一种干细胞样记忆性T细胞体外诱导剂及方法技术

本发明专利技术公开了一种干细胞样记忆性T细胞体外诱导剂及方法，发明专利技术人通过实验发现可以在T细胞诱导培养基中额外添加组胺H1受体拮抗，可以在体外快速将CD8初始T细胞诱导分化扩增为TSCM细胞，且TSCM细胞占CD8细胞比例上有明显抬高，TSCM细胞的绝对数有显著抬高。诱导分化扩增的TSCM细胞保持了TSCM细胞的特性和功能。组胺H1受体拮抗剂，对人体的安全性早已经过临床实践的检验，避免了新药研发漫长的周期。同时，组胺H1受体拮抗剂作为一种成熟的药物，具有成本低廉、安全性好的优点，加入组胺H1受体拮抗剂诱导分化扩增的TSCM细胞无需进行特别的处理即可用回输，为肿瘤细胞治疗提供了强有力的实践基础，具有重要的开发价值和推广意义。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种细胞培养诱导剂及细胞的诱导方法，特别涉及一种干细胞样记忆性T细胞体外诱导剂及方法。
技术介绍
成熟的T细胞具有免疫活性，可通过淋巴管、外周血和组织液等进行再循环，发挥细胞免疫及免疫调节等功能。T细胞的再循环有利于广泛接触进入体内的抗原物质，加强免疫应答，较长期保持免疫记忆。通过体外诱导扩增记忆性T细胞然后回输至体内，有望治疗某些特定的疾病。记忆性T细胞的诱导扩增方法中，比较成熟的是使用抗CD3和抗CD28抗体联合刺激诱导分化，刺激分化的T细胞明显增殖活化，原态细胞减少，明显转为记忆细胞表型。然而这种T细胞在体内存活的时间较短，疗效难以满足治疗的需要。干细胞样记忆性T细胞(TStemMemoryCell,TSCM)是近年来新发现的一个T细胞亚群，这群细胞处于记忆细胞的分化上游，具有干细胞的特征，具有较强的多向分化潜能，TSCM细胞能分化为中枢性记忆性T细胞（TCM），效应性记忆T细胞（TEM）和效应性T细胞（TEF），进而产生大量的IFN-γ等效应分子，产生更为强大的杀伤力，在具有分化潜能的同时具有较强的自我更新能力。TSCM细胞展现出了更强的抗肿瘤能力，其在体内的自我更新能力，第二次免疫应答的强度，在机体内停留时间均强于传统意义上的记忆性细胞，体外移植实验表明其具有很强的生存能力。临床上细胞治疗的过继回输面临着处于终末阶段的细胞很难在体外培养的条件下长期生存，并且难以获得足够量的细胞，而TSCM细胞所具备的这些特征解决了临床上移植细胞体外扩增难的问题。并且，TSCM细胞有很强的生存能力使得植入体内细胞的生存时间延长，自身产生的抗肿瘤功能的细胞因子也使得TSCM细胞成为最有效的细胞治疗细胞类型。所以利用体外扩增的TSCM进行治疗将成为细胞治疗新的途径与手段。利用具有干细胞特性的T细胞进行治疗的方式将改变传统的药物与免疫治疗的模式，开辟细胞治疗的新技术，新方法，新思路。真正利用TSCM细胞进行细胞治疗的关键在于充分认识TSCM细胞特性并且找到在体外使得TSCM细胞大量扩增的方法，因此，有目的、有针对性的推进体外扩增TSCM细胞的技术方法，找到经济方便副作用小的细胞因子或者药物，具有极为重要的意义。然而，现有技术中缺乏较为简便高效的TSCM体外扩增方法。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种干细胞样记忆性T细胞体外诱导剂及方法。一种干细胞样记忆性T细胞体外扩增诱导培养基，其主体为T细胞培养基，培养基中添加有组胺H1受体拮抗剂。作为上述培养基的进一步改进，组胺H1受体拮抗剂选自苯海拉明、异丙嗪、氯雷他定、西替利嗪。作为上述培养基的进一步改进，组胺H1受体拮抗剂为苯海拉明，其在培养基中的终浓度为10～50μM，更佳为25μM。一种干细胞样记忆性T细胞体外扩增诱导方法，包括如下步骤：1)分选出CD8+T细胞，置于T细胞培养液中培养；2)在培养基中加入诱导剂Anti-CD3抗体、Anti-CD28抗体、组胺H1受体拮抗剂，继续诱导培养，在诱导培养的过程中，适时补充组胺H1受体拮抗剂；3)培养结束，分选出需要的TSCM。作为上述干细胞样记忆性T细胞体外扩增诱导方法的进一步改进，组胺H1受体拮抗剂选自苯海拉明、异丙嗪、氯雷他定、西替利嗪。作为上述干细胞样记忆性T细胞体外扩增诱导方法的进一步改进，组胺H1受体拮抗剂为苯海拉明，其在培养基中的终浓度为10～50μM，更佳为25μM。专利技术人通过实验发现可以在T细胞诱导培养基中额外添加组胺H1受体拮抗，可以在体外快速将CD8初始T细胞诱导分化扩增为TSCM细胞，且TSCM细胞占CD8细胞比例上有明显抬高，TSCM细胞的绝对数有显著抬高。诱导分化扩增的TSCM细胞保持了TSCM细胞的特性和功能。组胺H1受体拮抗剂，对人体的安全性早已经过临床实践的检验，避免了新药研发漫长的周期。同时，组胺H1受体拮抗剂作为一种成熟的药物，具有成本低廉、安全性好的优点，加入组胺H1受体拮抗剂诱导分化扩增的TSCM细胞无需进行特别的处理即可用回输，为肿瘤细胞治疗提供了强有力的实践基础，具有重要的开发价值和推广意义。附图说明图1为不同组胺H1受体拮抗剂对TSCM细胞体外诱导扩增效果；图2为不同组胺H1受体拮抗剂对TSCM细胞体外诱导扩增效果的统计学分析；图3为不同浓度的组胺H1受体拮抗剂苯海拉明(Diphenhydramine)对TSCM细胞的体外诱导扩增效果；图4为不同浓度的组胺H1受体拮抗剂苯海拉明(Diphenhydramine)对TSCM细胞的体外诱导扩增效果统计学分析；图5为不同浓度苯海拉明对CD8+T细胞细胞毒性检测。具体实施方式一种干细胞样记忆性T细胞体外扩增诱导培养基，其主体为T细胞培养基，培养基中添加有组胺H1受体拮抗剂。作为上述培养基的进一步改进，组胺H1受体拮抗剂选自第一代组胺H1受体拮抗剂、第二代组胺H1受体拮抗剂和第三代组胺H1受体拮抗剂。作为上述培养基的进一步改进，组胺H1受体拮抗剂选自苯海拉明、异丙嗪、氯苯那敏、赛庚啶、去氯羟嗪、羟嗪、氯雷他定、西替利嗪、特非那丁、阿斯咪唑、艾巴斯丁、非索那丁、阿化斯丁、甲喹吩嗪、咪唑斯丁、依巴斯丁、非索非那丁、去甲基阿司咪唑、脱羧基氯雷他啶。进一步的，组胺H1受体拮抗剂选自苯海拉明、异丙嗪、氯雷他定、西替利嗪。H1受体拮抗剂既可以单独使用，也可以组合使用。本领域技术人员可以进行尝试，确定合适的使用方式。作为上述培养基的进一步改进，组胺H1受体拮抗剂为苯海拉明，其在培养基中的终浓度为10～50μM，更佳为25μM。一种干细胞样记忆性T细胞体外扩增诱导方法，包括如下步骤：1)分选出CD8+T细胞，置于T细胞培养液中培养；2)在培养基中加入诱导剂Anti-CD3抗体、Anti-CD28抗体、组胺H1受体拮抗剂，继续诱导培养，在诱导培养的过程中，适时补充组胺H1受体拮抗剂；3)培养结束，分选出需要的TSCM。作为上述干细胞样记忆性T细胞体外扩增诱导方法的进一步改进，组胺H1受体拮抗剂选自苯海拉明、异丙嗪、氯苯那敏、赛庚啶、去氯羟嗪、羟嗪、氯雷他定、西替利嗪、特非那丁、阿斯咪唑、艾巴斯丁、非索那丁、阿化斯丁、甲喹吩嗪、咪唑斯丁、依巴斯丁、非索非那丁、去甲基阿司咪唑、脱羧基氯雷他啶。进一步的，组胺H1受体拮抗剂选自苯海拉明、异丙嗪、氯雷他定、西替利嗪。H1受体拮抗剂既可以单独使用，也可以组合使用。本领域技术人员可以进行尝试，确定合适的使用方式。作为上述干细胞样记忆性T细胞体外扩增诱导方法的进一步改进，组胺H1受体拮抗剂为苯海拉明，其在培养基中的终浓度为10～50μM，更佳为25μM。下面结合附图和具体实验进一步详细说明本专利技术。除非特别说明，本专利技术采用的试剂、设备和方法为本
常规市购的试剂、设备和常规使用的方法。诱导剂对对TSCM细胞体外诱导扩增效果1)流式细胞仪分选出初始CD8+T细胞(CD8+、CD45RO-、CD62L+)，将分选出来的CD8+T细胞铺在12孔板中，按照实验设计，每孔预期的细胞数为1×106个；2)对铺板后的CD8+T细胞加入1μg/ml（终浓度）Anti-CD3抗体+1μg/ml（终浓度）Anti-CD28抗体，以及不同的组胺H1受体拮抗剂，分别为25μM的苯海拉明（Diphenhydram本文档来自技高网...

