薄膜晶体管阵列基板及制作方法和液晶显示面板技术

一种薄膜晶体管阵列基板及制作方法和液晶显示面板，其中该薄膜晶体管阵列基板包括衬底和形成在衬底上的扫描线、数据线、信号输入线和电流反馈线，扫描线与数据线交叉限定形成多个子像素，每个子像素内形成有薄膜晶体管、光传感器和像素电极，薄膜晶体管包括第一栅极、第一半导体、第一源极和第一漏极，第一栅极与扫描线相连，第一源极和第一漏极相互间隔且均与第一半导体接触，第一源极与数据线相连，第一漏极与像素电极相连，光传感器包括第二栅极、第二半导体、第二源极和第二漏极，第二栅极不接信号，第二源极和第二漏极相互间隔且均与第二半导体接触，第二源极与信号输入线相连，第二漏极与电流反馈线相连。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示的
，特别是涉及一种薄膜晶体管阵列基板及制作方法，以及具有该薄膜晶体管阵列基板的液晶显示面板。
技术介绍
随着显示技术的发展，液晶显示面板(Liquid Crystal Display，LCD)因其轻便、低辐射等优点越来越受到人们的欢迎。液晶显示面板包括相对设置的薄膜晶体管阵列基板和彩色滤光片基板以及夹置在两者之间的液晶层。当显示面板处于不同的外界环境时，外界光中某种颜色的光成分会偏多，例如红光偏多，那么面板在正常显示就会偏红。另外，短波长的光线影响人眼视网膜，容易诱发视网膜病变。LED采用蓝光芯片(chip)加黄色荧光粉产生白光，其中含有较多的高能蓝光，在暗室环境下对人眼伤害较大。现有技术中解决上述问题的方法有：(1)、手动调节显示面板的亮度；(2)、外置感光器件检测外界光亮度，再根据检测结果调节显示面板的亮度。然而，手动调整显示面板亮度操作不方便，用户体验差，且无法调节具体的颜色(如外界红光多时，无法调节显示面板红色亮度降低)；而通过外置感光器件进行外界光亮度检测，则成本较高。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种薄膜晶体管阵列基板及制作方法，通过在显示面板中集成设置光传感器检测外界光，可根据外界光中不同成分的强度，来对应调节背光强度或者数据线电压，从而可以调节面板不同颜色，节省功耗，无需手动调节，实现成本低。本专利技术实施例提供一种薄膜晶体管阵列基板，包括衬底和形成在所述衬底上的扫描线和数据线，所述扫描线与所述数据线交叉限定形成多个子像素，每个子像素内形成有薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管包括第一栅极、第一半导体、第一源极和第一漏极，所述第一栅极与所述扫描线相连，所述第一源极和所述第一漏极相互间隔且均与所述第一半导体接触，所述第一源极与所述数据线相连，所述第一漏极与所述像素电极相连，所述衬底上还形成有信号输入线和电流反馈线，每个子像素内还形成有光传感器，所述光传感器包括第二栅极、第二半导体、第二源极和第二漏极，所述第二栅极不接信号，所述第二源极和所述第二漏极相互间隔且均与所述第二半导体接触，所述第二源极与所述信号输入线相连，所述第二漏极与所述电流反馈线相连。进一步地，所有子像素中的光传感器的第二源极通过所述信号输入线相互连接，相同颜色子像素中的光传感器的第二漏极通过所述电流反馈线相互连接，不同颜色子像素中的光传感器的第二漏极相互绝缘且与不同的所述电流反馈线相连。进一步地，所述子像素包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，所述电流反馈线包括相互绝缘的第一电流反馈线、第二电流反馈线和第三电流反馈线，所述第一电流反馈线与位于红色子像素中的光传感器的第二漏极相连，所述第二电流反馈线与位于绿色子像素中的光传感器的第二漏极相连，所述第三电流反馈线与位于蓝色子像素中的光传感器的第二漏极相连。进一步地，所述薄膜晶体管阵列基板采用双扫描线像素阵列结构，两条相邻数据线之间设有两列子像素，每条数据线与位于该条数据线两侧的两列子像素相连，上下相邻两行的子像素之间设有两条紧邻的扫描线，同一行的子像素连接在位于该行子像素上下两侧的两条扫描线上，所述信号输入线设置在两条相邻数据线之间的两列子像素之间。进一步地，所述扫描线、所述第一栅极和所述第二栅极位于同一层中；所述数据线、所述第一源极、所述第一漏极、所述第二源极、所述第二漏极、所述信号输入线和所述电流反馈线位于同一层中。进一步地，所述衬底上还形成有栅绝缘层，所述栅绝缘层覆盖所述扫描线、所述第一栅极和所述第二栅极；所述数据线、所述第一源极、所述第一漏极、所述第二源极、所述第二漏极、所述信号输入线和所述电流反馈线形成在所述栅绝缘层上。进一步地，所述栅绝缘层上还形成有钝化层，所述钝化层覆盖所述数据线、所述第一源极、所述第一漏极、所述第二源极、所述第二漏极、所述信号输入线和所述电流反馈线；所述像素电极形成在所述钝化层上，所述钝化层中于对应所述第一漏极的位置处设有通孔，所述像素电极通过所述通孔与所述第一漏极相连。