TFT基板的制作方法及TFT基板技术

本发明专利技术提供一种TFT基板的制作方法及TFT基板，通过将触控扫描线与遮光金属块制作于同一层，将触控感应线与公共电极制作于同一层，所述触控扫描线与触控感应线之间形成互电容，从而构成互电容式触摸传感器，实现内嵌式触控功能，与现有技术相比，节省了一道金属层与一道绝缘层的制作，从而达到减少工艺制程、节约原料的目的，进而实现缩短TFT基板的制程时间以及降低TFT基板的制造成本的效果。本发明专利技术的TFT基板，具有内嵌式触控功能，且结构简单，制作成本低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及触控显示
，尤其涉及一种用于内嵌式触控显示面板中的TFT基板的制作方法及该TFT基板。
技术介绍
随着显示技术的发展，液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板及背光模组(backlightmodule)。液晶显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，两片玻璃基板中间有许多垂直和水平的细小电线，通过通电与否来控制液晶分子改变方向，将背光模组的光线折射出来产生画面。通常液晶显示面板由彩膜(CF，ColorFilter)基板、薄膜晶体管(TFT，ThinFilmTransistor)基板、夹于彩膜基板与薄膜晶体管基板之间的液晶(LC，LiquidCrystal)及密封胶框(Sealant)组成，其成型工艺一般包括：前段阵列(Array)制程(薄膜、黄光、蚀刻及剥膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板与CF基板贴合)及后段模组组装制程(驱动IC与印刷电路板压合)。其中，前段Array制程主要是形成TFT基板，以便于控制液晶分子的运动；中段Cell制程主要是在TFT基板与CF基板之间添加液晶；后段模组组装制程主要是驱动IC压合与印刷电路板的整合，进而驱动液晶分子转动，显示图像。触控液晶显示面板依感应技术不同可分为电阻式、电容式、光学式、音波式四种，目前主流的触控技术为电容式，其中电容式又分为自电容式和互电容式，目前市场上的电容式触控显示面板为主要为互电容式，互电容的优点在于可实现多点触控。触控显示面板根据结构不同可划分为：触控电路覆盖于液晶盒上式(OnCell)，触控电路内嵌在液晶盒内式(InCell)、以及外挂式。其中，外挂式触控显示面板是将触控面板与液晶显示面板分开生产，然后贴合到一起成为具有触控功能的显示面板，外挂式触控显示面板存在制作成本较高、光透过率较低、模组较厚等缺点。内嵌式触控显示面板具有成本较低、厚度较薄等优点，受到各大面板厂家青睐，已演化为未来触控技术的主要发展方向。如图1-2所示，为一种现有的用于内嵌式触控显示面板中的TFT基板，其包括：基板100、遮光层200、缓冲层300、多晶硅层400、栅极绝缘层500、栅极520、第一层间绝缘层600、源/漏极610、平坦层700、公共电极810与触控扫描线(Tx)820、第二层间绝缘层850、触控感应线(Rx)870、钝化层900、及像素电极950。其中，所述触控感应线820与公共电极810位于同一层，由金属材料制作的触控感应线870位于单独的一层，且与触控扫描线820之间间隔一第二层间绝缘层850，因此，该TFT基板的制作过程中，需要单独制作触控感应线870，同时需要制作第二层间绝缘层850，这会造成TFT基板的制程时间较长，且生产本较高。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种TFT基板的制作方法，与现有技术相比，节省一道金属层与一道绝缘层的制作，从而达到减少工艺制程、及节约原料的目的。本专利技术的目的还在于提供一种TFT基板，通过将触控扫描线与遮光金属块制作于同一层，将触控感应线与公共电极制作于同一层，所述触控扫描线与触控感应线共同构成触摸传感器，实现内嵌式触控(inCellTouch)功能，结构简单，制程时间短，且节省成本。为实现上述目的，本专利技术提供一种TFT基板的制作方法，包括如下步骤：步骤1、提供一基板，在所述基板上沉积第一金属层，对所述第一金属层进行图案化处理，同时得到数个遮光金属块、及数条触控扫描线；步骤2、在所述数个遮光金属块、触控扫描线、及基板上形成缓冲层，在所述缓冲层上形成覆盖缓冲层的多晶硅层，对整个多晶硅层进行P型轻掺杂后，采用光刻制程对所述多晶硅层进行图案化，得到对应于遮光金属块上方的第一多晶硅段、及与第一多晶硅段间隔设置的第二多晶硅段；步骤3、对所述第一多晶硅段进行N型掺杂，形成位于两端的N型重掺杂区、位于中间的第一沟道区、及位于N型重掺杂区与第一沟道区之间的N型轻掺杂区；步骤4、在所述第一多晶硅段、第二多晶硅段、及缓冲层上沉积栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上沉积第二金属层，对所述第二金属层进行图案化处理，得到分别对应于第一多晶硅段与第二多晶硅段上方的第一栅极与第二栅极；步骤5、对