阵列基板及其制备方法、液晶显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种阵列基板及其制备方法、液晶显示装置。阵列基板包括：衬底基板；位于所述衬底基板上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层、源极、漏极和过孔，且所述漏极或所述源极具有位于所述过孔中的部分，还包括：第一遮光结构，所述第一遮光结构到所述衬底基板的距离小于所述过孔到所述衬底基板的距离，所述第一遮光结构在所述衬底基板上的垂直投影与所述过孔在所述衬底基板上的垂直投影具有重叠的区域，所述第一遮光结构用于减少从所述衬底基板一侧入射且照射到所述漏极或所述源极的光线。本发明专利技术的阵列基板及其制备方法、液晶显示装置，通过设置遮光结构，在不用加宽黑矩阵的情况下解决漏光的问题，具有较高的开口率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总体涉及显示
，具体而言，涉及一种阵列基板及其制备方法、液晶显示装置。
技术介绍
传统液晶显示器的像素结构如图1A、1B、1C所示，具体地，图1A为传统液晶显示器像素结构俯视示意图，图1B为图1A沿虚线100的剖面示意图，图1C为图1A沿虚线110的剖面示意图。结合图1A、1B、1C，TFT基板1与彩膜基板2通过贴合形成显示器，支撑柱11通常设计放置在水平黑矩阵12与垂直黑矩阵13的交叉处，并且位于TFT基板1上两相邻晶体管之间。TFT基板还包括数据线14和扫描线15，数据线14和扫描线15垂直交叉形成的区域为像素区域16。显示器沿虚线100、110的剖面示意图如图1B、1C所示，液晶显示器包括薄膜晶体管17、支撑柱11，沿110横俯视为像素区域16。图2为源/漏极金属电极示意图。如图2所示，层间绝缘层的过孔22侧壁有一定的角度，源/漏极金属电极23附着在过孔22侧壁上，其中层间绝缘层由两层介质组成，分别是氧化硅层211和氮化硅层212。当光线照射过来时，侧壁上的源/漏极金属电极23会对光线产生反射作用，对于情况①，部分光线直接反射向上射出；对于情况②，部分光线向下反射后在氧化硅层211和氮化硅层212之间的界面再次发生反射，向上射出，向上反射的光线与沿直线射出的光线发生干涉，光线偏振态发生变化。可以看出，两种情况下，光线都没有沿直线行进，导致位于彩膜基板的水平黑矩阵12无法遮住出射的光线。如果黑矩阵的宽度不够宽，则其不足以遮挡漏光区域，在暗态情况下会发生漏光现象，导致对比度下降。为解决此漏光问题，通常需要增大黑矩阵的宽度，同时还要考虑到TFT基板与彩膜基板贴合对组的误差，黑矩阵可能因错位而无法遮住漏光，由此黑矩阵还需进一步增大，从而导致开口率降低。因此，针对上述问题需要一种新的阵列基板。在所述
技术介绍
部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本专利技术提供一种阵列基板及其制备方法、液晶显示装置，能够解决漏光问题。本专利技术的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本公开的实践而习得。根据本专利技术的第一方面，一种阵列基板，包括：衬底基板；位于所述衬底基板上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层、源极、漏极和过孔，且所述漏极或所述源极具有位于所述过孔中的部分，其特征在于，还包括：第一遮光结构，所述第一遮光结构到所述衬底基板的距离小于所述过孔到所述衬底基板的距离，所述第一遮光结构在所述衬底基板上的垂直投影与所述漏极或所述源极在所述衬底基板上的垂直投影之间的距离小于或等于3微米。根据本专利技术的一实施方式，所述第一遮光结构在所述衬底基板上的垂直投影与所述过孔在所述衬底基板上的垂直投影具有重叠的区域。根据本专利技术的一实施方式，所述过孔包括第一过孔和第二过孔，所述源极具有位于所述第一过孔中的部分，所述漏极具有位于所述第二过孔中的部分，在所述第一过孔和所述第二过孔与所述衬底基板之间分别设置有所述第一遮光结构。根据本专利技术的一实施方式，所述第一遮光结构为多边形或半圆形。根据本专利技术的一实施方式，所述过孔在所述衬底基板上的垂直投影位于所述第一遮光结构在所述衬底基板上的垂直投影区域内。根据本专利技术的一实施方式，所述有源层为多晶硅。根据本专利技术的一实施方式，还包括第二遮光结构，所述第二遮光结构设置在所述有源层靠近所述衬底基板的一侧，所述第二遮光结构在所述衬底基板上的垂直投影与所述有源层在所述衬底基板上的垂直投影具有重叠区域，所述第二遮光结构在所述衬底基板上的垂直投影与所述第一遮光结构在所述衬底基板上的垂直投影不相重叠。根据本专利技术的一实施方式，所述第一遮光结构和所述第二遮光结构位于同一层。根据本专利技术的一实施方式，所述有源层包括沟道区，所述沟道区为U型。根据本专利技术的一实施方式，所述第一遮光结构是金属材料或者黑色树脂材料。根据本专利技术的一实施方式，还包括缓冲层，所述第一遮光结构设置在所述缓冲层靠近所述衬底基板的一侧。根据本专利技术的一实施方式，所述阵列基板还包括相互交叉且绝缘设置的数据线和扫描线，且所述数据线复用为所述漏极。根据本专利技术的一实施方式，所述第一遮光结构与所述扫描线位于同一层。根据本专利技术的第二方面，一种如上所述的阵列基板的制备方法，包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上形成第一遮光结构；在所述衬底基板上形成薄膜晶体管；其中，所述薄膜晶体管包括有源层、源极、漏极和过孔，且所述漏极或所述源极具有位于所述过孔中的部分；所述第一遮光结构到所述衬底基板的距离小于所述过孔到所述衬底基板的距离，所述第一遮光结构在所述衬底基板上的垂直投影与所述漏极或所述源极在所述衬底基板上的垂直投影之间的距离小于或等于3微米。