本专利技术实施例还提供一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，包括步骤：在衬底上制作形成扫描线、第一栅极和第二栅极；形成覆盖所述扫描线、所述第一栅极和所述第二栅极的栅绝缘层；在所述栅绝缘层上制作形成第一半导体、第二半导体、数据线、第一源极、第一漏极、第二源极、第二漏极、信号输入线和电流反馈线；其中所述扫描线与所述数据线交叉限定形成多个子像素，所述第一栅极、所述第一半导体、所述第一源极和所述第一漏极形成薄膜晶体管，所述第二栅极、所述第二半导体、所述第二源极和所述第二漏极形成光传感器，所述薄膜晶体管和所述光传感器位于每个子像素内，所述第一栅极与所述扫描线相连，所述第一源极和所述第一漏极相互间隔且均与所述第一半导体接触，所述第一源极与所述数据线相连，所述第一漏极用于与像素电极相连，所述第二栅极不接信号，所述第二源极和所述第二漏极相互间隔且均与所述第二半导体接触，所述第二源极与所述信号输入线相连，所述第二漏极与所述电流反馈线相连。本专利技术实施例还提供一种液晶显示面板，包括薄膜晶体管阵列基板和彩色滤光片基板以及设置在所述薄膜晶体管阵列基板与所述彩色滤光片基板之间的液晶层，所述薄膜晶体管阵列基板为如上所述的薄膜晶体管阵列基板。进一步地，所述液晶显示面板还包括背光控制器和背光源，所述背光控制器与所述光传感器及所述背光源相连，所述背光控制器根据所述光传感器的检测结果自动调整所述背光源中与红色、绿色和蓝色成分光相对应的亮度。进一步地，所述液晶显示面板还包括显示控制器和数据驱动电路，所述显示控制器与所述光传感器及所述数据驱动电路相连，所述显示控制器根据所述光传感器的检测结果自动调整所述数据驱动电路输出至对应子像素上的数据信号电压。本专利技术实施例提供的薄膜晶体管阵列基板及制作方法，将金属-半导体-金属结构的光传感器集成设置在薄膜晶体管阵列基板上，利用光传感器检测外界光，通过反馈外界光的状况，有针对性的对不同颜色的LED背光亮度进行自动调节，或者对不同颜色子像素上的数据电压信号进行调节来达到降低功耗的效果，无需手动调节，不影响显示效果。而且可以利用普通的TFT制程，同步制作形成金属-半导体-金属结构的光传感器，无需增加额外器件，实现检测外界光和调节背光或子像素电信号一体化，制程简单，实现成本低。附图说明图1为金属-半导体-金属结构(MSM)的光传感器的结构示意图。图2为金属-半导体-金属结构(MSM)的光传感器的光检测原理示意图。图3为本专利技术实施例中薄膜晶体管阵列基板的平面结构示意图。图4为图3中沿薄膜晶体管所在位置的剖面示意图。图5为图3中沿光传感器所在位置的剖面示意图。图6为本专利技术实施例中液晶显示面板的背光控制的模块示意图。图7为本专利技术实施例中液晶显示面板的显示控制的模块示意图。具体实施方式为更进一步阐述本专利技术为达成预定专利技术目的所采取的技术方式及功效，以下结合附图及实施例，对本专利技术的具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。金属-半导体-金属(Metal-Semiconductor-Metal，MSM)结构的光传感器，可以实现将光信号转换为电流信号。如图1与图2所示，在衬底11上形成半导体层12，在半导体层12上沉积形成一对金属电极13、14，即形成金属-半导体-金本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管阵列基板，包括衬底(21)和形成在所述衬底(21)上的扫描线(22)和数据线(27)，所述扫描线(22)与所述数据线(27)交叉限定形成多个子像素(SP)，每个子像素(SP)内形成有薄膜晶体管(23)和像素电极(28)，所述薄膜晶体管(23)包括第一栅极(231)、第一半导体(232)、第一源极(233)和第一漏极(234)，所述第一栅极(231)与所述扫描线(22)相连，所述第一源极(233)和所述第一漏极(234)相互间隔且均与所述第一半导体(232)接触，所述第一源极(233)与所述数据线(27)相连，所述第一漏极(234)与所述像素电极(28)相连，其特征在于，所述衬底(21)上还形成有信号输入线(41)和电流反馈线(42)，每个子像素(SP)内还形成有光传感器(24)，所述光传感器(24)包括第二栅极(241)、第二半导体(242)、第二源极(243)和第二漏极(244)，所述第二栅极(241)不接信号，所述第二源极(243)和所述第二漏极(244)相互间隔且均与所述第二半导体(242)接触，所述第二源极(243)与所述信号输入线(41)相连，所述第二漏极(244)与所述电流反馈线(42)相连。...