所述第二多晶硅段两侧进行P型重掺杂，得到位于两端的P型重掺杂区、及位于两P型重掺杂区之间的第二沟道区；步骤6、在所述第一栅极、第二栅极、及栅极绝缘层上沉积层间绝缘层，通过光刻制程对所述层间绝缘层与栅极绝缘层进行图案化处理，在所述层间绝缘层与栅极绝缘层上形成对应于N型重掺杂区上方的第一过孔、及对应于P型重掺杂区上方的第二过孔，在所述层间绝缘层上形成对应于第二栅极上方的第三过孔；步骤7、在所述层间绝缘层上沉积第三金属层，对所述第三金属层进行图案化处理，得到间隔设置的第一源极、第一漏极、第二源极、第二漏极、及位于第二源极与第二漏极之间的金属块；所述第一源极、第一漏极分别通过第一过孔与N型重掺杂区相接触，所述第二源极、第二漏极分别通过第二过孔与P型重掺杂区相接触，所述金属块通过第三过孔与第二栅极相接触；步骤8、在所述第一源极、第一漏极、第二源极、第二漏极、及金属块上方形成平坦层，对所述平坦层进行图案化处理，在所述平坦层上形成对应于第一漏极上方的第四过孔；在所述平坦层上沉积第一透明导电层，对所述第一透明导电层进行图案化处理，同时得到公共电极、及数条触控感应线；步骤9、在所述公共电极、触控感应线、及平坦层上形成钝化层，之后对钝化层进行图案化处理，得到位于第四过孔中的第五过孔，且所述第五过孔的孔壁属于钝化层；在所述钝化层上沉积第二透明导电层，对所述第二透明导电层进行图案化处理，得到像素电极，所述像素电极通过第五过孔与第一漏极相接触。所述触控扫描线与数个遮光金属块串联在一起。所述数条触控扫描线与数条触控感应线在水平方向上垂直交叉排列，且所述触控扫描线与触控感应线之间形成互电容，从而构成互电容式触摸传感器。所述第一源极、第一漏极、第一栅极与第一多晶硅段构成NMOS晶体管；所述第二源极、第二漏极、第二栅极与第二多晶硅段构成PMOS晶体管。所述第一金属层、第二金本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一基板(10)，在所述基板(10)上沉积第一金属层，对所述第一金属层进行图案化处理，同时得到数个遮光金属块(20)、及数条触控扫描线(21)；步骤2、在所述数个遮光金属块(20)、触控扫描线(21)、及基板(10)上形成缓冲层(23)，在所述缓冲层(23)上形成覆盖缓冲层(23)的多晶硅层，对整个多晶硅层进行P型轻掺杂后，采用光刻制程对所述多晶硅层进行图案化，得到对应于遮光金属块(20)上方的第一多晶硅段(30)、及与第一多晶硅段(30)间隔设置的第二多晶硅段(40)；步骤3、对所述第一多晶硅段(30)进行N型掺杂，形成位于两端的N型重掺杂区(31)、位于中间的第一沟道区(32)、及位于N型重掺杂区(31)与第一沟道区(32)之间的N型轻掺杂区(33)；步骤4、在所述第一多晶硅段(30)、第二多晶硅段(40)、及缓冲层(23)上沉积栅极绝缘层(50)，在所述栅极绝缘层(50)上沉积第二金属层，对所述第二金属层进行图案化处理，得到分别对应于第一多晶硅段(30)与第二多晶硅段(40)上方的第一栅极(51)与第二栅极(52)；步骤5、对所述第二多晶硅段(40)两侧进行P型重掺杂，得到位于两端的P型重掺杂区(41)、及位于两P型重掺杂区(41)之间的第二沟道区(42)；步骤6、在所述第一栅极(51)、第二栅极(52)、及栅极绝缘层(50)上沉积层间绝缘层(60)，通过光刻制程对所述层间绝缘层(60)与栅极绝缘层(50)进行图案化处理，在所述层间绝缘层(60)与栅极绝缘层(50)上形成对应于N型重掺杂区(31)上方的第一过孔(67)、及对应于P型重掺杂区(41)上方的第二过孔(68)，在所述层间绝缘层(60)上形成对应于第二栅极(52)上方的第三过孔(69)；步骤7、在所述层间绝缘层(60)上沉积第三金属层，对所述第三金属层进行图案化处理，得到间隔设置的第一源极(61)、第一漏极(62)、第二源极(63)、第二漏极(64)、及位于第二源极(63)与第二漏极(64)之间的金属块(65)；所述第一源极(61)、第一漏极(62)分别通过第一过孔(67)与N型重掺杂区(31)相接触，所述第二源极(63)、第二漏极(64)分别通过第二过孔(68)与P型重掺杂区(41)相接触，所述金属块(65)通过第三过孔(69)与第二栅极(52)相接触；步骤8、在所述第一源极(61)、第一漏极(62)、第二源极(63)、第二漏极(64)、及金属块(65)上方形成平坦层(70)，对所述平坦层(70)进行图案化处理，在所述平坦层(70)上形成对应于第一漏极(62)上方的第四过孔(71)；在所述平坦层(70)上沉积第一透明导电层，对所述第一透明导电层进行图案化处理，同时得到公共电极(81)、及数条触控感应线(82)；步骤9、在所述公共电极(81)、触控感应线(82)、及平坦层(70)上形成钝化层(90)，之后对钝化层(90)进行图案化处理，得到位于第四过孔(71)中的第五过孔(91)，且所述第五过孔(91)的孔壁属于钝化层(90)；在所述钝化层(90)上沉积第二透明导电层，对所述第二透明导电层进行图案化处理，得到像素电极(95)，所述像素电极(95)通过第五过孔(91)与第一漏极(62)相接触。...