根据本专利技术的第三方面，一种液晶显示装置，包括如上所述的阵列基板，与所述阵列基板相对设置的彩膜基板，以及位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层。本专利技术的阵列基板及其制备方法、液晶显示装置，在过孔和衬底基板之间设置遮光结构，且第一遮光结构在衬底基板上的垂直投影与漏极或源极在衬底基板上的垂直投影之间的距离小于或等于3微米，能够遮挡以漏极或源极为中心、距离漏极或源极3微米范围内的部分或者全部光线，减少过孔中的源/漏金属电极反射光线造成的漏光现象，在不用加宽黑矩阵的情况下解决漏光的问题，具有较高的开口率。附图说明通过参照附图详细描述其示例实施例，本专利技术的上述和其它目标、特征及优点将变得更加显而易见。图1A为传统液晶显示器像素结构俯视示意图。图1B为图1A沿虚线100的剖面示意图。图1C为图1A沿虚线110的剖面示意图。图2为源/漏极金属电极示意图。图3A示意性示出根据本专利技术示例实施方式的一阵列基板中衬底基板的剖面示意图。图3B示意性示出图3A的俯视示意图。图3C示意性示出根据本专利技术示例实施方式的一阵列基板中衬底基板的剖面示意图。图3D示意性示出图3C的俯视示意图。图4A示意性示出根据本专利技术示例实施方式的另一阵列基板中衬底基板的剖面示意图。图4B示意性示出图4A的俯视示意图。图5示意性示出根据本专利技术示例实施方式的一阵列基板中衬底基板的俯视示意图。图6示意性示出根据本专利技术示例实施方式的一阵列基板中衬底基板的俯视示意图。图7示意性示出根据本专利技术示例实施方式的一阵列基板中衬底基板的俯视示意图。图8示意性示出根据本专利技术示例实施方式的一阵列基板的制备方法的流程图。具体实施方式现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施方式使得本公开将更加全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。附图仅为本专利技术的示意性图解，并非一定是按比例绘制。图中相同的附图标记表示相同或类似的部分，因而将省略对它们的重复描述。此外，所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本专利技术的实施方式的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本专利技术的技术方案而省略所述特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、装置、步骤等。在其它情况下，不详细示出或描述公知结构、方法、装置、实现、材料或者操本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括：衬底基板；位于所述衬底基板上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层、源极、漏极和过孔，且所述漏极或所述源极具有位于所述过孔中的部分，其特征在于，还包括：第一遮光结构，所述第一遮光结构到所述衬底基板的距离小于所述过孔到所述衬底基板的距离，所述第一遮光结构在所述衬底基板上的垂直投影与所述漏极或所述源极在所述衬底基板上的垂直投影之间的距离小于或等于3微米。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括：衬底基板；位于所述衬底基板上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层、源极、漏极和过孔，且所述漏极或所述源极具有位于所述过孔中的部分，其特征在于，还包括：第一遮光结构，所述第一遮光结构到所述衬底基板的距离小于所述过孔到所述衬底基板的距离，所述第一遮光结构在所述衬底基板上的垂直投影与所述漏极或所述源极在所述衬底基板上的垂直投影之间的距离小于或等于3微米。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一遮光结构在所述衬底基板上的垂直投影与所述过孔在所述衬底基板上的垂直投影具有重叠的区域。3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述过孔包括第一过孔和第二过孔，所述源极具有位于所述第一过孔中的部分，所述漏极具有位于所述第二过孔中的部分，在所述第一过孔和所述第二过孔与所述衬底基板之间分别设置有所述第一遮光结构。4.如权利要求1-3任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一遮光结构为多边形或半圆形。5.如权利要求1-3任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述过孔在所述衬底基板上的垂直投影位于所述第一遮光结构在所述衬底基板上的垂直投影区域内。6.如权利要求1-3任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层为多晶硅。7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，还包括第二遮光结构，所述第二遮光结构设置在所述有源层靠近所述衬底基板的一侧，所述第二遮光结构在所述衬底基板上的垂直投影与所述有源层在所述衬底基板上的垂直投影具有重叠区域，所述第二遮光结...

【专利技术属性】
技术研发人员：文亮，
申请(专利权)人：厦门天马微电子有限公司，天马微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35