显示面板及显示装置制造方法及图纸

技术编号:41209611 阅读:17 留言:0更新日期:2024-05-09 23:31
本发明专利技术公开了一种显示面板及显示装置;其中,对置基板与阵列基板相对设置;支撑柱设置于阵列基板和对置基板之间;其中,阵列基板包括第一衬底、设置于第一衬底靠近对置基板一侧的薄膜晶体管层、设置于薄膜晶体管层靠近对置基板一侧的第一隔垫结构、设置于第一隔垫结构靠近对置基板一侧的间隔层、开设于间隔层中并位于第一隔垫结构靠近对置基板一侧的第一开孔、以及第二隔垫结构,第二隔垫结构填充于第一开孔并凸出于间隔层靠近对置基板一侧的表面,支撑柱设置于对置基板和第二隔垫结构之间,第一开孔的深度小于间隔层的厚度;本发明专利技术可以避免支撑柱划伤膜层,可以避免第二隔垫结构产生蚀刻残留,进一步提高了显示面板的良品率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示,尤其涉及一种显示面板及显示装置


技术介绍

1、液晶显示面板由彩膜基板、薄膜晶体管基板、夹于彩膜基板与薄膜晶体管基板之间的液晶及密封胶框组成。其中,液晶显示面板还包括维持盒厚的隔垫物。

2、但是,由于支撑或者使用过程导致隔垫物发生移动,容易使得隔垫物划伤液晶显示面板内的膜层,进而影响显示效果。


技术实现思路

1、本专利技术实施例提供一种显示面板及显示装置,能够避免支撑柱划伤膜层,提高第二隔垫结构的良品率。

2、本专利技术实施例提供一种显示面板,其包括:

3、阵列基板;

4、对置基板,与所述阵列基板相对设置;

5、支撑柱,设置于所述阵列基板和所述对置基板之间;

6、其中,所述阵列基板包括第一衬底、设置于所述第一衬底靠近所述对置基板一侧的薄膜晶体管层、设置于所述薄膜晶体管层靠近所述对置基板一侧的第一隔垫结构、设置于所述第一隔垫结构靠近所述对置基板一侧的间隔层、开设于所述间隔层中并位于所述第一隔垫结构靠近所述对置基板一侧的第本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种显示面板,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述间隔层包括设置于所述薄膜晶体管层远离所述第一衬底一侧的色阻层以及覆盖所述色阻层的平坦层,所述色阻层包括多个色阻块,所述第一隔垫结构和所述第二隔垫结构设置于相邻的所述色阻块之间,所述第一开孔开设于所述平坦层中。

3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述对置基板包括第二衬底以及设置于所述第二衬底靠近所述阵列基板一侧的黑色矩阵层,所述第一隔垫结构和所述第二隔垫结构在所述第二衬底上正投影位于所述黑色矩阵层在所述第二衬底上的正投影内。

4.根据权利要求3所述的显示面...

【技术特征摘要】

1.一种显示面板,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述间隔层包括设置于所述薄膜晶体管层远离所述第一衬底一侧的色阻层以及覆盖所述色阻层的平坦层,所述色阻层包括多个色阻块,所述第一隔垫结构和所述第二隔垫结构设置于相邻的所述色阻块之间,所述第一开孔开设于所述平坦层中。

3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述对置基板包括第二衬底以及设置于所述第二衬底靠近所述阵列基板一侧的黑色矩阵层,所述第一隔垫结构和所述第二隔垫结构在所述第二衬底上正投影位于所述黑色矩阵层在所述第二衬底上的正投影内。

4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述支撑柱设置于所述黑色矩阵层远离所述第二衬底的一侧,并位于所述黑色矩阵层和所述第二隔垫结构之间。

5.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述阵列基板还包括设置于所述色阻层远离所述薄膜晶体管层一侧的遮光层,所述遮光层包括沿第一方向排列且沿第二方向延伸的多个第一遮光部,所述第一方向与所述第二方向相交,所述黑色矩阵层包括沿所述第二方向排列且沿所述第一方向延伸的多个第二遮光部,且多个所述第一遮光部和多个所述第二遮光部相交叉以限定出多个子像素区,多个所述色阻块设置于多个所述子像素区内。

6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述遮光层的材料为导电材料,或者,所述遮光层的材料与所述黑色矩阵层的材料相同。

7.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述薄膜晶体管层包括沿所述第一方向排列且沿所述第二方向延伸的多条数据线、以及沿所述第二方向排列且沿所述第一方向延伸的多条扫描线,且所述数据线在所述第一衬底上的正投影位于所述第一遮光部在所述第一衬底上的正投影内,所述扫描线在所述第一衬底上的正投影位于所述第二遮光部在所述第一衬底上的正投影内。

8.根据权利要求5至7任一项所述的显示面板,其特征在于,所述阵列基板还包括设置于所述薄膜晶体管层和所述间隔层之间的第三隔垫结构、开设于所述间隔层中并位于所述第三隔垫结构靠近所述对置基板一侧的第二开孔、以及第四隔垫结构,且所述第四隔垫结构填充于所述第二开孔内...

【专利技术属性】
技术研发人员:马涛梅新东宋德伟龙时宇
申请(专利权)人:武汉华星光电技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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