【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于光刻
,具体涉及一种曝光基台及其制备方法、曝光机。
技术介绍
光刻技术广泛应用于TFT-LCD及LED电子显示行业,随着科技发展,大尺寸玻璃基板对光刻技术要求越来越高。其中,曝光基台的平整度及合理设计至关重要,关系到显示装置成品画质的优劣。现有曝光机基台表面一般进行了阳极氧化处理(Anodizing),其表面形成有用于分区的多个支撑部(或称浮雕),浮雕的作用是:玻璃基板在基台上受到的吸附力分区控制,以使玻璃基板受力均匀;保证其平坦度,以减少玻璃基板变形;同时也减小了玻璃基板与基台之间的接触面积,避免二者接触面积过大在接触处形成真空区而导致玻璃基板难搬用等问题。专利技术人发现现有技术中至少存在如下问题:如图1所示,现有的基台本体1为金属材质,光滑的金属表面有一层反光层2,反光层2上的浮雕图案3与平坦的反光层2的反光效果迥异,导致曝光后,浮雕图案3在经过曝光工艺后,常常会导致在基板4的光刻胶5上形成相应的色差图案(Stage mura),特别是基台表面磨损后,基台平整度产生差异,色差图案将更加严重(色差产生原理如图1所示)。色差图案不良常常导致显 ...
【技术保护点】
一种曝光基台,其特征在于,包括:基台本体;设于所述基台本体上第一膜层;设于所述第一膜层上的多个支撑部,用于与基板接触并支撑基板;其中,所述第一膜层和所述支撑部均由低反射率材料构成。
【技术特征摘要】
1.一种曝光基台,其特征在于,包括:基台本体;设于所述基台本体上第一膜层;设于所述第一膜层上的多个支撑部,用于与基板接触并支撑基板;其中,所述第一膜层和所述支撑部均由低反射率材料构成。2.根据权利要求1所述的曝光基台,其特征在于,所述低反射率材料的反射率为5%-40%。3.根据权利要求1所述的曝光基台,其特征在于,所述第一膜层由吸光树脂材料构成,所述支撑部由透明树脂材料构成。4.根据权利要求3所述的曝光基台,其特征在于,所述第一膜层吸光率为75%-91%。5.根据权利要求1所述的曝光基台,其特征在于,所述第一膜层的厚度为4-7μm。6.根据权利要求1所述的曝光基台,其特征在于,在垂直于所述第一膜层的方向上所述支撑部的尺寸为10-12μm。7.根据权利要求1所述的曝光基台,其特征在于,所述第一膜层的原料包括:聚酰亚胺预聚物、环氧树脂、溶剂,以及紫外光吸收剂。8.根据权利要求7所述的曝光基台,其特征在于,所述聚酰亚胺预聚物的分子量为800-1200,所述环氧树脂的环氧值为0.41-0.54eq/100g,所述聚酰亚胺预聚物、环氧树脂、紫外光吸收剂、溶剂的质量比为(13-18):(2-3)(0.5-1.5):(75-80)。9.根据权利要求7所述的曝光基台,其特征在于,所述第一膜层的原料还包括表面活性剂、抗老化剂、耐磨剂中的任意一种或几种。10.根据权利要求9所述的曝光基台,其特征在于,所述聚酰亚胺预聚物、表面活性剂、抗老化剂、耐磨剂的质量比为(13-18):(0.05-1):(0.04-0.05):(1-...
【专利技术属性】
技术研发人员:蒋盛超,孟庆勇,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,合肥京东方光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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