【技术保护点】
组胺H1受体拮抗剂在制备干细胞样记忆性T细胞体外扩增诱导剂中的应用。

【技术特征摘要】
1.组胺H1受体拮抗剂在制备干细胞样记忆性T细胞体外扩增诱导剂中的应用。2.根据权利要求1所述的应用，其特征在于：组胺H1受体拮抗剂选自第一代组胺H1受体拮抗剂、第二代组胺H1受体拮抗剂和第三代组胺H1受体拮抗剂。3.根据权利要求2所述的应用，其特征在于：组胺H1受体拮抗剂选自苯海拉明、异丙嗪、氯苯那敏、赛庚啶、去氯羟嗪、羟嗪、氯雷他定、西替利嗪、特非那丁、阿斯咪唑、艾巴斯丁、非索那丁、阿化斯丁、甲喹吩嗪、咪唑斯丁、依巴斯丁、非索非那丁、去甲基阿司咪唑、脱羧基氯雷他啶。4.根据权利要求1所述的应用，其特征在于：干细胞样记忆性T细胞为CD8+T细胞。5.一种干细胞样记忆性T细胞体外扩增诱导培养基，其主体为T细胞培养基，其特征在于：培养基中添加有组胺H1受体拮抗剂。6.根据权利要求5所述的干细胞样记忆性T细胞体外扩增诱导培养...

【专利技术属性】
技术研发人员：张辉，张译文，
申请(专利权)人：中山大学，
类型：发明
国别省市：广东;44