一种盖板封装结构制造技术

一种盖板封装结构，包括盖板和焊环，所述盖板为矩形平板结构，盖板为42＃合金，所述焊环沿盖板一侧矩形平板边沿环形分布，所述焊环分层电镀于盖板之上，焊环自盖板向上依次为第一镀镍层、第一镀金层、第二镀镍层和第二镀金层。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体加工领域，尤其是涉及一种盖板封装结构。
技术介绍
目前，金锡盖板封装技术设计用于晶体和砷化镓器件，管壳内部器件采用胶粘或高温焊料。盖板熔封焊接温度设计330℃时，内部器件不会出现二次熔融状态。而硅芯片采用焊料温度一般选300℃焊料，相近的熔化温度在封盖过程中，芯片焊料层会发生二次熔融，对器件的可靠性造成恶劣影响。
技术实现思路
为了克服上述技术问题，本技术提供了一种盖板封装结构，采用的技术方案如下：一种盖板封装结构，包括盖板和焊环，所述盖板为矩形平板结构，盖板为42＃合金，所述焊环沿盖板一侧矩形平板边沿环形分布，所述焊环分层电镀于盖板之上，焊环自盖板向上依次为第一镀镍层、第一镀金层、第二镀镍层和第二镀金层。进一步的，所述第一镀镍层厚度为1.27μm～8.89μm，第一镀金层厚度大于0.635μm，第二镀镍层厚度为1.27μm～8.89μm，第二镀金层厚度大于1.27μm。进一步的，所述第一镀镍层与第二镀镍层厚度之和小于11.43μm。进一步的，所述第一镀金层与第二镀金层厚度之和大于1.27μm。采用上述技术方案，保证焊环充分熔融时，管壳内部芯片不会二次熔融。设计满足封装工艺条件同时，还能保证管壳、盖板镀层结构、厚度，保证工艺实施效果。附图说明图1为一种盖板封装结构的正视图。图2为一种盖板封装结构的电侧视图。具体实施方式如图1-2所示一种盖板封装结构，包括盖板1和焊环2，所述盖板1为矩形平板结构，盖板1为42＃合金，所述焊环2沿盖板1一侧矩形平板边沿环形分布，所述焊环2分层电镀于盖板1之上，焊环2自盖板1向上依次为第一镀镍层、第一镀金层、第二镀镍层和第二镀金层。所述第一镀镍层厚度为1.27μm～8.89μm，第一镀金层厚度大于0.635μm，第二镀镍层厚度为1.27μm～8.89μm，第二镀金层厚度大于1.27μm。所述第一镀镍层与第二镀镍层厚度之和小于11.43μm。所述第一镀金层与第二镀金层厚度之和大于1.27μm。采用上述技术方案，保证焊环2充分熔融时，管壳内部芯片不会二次熔融。设计满足封装工艺条件同时，还能保证管壳、盖板2镀层结构、厚度，保证工艺实施效果，可靠保证空封器件内部气氛合格。以上所述，仅为本技术的具体实施方式，熟悉本领域的技术人员在本技术揭露的范围内，可轻易想到的变化，都应涵盖在技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种盖板封装结构，其特征是包括盖板和焊环，所述盖板为矩形平板结构，盖板为42＃合金，所述焊环沿盖板一侧矩形平板边沿环形分布，所述焊环分层电镀于盖板之上，焊环自盖板向上依次为第一镀镍层、第一镀金层、第二镀镍层和第二镀金层。

【技术特征摘要】
1.一种盖板封装结构，其特征是包括盖板和焊环，所述盖板为矩形平板结构，盖板为42＃合金，所述焊环沿盖板一侧矩形平板边沿环形分布，所述焊环分层电镀于盖板之上，焊环自盖板向上依次为第一镀镍层、第一镀金层、第二镀镍层和第二镀金层。2.如权利要求1所述的一种盖板封装结构，其特征是所述第一镀镍层厚度为1.27μm～8.89μm...

【专利技术属性】
技术研发人员：李志福，
申请(专利权)人：朝阳无线电元件有限责任公司，
类型：新型
国别省市：辽宁;21