【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体装置和半导体装置的制造方法。
技术介绍
1、现有技术中，已知有通过受光元件接收发光元件所发出的光来传输信号的光半导体组件。在专利文献1中公开了现有的光半导体组件的一例。该文献所公开的光半导体组件包括输入侧引线、输出侧引线、发光元件、受光元件、透明树脂和密封树脂。发光元件装载于输入侧引线，受光元件装载于输出侧引线。透明树脂覆盖发光元件和受光元件，密封树脂覆盖透明树脂。透明树脂形成覆盖发光元件的圆顶部和覆盖受光元件的圆顶部，通过一边使喷嘴在两圆顶间移动一边利用灌注了透明树脂的材料的桥接部进行连结而形成。透明树脂的桥接部的下表面与密封树脂的界面，与输入侧引线的下表面和输出侧引线的下表面齐平(或大致齐平)。在输入侧引线和输出侧引线中，电位大不相同。另外，树脂彼此的界面的绝缘耐压容易降低。在该光半导体组件中，在电位大不相同的引线之间，树脂彼此的界面直线地配置，所以绝缘耐压低。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2009-43821号公报。
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【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：
3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：
4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于：
5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于：
6.如权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其特征在于：
7.如权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其特征在于：
8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于：
9.如权利要求1～8中任一项所述的半导体装置，其特征在于：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：
3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：
4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于：
5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于：
6.如权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其特征在于：
7.如权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其特征在于：
8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于：
【专利技术属性】
技术研发人员：大角嘉藏，西冈太郎，松原弘招，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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