System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 半导体装置及其制造方法制造方法及图纸_技高网

半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

技术编号:41007906 阅读:29 留言:0更新日期:2024-04-18 21:43
半导体装置包括:半导体芯片;支撑体,其具有上表面以及下表面,半导体芯片固定于上表面;封固树脂,其用于对半导体芯片以及支撑体进行封固;以及散热器,其接合于支撑体的下表面,在散热器的上表面形成有凹部,支撑体的下表面经由接合构造接合于凹部的底面,封固树脂进入支撑体以及接合构造中的至少接合构造与凹部的侧面之间的间隙。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及一种半导体装置及其制造方法


技术介绍

1、开发了一种半导体装置,其包括半导体芯片、在上表面固定有半导体芯片的支撑体、用于对半导体芯片以及支撑体进行封固的封固树脂以及接合于支撑体的下表面的散热器(例如,参照专利文献1)。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1:国际公开第2018/207856号公报


技术实现思路

1、专利技术所要解决的课题

2、在这种半导体装置中,存在支撑体与散热器之间的接合界面经年劣化、散热效果降低这样的课题。

3、本公开的目的在于提供一种半导体装置及其制造方法,其能够抑制支撑体与散热器之间的接合界面的经年劣化。

4、用于解决课题的方案

5、本公开的一个实施方式提供一种半导体装置,其包括:半导体芯片;支撑体,其具有上表面以及下表面,所述半导体芯片固定于所述上表面;封固树脂,其用于对所述半导体芯片以及所述支撑体进行封固;以及散热器,其与所述支撑体的下表面接合,在所述散热器的上表面形成有凹部,所述支撑体的下表面经由接合构造接合于所述凹部的底面,所述封固树脂进入所述支撑体以及所述接合构造中的至少所述接合构造与所述凹部的侧面之间的间隙。

6、在该结构中,能够抑制支撑体与散热器之间的接合界面的经年劣化。

7、本公开的一个实施方式提供一种半导体装置的制造方法,所述半导体装置包括:半导体芯片;支撑体,其具有上表面以及下表面,所述半导体芯片固定于所述上表面;散热器,其接合于所述支撑体的下表面;以及封固树脂,其对所述半导体芯片以及所述支撑体进行封固,包括:接合所述半导体芯片、所述支撑体以及所述散热器的接合工序;以及通过所述封固树脂对所述半导体芯片以及所述支撑体进行封固的封固工序。

8、在该制造方法中,能够制造一种能够抑制支撑体与散热器之间的接合界面的经年劣化的半导体装置。

9、本公开中的上述或其他目的、特征以及效果通过参照附图接下来叙述的实施方式的说明而变得清楚。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于,

4.根据权利要求3所述的半导体装置,其特征在于,

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于,

6.根据权利要求5所述的半导体装置,其特征在于,

7.根据权利要求5或6所述的半导体装置,其特征在于,

8.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于,

9.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于,

10.根据权利要求1~9中任一项所述的半导体装置,其特征在于,

11.根据权利要求1~9中任一项所述的半导体装置,其特征在于,

12.根据权利要求1~12中任一项所述的半导体装置,其特征在于,

13.根据权利要求1~12中任一项所述的半导体装置,其特征在于,

14.根据权利要求1~12中任一项所述的半导体装置,其特征在于,

15.一种半导体装置的制造方法,该半导体装置包括:半导体芯片;支撑体,其具有上表面以及下表面,所述半导体芯片固定于所述上表面;散热器,其接合于所述支撑体的下表面;以及封固树脂,其对所述半导体芯片以及所述支撑体进行封固,该半导体装置的制造方法的特征在于,包括下述工序:

16.根据权利要求15所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,

...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于,

4.根据权利要求3所述的半导体装置,其特征在于,

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于,

6.根据权利要求5所述的半导体装置,其特征在于,

7.根据权利要求5或6所述的半导体装置,其特征在于,

8.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于,

9.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于,

10.根据权利要求1~9中任一项所述的半导体装置,其特征在于,

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【专利技术属性】
技术研发人员:吉田夏弥
申请(专利权)人:罗姆股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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