一种防止芯片倒装焊接后短路的方法及引线框架技术

本发明专利技术公开了一种防止芯片倒装焊接后短路的方法及引线框架，方法包括：第一步：在引线框架的冲压区域冲压形成凹槽，凹槽的内侧壁向上凸出形成内圈凸起部；第二步：在内圈凸起部围成的区域内设置锡膏；第三步：在芯片投影区域放置芯片，芯片架设于内圈凸起部上；第四步：进行回流焊。通过内圈凸起部支撑芯片，减少芯片对锡膏的压迫，芯片下方也有较大的区域容置锡膏，锡膏被内圈凸起部阻挡不易溢出，且在溢出后的锡膏流到凹槽中，不会堆积在芯片的侧面，避免了短路和漏电，通过内圈凸起部和凹槽，极大地提高了倒装芯片的良品率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及倒装芯片
，尤其涉及一种防止芯片倒装焊接后短路的方法及引线框架。
技术介绍
倒装芯片(Flip-Chip)既是一种芯片互连技术，又是一种理想的芯片粘接技术。早在30年前IBM公司已研发使用了这项技术。近几年来，倒装芯片已成为高端器件及高密度封装领域中经常采用的封装形式。目前倒装芯片封装技术的应用范围日益广泛，封装形式更趋多样化，对倒装芯片封装技术的要求也随之提高。同时，倒装芯片也向制造者提出了一系列新的严峻挑战，为这项复杂的技术提供封装，组装及测试的可靠支持。现有的芯片1′，如图3所示，包括在底面上设置有电极11′，现有的引线框架2′如图1-图2所示，引线框架2′上设置有锡膏3′，如图4所示，芯片1′放置在锡膏3′，经过回流焊后，芯片1′和引线框架2′的结构如图5和图6所示，由于没办法控制回流焊过程中锡膏3′的流动，且由于芯片1′的挤压作用，锡膏3′在回流焊后会溢出到芯片1′侧面，产生漏电和短路，严重降低产品的良率，且检测为良品的倒装芯片也会有漏电的危险。
技术实现思路
本专利技术的第一目的在于提出一种防止芯片倒装焊接后短路的方法，防止回流焊后锡膏溢出到芯片的侧面，避免短路和漏电。为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：一种防止芯片倒装焊接后短路的方法，包括：第一步：在引线框架的冲压区域冲压形成凹槽，所述凹槽的内侧壁向上凸出形成内圈凸起部；其中，芯片的底面上的多个电极在所述引线框架上的投影为多个电极投影区域，所述芯片在所述引线框架上的投影为芯片投影区域，所述冲压区域环绕所述电极投影区域，所述冲压区域的内边缘位于所有的所述电极投影区域的内边缘的外侧、且位于所述芯片投影区域的边缘的内侧；第二步：在所述内圈凸起部连续或间断围成的区域内设置锡膏；第三步：在芯片投影区域放置芯片，所述芯片架设于所述内圈凸起部上；第四步：进行回流焊。其中，所述冲压区域的内边缘位于所有的所述电极投影区域的外侧。其中，所述冲压区域的外边缘位于所述芯片投影区域的外侧。其中，所述第二步具体包括在所述内圈凸起部内涂覆或者印刷锡膏。其中，所述冲压区域连续或间隔设置。其中，所述冲压区域的宽度为0.2-0.4mm。其中，所述冲压区域的宽度为0.3mm。其中，所述冲压区域的冲压深度为0.03-0.07mm。其中，所述冲压深度为0.05mm。本专利技术的第二目的在于提出一种引线框架，防止回流焊后锡膏溢出到芯片的侧面，避免短路和漏电。为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：一种引线框架，所述引线框架上冲压出上述的凹槽。有益效果：本专利技术提供了一种防止芯片倒装焊接后短路的方法及引线框架，方法包括：第一步：在引线框架的冲压区域冲压形成凹槽，所述凹槽的内侧壁向上凸出形成内圈凸起部；其中，芯片的底面上的多个电极在所述引线框架上 的投影为多个电极投影区域，所述芯片在所述引线框架上的投影为芯片投影区域，所述冲压区域环绕所述电极投影区域，所述冲压区域的内边缘位于所有的所述电极投影区域的内边缘的外侧、且位于所述芯片投影区域的边缘的内侧；第二步：在所述内圈凸起部围成的区域内设置锡膏；第三步：在芯片投影区域放置芯片，所述芯片架设于所述内圈凸起部上；第四步：进行回流焊。通过内圈凸起部支撑芯片，减少芯片对锡膏的压迫，芯片下方也有较大的区域容置锡膏，锡膏被内圈凸起部阻挡不易溢出，且在溢出后的锡膏流到凹槽中，不会堆积在芯片的侧面，避免了短路和漏电，通过内圈凸起部和凹槽，极大地提高了倒装芯片的成品率和合格率。附图说明图1是现有技术的设置有锡膏的引线框架的结构示意图。图2是图1的A-A向剖视图。图3是现有技术的芯片的结构示意图。图4是现有技术的引线框架和芯片的结构示意图。图5是图4的B-B向剖视图。图6是图5的C处的局部放大图。图7是本专利技术的实施例1的方法流程图。图8是本专利技术的实施例1的引线框架的结构示意图。图9是图8的D-D向剖视图。图10是图9的I处的局部放大图。图11是图8的E-E向剖视图。图12是本专利技术的实施例1的设置有锡膏的引线框架的结构示意图。图13是图12的F-F向剖视图。图14是图12的G-G向剖视图。图15是本专利技术的实施例1的引线框架和芯片的结构示意图。图16是图15的H处的局部放大图。其中：1-芯片，2-引线框架，21-电极投影区域，22-芯片投影区域，23-凹槽，24-内圈凸起部，3-锡膏，1′-芯片，11′-电极，2′-引线框架、3′-锡膏。