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管阵列基板，包括衬底(21)和形成在所述衬底(21)上的扫描线(22)和数据线(27)，所述扫描线(22)与所述数据线(27)交叉限定形成多个子像素(SP)，每个子像素(SP)内形成有薄膜晶体管(23)和像素电极(28)，所述薄膜晶体管(23)包括第一栅极(231)、第一半导体(232)、第一源极(233)和第一漏极(234)，所述第一栅极(231)与所述扫描线(22)相连，所述第一源极(233)和所述第一漏极(234)相互间隔且均与所述第一半导体(232)接触，所述第一源极(233)与所述数据线(27)相连，所述第一漏极(234)与所述像素电极(28)相连，其特征在于，所述衬底(21)上还形成有信号输入线(41)和电流反馈线(42)，每个子像素(SP)内还形成有光传感器(24)，所述光传感器(24)包括第二栅极(241)、第二半导体(242)、第二源极(243)和第二漏极(244)，所述第二栅极(241)不接信号，所述第二源极(243)和所述第二漏极(244)相互间隔且均与所述第二半导体(242)接触，所述第二源极(243)与所述信号输入线(41)相连，所述第二漏极(244)与所述电流反馈线(42)相连。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所有子像素(SP)中的光传感器(24)的第二源极(243)通过所述信号输入线(41)相互连接，相同颜色子像素(SP)中的光传感器(24)的第二漏极(244)通过所述电流反馈线(42)相互连接，不同颜色子像素(SP)中的光传感器(24)的第二漏极(244)相互绝缘且与不同的所述电流反馈线(42)相连。3.如权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述子像素(SP)包括红色子像素(R)、绿色子像素(G)和蓝色子像素(B)，所述电流反馈线(42)包括相互绝缘的第一电流反馈线(42a)、第二电流反馈线(42b)和第三电流反馈线(42c)，所述第一电流反馈线(42a)与位于红色子像素(R)中的光传感器(24)的第二漏极(244)相连，所述第二电流反馈线(42b)与位于绿色子像素(G)中的光传感器(24)的第二漏极(244)相连，所述第三电流反馈线(42c)与位于蓝色子像素(G)中的光传感器(24)的第二漏极(244)相连。4.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板采用双扫描线像素阵列结构，两条相邻数据线(27)之间设有两列子像素(SP)，每条数据线(27)与位于该条数据线(27)两侧的两列子像素(SP)相连，上下相邻两行的子像素(SP)之间设有两条紧邻的扫描线(22)，同一行的子像素(SP)连接在位于该行子像素(SP)上下两侧的两条扫描线(22)上，所述信号输入线(41)设置在两条相邻数据线(27)之间的两列子像素(SP)之间。5.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述扫描线(22)、所述第一栅极(231)和所述第二栅极(241)位于同一层中；所述数据线(27)、所述第一源极(233)、所述第一漏极(234)、所述第二源极(243)、所述第二漏极(244)、所述信号输入线(41)和所述电流反馈线(42)位于同一层中。6.如权利要求5所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述衬底(21)上还形成有栅绝缘层(25)，所述栅绝缘层(25)覆盖所述扫描线(22)、所述第一栅极(231)和所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟德镇，陈尧，
申请(专利权)人：昆山龙腾光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32