区域，所述集电极区域的沿着所述半导体层的表面的X轴宽度Wc为所述漂移区域的沿着所述半导体层的厚度方向的Y轴厚度Td的2倍以上。3.如权利要求1或2所述的半导体装置，所述漏极区域具有与所述集电极区域相同或其以上的X轴宽度Wd。4.一种半导体装置，包括：由第1导电型的SiC构成的半导体层；在所述半导体层的表面部形成的第2导电型的主体区域；在所述主体区域的内侧形成的第1导电型的源极区域；隔着栅极绝缘膜而与所述主体区域对置的栅极电极；在所述半导体层的背面部相邻地形成的第1导电型的漏极区域及第2导电型的集电极区域；所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：森诚悟，明田正俊，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP