阵列基板及其制作方法、以及液晶显示面板技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制作方法、以及液晶显示面板。阵列基板包括：透明基板；栅极线，栅极线设置于透明基板上；触控信号线，触控信号线与栅极线同层设置于透明基板上；介质层，介质层覆盖栅极线和触控信号线且设置有第一通孔；触控电极，触控电极设置于介质层且经第一通孔与触控信号线电连接。通过以上方式，本发明专利技术能够增加存储电容，使得在高分辨率下像素能充足电，同时降低了触控电极与Rx信号线之间的耦合电容。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示
，特别是涉及一种阵列基板及其制作方法、以及液晶显示面板。
技术介绍
触控(Touch)自问世以来已经成为当前手机最主流的功能，可以毫不客气的说，如果一个手机不具备touch功能，就不能称之为手机。Touch技术的分类有单片玻璃制程(One Glass Solution，ogs)，将触摸面板功能嵌入到彩色滤光片基板和偏光板之间(on cell)及将触控面板功能嵌入到液晶像素中(in cell)等，现在开发的In cell Touch技术是将AA区的公共电极(Com)分成小区块作为触控电极，每个触控电极都有接收(Rx)信号线连接到芯片(IC)输出端的引脚(Pin)。这就需要有一层金属充当Rx信号线的功能，将IC输出的信号传输到每个触控电极。而且传统的低温多晶硅技术(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)+触控面板(touch panel，TP)的液晶显示面板的In Cell像素薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)处截面图结构参见图1，Com电极com分成小区块作为触控电极，金属层M3作为Rx信号线，如此，像素电极pixel和Com电极com之间需要存在两层绝缘层，即位于Com电极com和金属层M3之间的绝缘层PV1，以及位于金属层M3和像素电极pixel之间的绝缘层PV2。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种阵列基板及其制作方法、以及液晶显示面板，能够增加存储电容，使得在高分辨率下像素能充足电，同时降低了触控电极与Rx信号线之间的耦合电容。本专利技术提供一种阵列基板，包括：透明基板；栅极线，栅极线设置于透明基板上；触控信号线，触控信号线与栅极线同层设置于透明基板上；介质层，介质层覆盖栅极线和触控信号线且设置有第一通孔；触控电极，触控电极设置于介质层且经第一通孔与触控信号线电连接。其中，触控电极为公共电极和像素电极中的一者或组合。其中，介质层在同一栅极线的两侧分别设置有第一通孔，进而使得公共电极经第一通孔桥接栅极线两侧的触控信号线。其中，阵列基板进一步包括与像素电极同层设置的连接电极，介质层在同一栅极线的两侧进一步分别设置有第二通孔，进而使得连接电极经第二通孔桥接栅极线两侧的触控信号线。其中，像素电极的所在层介于栅极线和触控信号线的所在层与公共电极的所在层之间。其中，阵列基板进一步包括半导体图案层、第一介质层、第二介质层、漏极、源极、第三介质层和第四介质层，其中第一介质层覆盖半导体图案层，栅极线和触控信号线设置于第一介质层上，第二介质层进一步覆盖栅极线和触控信号线，漏极和源极设置于第二介质层上且分别经设置于第一介质层和第二介质层上的第三通孔与半导体图案层的两端电连接，第三介质层覆盖源极和漏极，像素电极设置于第三介质层上且通过设置于第三介质层上的第四通孔与源极和漏极中的一个电连接，第四介质层覆盖像素电极，公共电极设置于第四介质层上。本专利技术还提供一种阵列基板的制作方法，包括：在透明基板上设置栅极线和触控信号线，其中触控信号线与栅极线同层设置于透明基板上；设置覆盖栅极线和触控信号线的介质层，且在介质层上设置有第一通孔；在介质层上设置触控电极，触控电极经第一通孔与触控信号线电连接。其中，触控电极为公共电极和像素电极中的一者或组合。其中，在介质层上设置触控电极，触控电极经第一通孔与触控信号线电连接的步骤包括：设置连接电极与像素电极同层；在介质层上同一栅极线的两侧分别设置第二通孔，进而使得连接电极经第二通孔桥接栅极线两侧的触控信号线。本专利技术还提供一种液晶显示面板，包括彩膜基板、前述阵列基板以及设置于彩膜基板与阵列基板之间的液晶层。通过上述方案，本专利技术的有益效果是：本专利技术通过将触控信号线与栅极线同层设置于透明基板上；介质层覆盖栅极线和触控信号线且设置有第一通孔；触控电极设置于介质层且经第一通孔与触控信号线电连接，能够增加存储电容，使得在高分辨率下像素能充足电，同时降低了触控电极与Rx信号线之间的耦合电容。