阵列基板、显示面板及其制造方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板、显示面板及其制造方法、显示装置，属于显示领域。包括：衬底基板；在所述衬底基板上的一侧形成有像素电极层，所述像素电极层包括多个像素电极；在所述衬底基板的另一侧形成有多个薄膜晶体管，每个所述薄膜晶体管的漏极与一个像素电极电连接。本发明专利技术在降低面板负载的基础上，有效地提高了图像显示的均一性和对比度。本发明专利技术用于显示。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示领域，特别涉及一种阵列基板、显示面板及其制造方法、显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器(英文：ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay；简称：TFT-LCD)包括液晶面板、背光源和驱动电路板，其中，液晶面板是由阵列基板和彩膜基板配向并对盒后，中间加入液晶制作完成。传统的TFT-LCD通常将薄膜晶体管(英文：ThinFilmTransistor；简称：TFT)和像素电极制作在盒内，TFT的栅极线和源极线与像素电极之间会产生寄生电容，导致面板负载增加。现有技术通常采用增加像素电极与栅极线和源极线的间距或增加两道掩膜工序，在源漏极和像素氧化铟锡(IndiumTinOxide，简称：ITO)层之间增加亚克力平坦化层等方式降低面板负载。采用现有技术降低面板负载时，TFT具有较大段差，这样会影响TFT上方的膜层的形成以及影响阵列基板的配向，导致TFT-LCD的图像显示均一性和对比度较低。
技术实现思路
为了解决现有技术降低面板负载时，导致TFT-LCD的图像显示均一性和对比度较低的问题，本专利技术实施例提供了一种阵列基板、显示面板及其制造方法、显示装置。所述技术方案如下：第一方面，提供了一种阵列基板，包括：衬底基板；在所述衬底基板上的一侧形成有像素电极层，所述像素电极层包括多个像素电极；在所述衬底基板的另一侧形成有多个薄膜晶体管，每个所述薄膜晶体管的漏极与一个像素电极电连接。可选的，所述衬底基板上形成有多个过孔，每个所述薄膜晶体管的漏极与一个像素电极通过一个过孔电连接。可选的，所述过孔中形成有导电材料。可选的，所述在所述衬底基板的另一侧形成有多个薄膜晶体管，包括：在所述衬底基板的另一侧依次形成源漏极金属图形、有源层图形、第一钝化层图形、栅极金属图形和第二钝化层，其中，所述源漏极金属图形包括源极和漏极，所述栅极金属图形包括栅极。可选的，在形成有所述多个像素电极的衬底基板上的一侧还依次形成有第三钝化层和公共电极图形，所述公共电极图形包括多个公共电极。可选的，在所述衬底基板的另一侧形成有交错排布的多条栅极线和多条源极线，相邻的两条栅极线和相邻的两条源极线围成一个像素区域，每个像素区域对应一个像素电极，且任一像素电极在所述衬底基板上的正投影区域包含所述任一像素电极对应的像素区域在所述衬底基板上的正投影区域。第二方面，提供了一种显示面板，包括：第一方面任一所述的阵列基板。可选的，所述显示面板还包括彩膜基板，以及形成在所述彩膜基板与所述阵列基板之间的液晶层，所述彩膜基板包括衬底基板和形成在所述衬底基板上的色阻层。第三方面，提供了一种阵列基板的制造方法，包括：在衬底基板上的一侧形成像素电极层，所述像素电极层包括多个像素电极；在所述衬底基板的另一侧形成多个薄膜晶体管，每个所述薄膜晶体管的漏极与一个像素电极电连接。可选的，在衬底基板上的一侧形成像素电极层之前，所述方法还包括：在所述衬底基板上形成多个过孔，每个所述薄膜晶体管的漏极与一个像素电极通过一个过孔电连接。可选的，在所述衬底基板上形成多个过孔之后，所述方法还包括：在所述过孔中形成导电材料。可选的，所述在所述衬底基板的另一侧形成多个薄膜晶体管，包括：在所述衬底基板的另一侧依次形成源漏极金属图形、有源层图形、第一钝化层图形、栅极金属图形和第二钝化层，其中，所述源漏极金属图形包括源极和漏极，所述栅极金属图形包括栅极。可选的，在衬底基板上形成所述多个像素电极之后，所述方法还包括：在形成所述多个像素电极的衬底基板上的一侧依次形成第三钝化层和公共电极图形，所述公共电极图形包括多个公共电极。可选的，在所述衬底基板的另一侧形成有交错排布的多条栅极线和多条源极线，相邻的两条栅极线和相邻的两条源极线围成一个像素区域，每个像素区域对应一个像素电极，且任一像素电极在所述衬底基板上的正投影区域包含所述任一像素电极对应的像素区域在所述衬底基板上的正投影区域。第四方面，提供了一种显示面板的制造方法，包括：采用第三方面任一所述的阵列基板制造方法制造阵列基板。可选的，所述显示面板还包括彩膜基板，所述方法还包括：制造彩膜基板，所述制造彩膜基板包括：在衬底基板上形成色阻层；在所述彩膜基板与所述阵列基板之间形成液晶层。第五方面，提供了一种显示装置，包括第二方面任一所述的显示面板。本专利技术实施例提供的技术方案带来的有益效果是：本专利技术实施例提供的阵列基板、显示面板及其制造方法、显示装置，通过将像素电极层和多个TFT分别设置在衬底基板的两侧，TFT的段差不影响像素电极层所在侧的膜层的形成和阵列基板的配向，因此在降低面板负载的基础上，有效地提高了图像显示的均一性和对比度。