阵列基板、显示面板、显示装置及显示面板的设计方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种阵列基板、显示面板、显示装置及显示面板的设计方法，该阵列基板包括多个像素单元，每一像素单元包括多个子像素，其中，每一子像素包括一像素电极，每一所述像素电极包括呈梳齿状的多个条状子像素电极，一个所述像素单元的多个子像素中，存在至少两个子像素，所述至少两个子像素的条状子像素电极的宽度不同，和/或，所述至少两个子像素的条状子像素电极的间距不同。即针对像素单元中的不同子像素，可以设计不同的条状子像素电极的宽度和/或所述条状子像素电极的间距，以根据需要提高子像素的透过率，增加色彩调节的动态范围，提高色彩饱和度，使得包含该阵列基板的显示装置画质更佳。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板、显示面板、显示装置及显示面板的设计方法。
技术介绍
目前平板显示器中的主流之一是薄膜晶体管液晶显示(TFT-LCD)面板，具有体积小、功耗低、无辐射、制造成本低等优点。随着显示行业的发展和人民物质水平的提高，对显示的要求也越来越高，对画质和色彩饱和度的要求也更加苛刻。传统的液晶显示面板具有多个呈矩阵式排列的像素，每一像素又包括红(R)、绿(G)、蓝(B)三个子像素。由于现有技术中所采用的R、G、B彩色滤光片都是吸收型色层，当光线入射时，只有相应颜色的光才能透过，而另外两种颜色的光均被吸收，使得显示面板的透光率较低，且R、G、B子像素本身的透过率高低不一。由此，出现了在一个像素内形成红、绿、蓝、白(White，W)四个子像素的显示技术。其中，W子像素不添加色层，通过控制其对应的灰阶来控制该W子像素的透光量，可以提高显示面板的透光率。目前，具有RGBW四个子像素的液晶显示面板已经在LCD显示器中广泛使用，但该类显示面板由于W子像素的加入，导致人眼观察到的彩色画面的色彩饱和度(Color Saturation)降低，色彩不够鲜艳，且显示的画面出现泛白的状况。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种阵列基板、显示面板、显示装置及显示面板的设计方法，用于解决现有的显示面板色彩饱和度低的问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种阵列基板，包括多个像素单元，每一像素单元包括多个子像素，其中，每一子像素包括一像素电极，每一所述像素电极包括呈梳齿状的多个条状子像素电极，一个所述像素单元的多个子像素中，存在至少两个子像素，所述至少两个子像素的条状子像素电极的宽度W不同，和/或，所述至少两个子像素的条状子像素电极的间距S不同。优选地，所述至少两个子像素中的条状子像素电极的条数不同。优选地，一个所述像素单元的多个子像素中，存在至少一个子像素，所述至少一个子像素中的所述条状子像素电极的宽度W和所述条状子像素电极的间距S的比例小于1。优选地，一个所述像素单元的多个子像素中至少包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。优选地，一个所述像素单元的多个子像素中还包括白色子像素。优选地，所述红色子像素的条状子像素电极的间距大于所述绿色子像素的条状子像素电极的间距，所述蓝色子像素的条状子像素电极的间距小于所述绿色子像素的条状子像素电极的间距。优选地，所述白色子像素的条状子像素电极的间距等于所述绿色子像素的条状子像素电极的间距，且所述白色子像素的条状子像素电极的宽度等于所述绿色子像素的条状子像素电极的宽度。优选地，包含所述阵列基板的显示面板的光程差为275，所述红色子像素和蓝色子像素的条状子像素电极的宽度小于所述绿色子像素的条状子像素电极的宽度。本专利技术还提供一种显示面板，包括上述阵列基板。优选地，所述显示面板的透过率大于预设阈值。本专利技术还提供一种显示装置，包括上述显示面板。本专利技术还提供一种显示面板的设计方法，所述显示面板包括阵列基板，所述阵列包括多个像素单元，每一像素单元包括多个子像素，其中，每一子像素包括一像素电极，每一所述像素电极包括呈梳齿状的多个条状子像素电极，所述方法包括：测试步骤：对显示面板的透过率进行测试，判断所述显示面板的透过率是否达到预设阈值；确定步骤：当所述显示面板的透过率达到预设阈值时，将当前显示面板作为标准显示面板；调整步骤：当所述显示面板的透过率未达到预设阈值时，调整所述阵列基板的像素单元中的至少一个子像素的条状子像素电极的宽度W，和/或，调整至少一个子像素的所述条状子像素电极的间距S，之后返回所述测试步骤。本专利技术的上述技术方案的有益效果如下：针对像素单元中的不同子像素，可以设计不同的条状子像素电极的宽度W和/或所述条状子像素电极的间距S，以根据需要提高子像素的透过率，增加色彩调节的动态范围，提高色彩饱和度，使得包含该阵列基板的显示装置画质更佳。附图说明图1为现有技术中的一ADS模式的阵列基板的结构示意图；图2为图1中的像素电极的剖面示意图；图3是ADS模式的显示面板中的条状子像素电极的间距S固定，条状子像素电极的宽度W不同时的透过率模拟曲线示意图；图4、图5和图6，分别是ADS模式的显示面板中的条状子像素电极的宽度W固定，条状子像素电极的间距S不同时的透过率模拟曲线示意图；图7为一显示面板中的R、G、B子像素在不同光程差下的透过率曲线示意图；图8为本专利技术实施例的阵列基板的一结构示意图。