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：图1是现有技术的液晶显示装置的结构示意图；图2是本专利技术第一实施例的液晶显示面板的结构示意图；图3是本专利技术第一实施例的阵列基板的结构示意图；图4是本专利技术第二实施例的液晶显示面板的结构示意图；图5是本专利技术第二实施例的阵列基板的结构示意图；图6是本专利技术实施例的阵列基板的制作方法的流程示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性的劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。图2是本专利技术第一实施例的液晶显示面板的结构示意图。如图2所示，液晶显示面板10包括阵列基板11、彩膜基板12以及设置于彩膜基板12与阵列基板11之间的液晶层13。彩膜基板12包括玻璃基板120、设置在玻璃基板120上的黑色矩阵121以及滤光膜，滤光膜包括红色滤光膜123、绿色滤光膜124以及蓝色滤光膜125。彩膜基板12还设置有柱状隔垫物，包括主要柱状隔垫物(Main Post Spacer，Main PS)126和辅助柱状隔垫物(Sub Post Spacer，Sub PS)127。柱状隔垫物防止漏光，并且还可以对液晶层13起支撑作用。参见图2和图3，阵列基板11包括：透明基板1100、设置于透明基板1100上的栅极线1101、与栅极线1101同层设置于透明基板1100上的触控信号线1102、覆盖栅极线1101和触控信号线1102的介质层，且介质层上设置有第一通孔1103，以及设置于介质层上且经第一通孔1103与触控信号线1102电连接的触控电极1104。其中，触控电极1104为公共电极。阵列基板11进一步包括半导体图案层1104、第一介质层1105、第二介质层1106、漏极1107、源极1108、第三介质层1109和第四介质层1110。其中第一介质层1105覆盖半导体图案层1104，栅极线1101和触控信号线1102设置于第一介质层1105上，第二介质层1106进一步覆盖栅极线1101和触控信号线1102，漏极1107和源极1108设置于第二介质层1106上且分别经设置于第一介质层1105和第二介质层1106上的第三通孔1111与半导体图案层1104的两端电连接，第三介质层1109覆盖源极1108和漏极1107，像素电极1112设置于第三介质层1109上且通过设置于第三介质层1109上的第四通孔1113与源极1108和漏极1107中的一个电连接，第四介质层1110覆盖像素电极1112，公共电极1114设置于第四介质层1110上。在透明基板1100与半导体图案层1104之间还设置有遮光金属层1115和第五介质层1116。在本专利技术实施例中，栅极线1101和触控信号线1102都是由第一金属(M1)制程制作而成。源极1108和漏极1107是由本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：透明基板；栅极线，所述栅极线设置于所述透明基板上；触控信号线，所述触控信号线与所述栅极线同层设置于所述透明基板上；介质层，所述介质层覆盖所述栅极线和所述触控信号线且设置有第一通孔；触控电极，所述触控电极设置于所述介质层且经所述第一通孔与所述触控信号线电连接。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：透明基板；栅极线，所述栅极线设置于所述透明基板上；触控信号线，所述触控信号线与所述栅极线同层设置于所述透明基板上；介质层，所述介质层覆盖所述栅极线和所述触控信号线且设置有第一通孔；触控电极，所述触控电极设置于所述介质层且经所述第一通孔与所述触控信号线电连接。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述触控电极为公共电极和像素电极中的一者或组合。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述介质层在同一所述栅极线的两侧分别设置有所述第一通孔，进而使得所述公共电极经所述第一通孔桥接所述栅极线两侧的所述触控信号线。4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板进一步包括与所述像素电极同层设置的连接电极，所述介质层在同一所述栅极线的两侧进一步分别设置有第二通孔，进而使得所述连接电极经所述第二通孔桥接所述栅极线两侧的所述触控信号线。5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极的所在层介于所述栅极线和所述触控信号线的所在层与所述公共电极的所在层之间。6.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板进一步包括半导体图案层、第一介质层、第二介质层、漏极、源极、第三介质层和第四介质层，其中所述第一介质层覆盖所述半导体图案层，所述栅极线和所述触控信号线设置于所述第一介质层上，所述第二介质层进一步覆盖...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭香艺，陈归，李亚锋，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42