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；图2是本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；图3是本专利技术实施例提供的一种显示面板的结构示意图；图4是本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制造方法的方法流程图；图5是本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的制造方法的方法流程图；图6是本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的制造方法的方法流程图；图7是本专利技术实施例提供的一种显示面板的制造方法的方法流程图。其中，附图标记为：1、衬底基板；2、像素电极层；3、TFT；31、源漏极金属图形；311、漏极；312、源极；32、有源层图形；33、第一钝化层图形；34、栅极；35、第二钝化层；36、欧姆接触层；4、过孔；5、第三钝化层；6、公共电极图形；7、彩膜基板；71、色阻层；72、光阻材料层；8、液晶层。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术实施方式作进一步地详细描述。图1是本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图，如图1所示，该阵列基板包括：衬底基板1。在衬底基板1上的一侧形成有像素电极层2，该像素电极层2包括多个像素电极。在衬底基板1的另一侧形成有多个TFT3，每个TFT3的漏极311与一个像素电极电连接。综上所述，本专利技术实施例提供的阵列基板，通过将像素电极层和多个TFT分别设置在衬底基板的两侧，TFT的段差不影响像素电极层所在侧的膜层的形成和阵列基板的配向，因此在降低面板负载的基础上，能够有效地提高了图像显示的均一性和对比度。其中，衬底基板1为玻璃、硅片、石英以及塑料等具有一定坚固性的导光的且非金属材料制成的基板，通常为透明基板，该衬底基板1的材料优选为玻璃。进一步的，如图2所示，该衬底基板1上形成有多个过孔4，该多个过孔4可以通过刻蚀或者激光打孔技术形成，该多个过孔4可以实现衬底基板1的一侧与另一侧的电连接，例如，每个TFT3的漏极311与一个像素电极通过一个过孔4电连接，栅线或者其他信号线可以与衬底基板1的一侧的控制电路连接。实际应用中，在衬底基板1上形成的多个过孔4中可以形成有导电材料，通过该导电材料可以实现衬底基板1一侧与另一侧电路的导通。并且，用导电材料填充过孔4的方法有利于在形成其他膜层时，减小其他膜层之间的段差。可本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板；在所述衬底基板上的一侧形成有像素电极层，所述像素电极层包括多个像素电极；在所述衬底基板的另一侧形成有多个薄膜晶体管，每个所述薄膜晶体管的漏极与一个像素电极电连接。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板；在所述衬底基板上的一侧形成有像素电极层，所述像素电极层包括多个像素电极；在所述衬底基板的另一侧形成有多个薄膜晶体管，每个所述薄膜晶体管的漏极与一个像素电极电连接。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述衬底基板上形成有多个过孔，每个所述薄膜晶体管的漏极与一个像素电极通过一个过孔电连接。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述过孔中形成有导电材料。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述在所述衬底基板的另一侧形成有多个薄膜晶体管，包括：在所述衬底基板的另一侧依次形成源漏极金属图形、有源层图形、第一钝化层图形、栅极金属图形和第二钝化层，其中，所述源漏极金属图形包括源极和漏极，所述栅极金属图形包括栅极。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在形成有所述多个像素电极的衬底基板上的一侧还依次形成有第三钝化层和公共电极图形，所述公共电极图形包括多个公共电极。6.根据权利要求1至5任一所述的阵列基板，其特征在于，在所述衬底基板的另一侧形成有交错排布的多条栅极线和多条源极线，相邻的两条栅极线和相邻的两条源极线围成一个像素区域，每个像素区域对应一个像素电极，且任一像素电极在所述衬底基板上的正投影区域包含所述任一像素电极对应的像素区域在所述衬底基板上的正投影区域。7.一种显示面板，其特征在于，包括：权利要求1至6任一所述的阵列基板。8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括彩膜基板，以及形成在所述彩膜基板与所述阵列基板之间的液晶层，所述彩膜基板包括衬底基板和形成在所述衬底基板上的色阻层。9.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：在衬底基板上的一侧形成像素电极层，所述像素电极层包括多个像素电极；在所述衬底基板的另一侧...

【专利技术属性】
技术研发人员：王锡彬，金硕，王志东，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11