具体实施方式请参考图1，图1为现有技术中的一ADS模式的阵列基板的结构示意图，该阵列基板包括：多条栅线102和多条数据线104，所述栅线102和数据线104交叉设置，并限定出多个像素单元，每一像素单元包括红色(R)子像素、绿色(G)子像素、蓝色(B)子像素和白色(W)子像素，每一子像素包括公共电极101、像素电极105以及薄膜晶体管，图1中，103为薄膜晶体管的有源层。像素电极105包括呈梳齿状的多个条状子像素电极，以增加边缘场效果。请参考图2，图2为图1中的像素电极的剖面示意图。其中，条状子像素电极的宽度W和条状子像素电极的间距S是决定包含该阵列基板的显示面板的透过率的重要参数，下面以具体实验来说明。请参考图3，图3是ADS模式的显示面板中的条状子像素电极的间距S固定，条状子像素电极的宽度W不同时的透过率模拟曲线示意图，图3中，横坐标为条状子像素电极的间距S，单位为μm，纵坐标为显示面板的透过率T，图3中包括W分别为3μm，4μm和5μm时显示面板的透过率模拟曲线，从图3中可以看出，在条状子像素电极的间距S固定的情况下，条状子像素电极的宽度W的值越大，透过率越低。请参考图4、图5和图6，分别是ADS模式的显示面板中的条状子像素电极的宽度W固定，条状子像素电极的间距S不同时的透过率模拟曲线示意图。图4、图5和图6中，横坐标为加载至像素电极的电压，纵坐标为显示面板的透过率T。图4是当条状子像素电极的宽度W为3μm时，分别对条状子像素电极的间距S＝5μm、6μm、7μm的显示面板施加6.5V、7.5V、8V的像素电压时，显示面板的透过率曲线示意图，从图4中可以看出，条状子像素电极的间距S＝6μm的显示面板的透过率全面优于S＝5μm和S＝7μm的显示面板的透过率，且条状子像素电极的间距S＝6μm的显示面板的透过率对像素电压的变化趋势也比较稳定。当条状子像素电极的间距S＝5μm时，显示面板的透过率随电压变化过大，可能会引起反转问题。当条状子像素电极的间距为7μm时，显示面板的透过率比6μm时低10％左右。图5是当条状子像素电极的宽度W为3.5μm时，分别对条状子像素电极的间距S＝5μm、6μm、7μm的显示面板施加6.5V、7.5V、8V的像素电压时，显示面板的透过率曲线示意图，从图5中可以看出，条状子像素电极的间距S＝7μm时透过率最高，同时也比较稳定。图6是当条状子像素电极的宽度W为4μm时，分别对条状子像素电极的间距S＝5μm、6μm、7μm的显示面板施加6.5V、7.5V、8V的像素电压时，显示面板的透过率曲线示意图，从图6中可以看出，条状子像素电极的间距S＝7μm的显示面板的透过率全面优于S＝5μm和S＝6μm的显示面板的透过率。显示面板中的每一子像素的透过率的计算公式可以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括多个像素单元，每一像素单元包括多个子像素，其中，每一子像素包括一像素电极，每一所述像素电极包括呈梳齿状的多个条状子像素电极，其特征在于，一个所述像素单元的多个子像素中，存在至少两个子像素，所述至少两个子像素的条状子像素电极的宽度不同，和/或，所述至少两个子像素的条状子像素电极的间距不同。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括多个像素单元，每一像素单元包括多个子像素，其中，每一子像素包括一像素电极，每一所述像素电极包括呈梳齿状的多个条状子像素电极，其特征在于，一个所述像素单元的多个子像素中，存在至少两个子像素，所述至少两个子像素的条状子像素电极的宽度不同，和/或，所述至少两个子像素的条状子像素电极的间距不同。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述至少两个子像素中的条状子像素电极的条数不同。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，一个所述像素单元的多个子像素中，存在至少一个子像素，所述至少一个子像素中的所述条状子像素电极的宽度和所述条状子像素电极的间距的比例小于1。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，一个所述像素单元的多个子像素中至少包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，一个所述像素单元的多个子像素中还包括白色子像素。6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述红色子像素的条状子像素电极的间距大于所述绿色子像素的条状子像素电极的间距，所述蓝色子像素的条状子像素电极的间距小于所述绿色子像素的条状子像素电极的间距。7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述白色子像素的条状子像素电极的间距等于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：高吉磊，刘金良，张杨，蒋学兵，孙松梅，
申请(专利权)人：合肥鑫晟光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34