【技术特征摘要】
1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一基板(10)，在所述基板(10)上沉积第一金属层，对所述
第一金属层进行图案化处理，同时得到数个遮光金属块(20)、及数条触控扫
描线(21)；
步骤2、在所述数个遮光金属块(20)、触控扫描线(21)、及基板(10)
上形成缓冲层(23)，在所述缓冲层(23)上形成覆盖缓冲层(23)的多晶硅
层，对整个多晶硅层进行P型轻掺杂后，采用光刻制程对所述多晶硅层进行图
案化，得到对应于遮光金属块(20)上方的第一多晶硅段(30)、及与第一多
晶硅段(30)间隔设置的第二多晶硅段(40)；
步骤3、对所述第一多晶硅段(30)进行N型掺杂，形成位于两端的N型重
掺杂区(31)、位于中间的第一沟道区(32)、及位于N型重掺杂区(31)与第
一沟道区(32)之间的N型轻掺杂区(33)；
步骤4、在所述第一多晶硅段(30)、第二多晶硅段(40)、及缓冲层(23)
上沉积栅极绝缘层(50)，在所述栅极绝缘层(50)上沉积第二金属层，对所
述第二金属层进行图案化处理，得到分别对应于第一多晶硅段(30)与第二多
晶硅段(40)上方的第一栅极(51)与第二栅极(52)；
步骤5、对所述第二多晶硅段(40)两侧进行P型重掺杂，得到位于两端的
P型重掺杂区(41)、及位于两P型重掺杂区(41)之间的第二沟道区(42)；
步骤6、在所述第一栅极(51)、第二栅极(52)、及栅极绝缘层(50)上
沉积层间绝缘层(60)，通过光刻制程对所述层间绝缘层(60)与栅极绝缘层
(50)进行图案化处理，在所述层间绝缘层(60)与栅极绝缘层(50)上形成
对应于N型重掺杂区(31)上方的第一过孔(67)、及对应于P型重掺杂区(41)
上方的第二过孔(68)，在所述层间绝缘层(60)上形成对应于第二栅极(52)
上方的第三过孔(69)；
步骤7、在所述层间绝缘层(60)上沉积第三金属层，对所述第三金属层
进行图案化处理，得到间隔设置的第一源极(61)、第一漏极(62)、第二源极
(63)、第二漏极(64)、及位于第二源极(63)与第二漏极(64)之间的金属
块(65)；所述第一源极(61)、第一漏极(62)分别通过第一过孔(67)与N

\t型重掺杂区(31)相接触，所述第二源极(63)、第二漏极(64)分别通过第
二过孔(68)与P型重掺杂区(41)相接触，所述金属块(65)通过第三过孔
(69)与第二栅极(52)相接触；
步骤8、在所述第一源极(61)、第一漏极(62)、第二源极(63)、第二漏
极(64)、及金属块(65)上方形成平坦层(70)，对所述平坦层(70)进行图
案化处理，在所述平坦层(70)上形成对应于第一漏极(62)上方的第四过孔
(71)；
在所述平坦层(70)上沉积第一透明导电层，对所述第一透明导电层进行
图案化处理，同时得到公共电极(81)、及数条触控感应线(82)；
步骤9、在所述公共电极(81)、触控感应线(82)、及平坦层(70)上形
成钝化层(90)，之后对钝化层(90)进行图案化处理，得到位于第四过孔(71)
中的第五过孔(91)，且所述第五过孔(91)的孔壁属于钝化层(90)；
在所述钝化层(90)上沉积第二透明导电层，对所述第二透明导电层进行
图案化处理，得到像素电极(95)，所述像素电极(95)通过第五过孔(91)
与第一漏极(62)相接触。
2.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述触控扫描
线(21)与数个遮光金属块(20)串联在一起。
3.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述数条触控
扫描线(21)与数条触控感应线(82)在水平方向上垂直交叉排列，且所述触<...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨祖有，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42