具体实施方式为使本专利技术解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚，下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本专利技术的技术方案。实施例1本实施例提供了一种防止芯片倒装焊接后短路的方法，如图7所示，包括：第一步：在引线框架2的冲压区域冲压形成凹槽23，凹槽23的内侧壁向上凸出形成内圈凸起部24。如图8-图11所示，芯片1的底面上的多个电极在引线框架2上的投影为多个电极投影区域21，芯片1在引线框架2上的投影为芯片投影区域22，冲压区域环绕电极投影区域21，冲压区域的内边缘位于所有的电极投影区域21的内边缘的外侧、且位于芯片投影区域22的边缘的内侧。第二步：在内圈凸起部24连续或间断围成的区域内设置锡膏3，如图12-图14所示。第三步：在芯片投影区域22放置芯片1，芯片1架设于内圈凸起部24上。第四步：进行回流焊，如图15和图16所示。通过内圈凸起部24支撑芯片1，减少芯片1对锡膏3的压迫，芯片1下方也有较大的区域容置锡膏3，锡膏3被内圈凸起部24阻挡不易溢出，且在溢出 后的锡膏3流到凹槽23中，不会堆积在芯片1的侧面，避免了短路和漏电。通过内圈凸起部24和凹槽23，极大地提高了倒装芯片的成品率和合格率。且冲压区域环绕电极投影区域21设置，冲压区域的内边缘位于所有的电极投影区域21的内边缘的外侧，保证了在冲压出凹槽23后，所有的电极下方均可以有锡膏3接触，避免由于凹槽23将某些电极隔开在外部，没有锡膏3与之接触，无法连通。冲压区域的内边缘位于芯片投影区域22的边缘的内侧，保证了芯片1放置在内圈凸起部24上，避免由于凹槽23的区域过大，导致芯片1完全容置在了内圈凸起部24围成的区域内，导致凹槽23失去了作用，芯片1的侧面仍然会堆积锡膏3，引起短路和漏电。本实施例的冲压区域的内边缘位于所有的电极投影区域21的外侧，即芯片1底面所有的的电极对应的电极投影区域21完全位于内圈凸起部24围成的区域中，更好地保证芯片1底面的所有的电极均能很好的与锡膏3连通，提高了回流焊后倒装芯片的良品率。本实施例的冲压区域的外边缘位于芯片投影区域22的外侧，由于冲压区域的内边缘位于芯片投影区域22的边缘的内侧，此时芯片1在覆盖在引线框架2上时，芯片1的侧壁位于凹槽23的正上方，芯片1本身被内圈凸起部24抬高，而凹槽23的位置比非凹槽区要低，芯片1与凹槽23的底部之间的距离最大，在芯片1溢出时，需要更多的量的锡膏3才能堆积在芯片1的侧壁，可以进一步避免锡膏3堆积，降低芯片1漏电或短路的风险。冲压区域的外边缘也可以位于芯片投影区域22的内侧，此时仍然可以通过凹槽23收集溢出的锡膏3，避免其进一步扩散并堆积到芯片1的侧面。具体而言，第二步可以为内圈凸起部24内涂覆或者印刷锡膏3，以实现在内圈凸起部24连续或间断围成的区域内设置锡膏3。冲压区本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种防止芯片倒装焊接后短路的方法，其特征在于，包括：第一步：在引线框架(2)的冲压区域冲压形成凹槽(23)，所述凹槽(23)的内侧壁向上凸出形成内圈凸起部(24)；其中，芯片(1)的底面上的多个电极在所述引线框架(2)上的投影为多个电极投影区域(21)，所述芯片(1)在所述引线框架(2)上的投影为芯片投影区域(22)，所述冲压区域环绕所述电极投影区域(21)，所述冲压区域的内边缘位于所有的所述电极投影区域(21)的内边缘的外侧、且位于所述芯片投影区域(22)的边缘的内侧；第二步：在所述内圈凸起部(24)连续或间断围成的区域内设置锡膏(3)；第三步：在芯片投影区域(22)放置芯片(1)，所述芯片(1)架设于所述内圈凸起部(24)上；第四步：进行回流焊。

【技术特征摘要】
1.一种防止芯片倒装焊接后短路的方法，其特征在于，包括：第一步：在引线框架(2)的冲压区域冲压形成凹槽(23)，所述凹槽(23)的内侧壁向上凸出形成内圈凸起部(24)；其中，芯片(1)的底面上的多个电极在所述引线框架(2)上的投影为多个电极投影区域(21)，所述芯片(1)在所述引线框架(2)上的投影为芯片投影区域(22)，所述冲压区域环绕所述电极投影区域(21)，所述冲压区域的内边缘位于所有的所述电极投影区域(21)的内边缘的外侧、且位于所述芯片投影区域(22)的边缘的内侧；第二步：在所述内圈凸起部(24)连续或间断围成的区域内设置锡膏(3)；第三步：在芯片投影区域(22)放置芯片(1)，所述芯片(1)架设于所述内圈凸起部(24)上；第四步：进行回流焊。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述冲压区域的内边缘位于所有的所...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹周，
申请(专利权)人：杰群电子科技东莞有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44