一种发光二极管芯片及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管芯片包括依次层叠的N型电流扩展层、N型限制层、多量子阱层、P型限制层、P型电流扩展层，所述发光二极管芯片还包括非吸光衬底、AB胶、以及硅化物薄膜，所述硅化物薄膜层叠在所述P型电流扩展层上，所述AB胶涂覆在所述非吸光衬底上，所述非吸光衬底和所述P型电流扩展层之间通过所述AB胶和所述硅化物薄膜键合。本发明专利技术通过AB胶和硅化物薄膜实现非吸光衬底与LED外延片的键合，采用非吸光衬底替代GaAs衬底，避免由于衬底吸光造成LED芯片亮度较低，提高了LED芯片的发光亮度，可以满足用户需求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种发光二极管芯片及其制备方法。
技术介绍
作为目前全球最受瞩目的新一代光源，发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)因其高亮度、低热量、长寿命、无毒、可回收再利用等优点，被称为是21世纪最有发展前景的绿色照明光源。目前的红黄光LED芯片包括GaAs衬底、以及依次层叠在GaAs衬底上的N型电流扩展层、N型限制层、多量子阱层、P型限制层、P型电流扩展层。在实现本专利技术的过程中，专利技术人发现现有技术至少存在以下问题：GaAs衬底会吸光，造成芯片亮度较低，无法满足用户需求。
技术实现思路
为了解决现有技术芯片亮度较低的问题，本专利技术实施例提供了一种发光二极管芯片及其制备方法。所述技术方案如下：一方面，本专利技术实施例提供了一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括依次层叠的N型电流扩展层、N型限制层、多量子阱层、P型限制层、P型电流扩展层，所述发光二极管芯片还包括非吸光衬底、AB胶、以及硅化物薄膜，所述硅化物薄膜层叠在所述P型电流扩展层上，所述AB胶涂覆在所述非吸光衬底上，所述非吸光衬底和所述P型电流扩展层之间通过所述AB本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括依次层叠的N型电流扩展层、N型限制层、多量子阱层、P型限制层、P型电流扩展层，其特征在于，所述发光二极管芯片还包括非吸光衬底、AB胶、以及硅化物薄膜，所述硅化物薄膜层叠在所述P型电流扩展层上，所述AB胶涂覆在所述非吸光衬底上，所述非吸光衬底和所述P型电流扩展层之间通过所述AB胶和所述硅化物薄膜键合。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括依次层叠的N型电流扩展层、N型限制层、多量子阱层、P型限制层、P型电流扩展层，其特征在于，所述发光二极管芯片还包括非吸光衬底、AB胶、以及硅化物薄膜，所述硅化物薄膜层叠在所述P型电流扩展层上，所述AB胶涂覆在所述非吸光衬底上，所述非吸光衬底和所述P型电流扩展层之间通过所述AB胶和所述硅化物薄膜键合。2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述非吸光衬底为蓝宝石衬底、硅衬底、玻璃衬底中的任一种。3.一种发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：在GaAs衬底上依次生长N型电流扩展层、N型限制层、多量子阱层、P型限制层、P型电流扩展层；在所述P型电流扩展层上沉积硅化物薄膜；将A胶和B胶均匀混合形成AB胶，并抽取所述AB胶中的气泡；将所述AB胶旋涂在非吸光衬底上；将所述硅化物薄膜和所述AB胶键合；去除所述GaAs衬底。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述将所述硅化物薄膜和所述AB胶键合，包括：将所述硅化物薄膜和所述AB胶相对地贴合在一起；将键合机保持在0kg压力、常温、真空状态下120s；将键合机保持在200kg压力、100℃、真空状态下600s；将键合机保持在200kg压力、150℃、真空状态下1800s。5.根据权利要求3或4所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：在所述硅化物薄膜上涂覆一层光刻胶；对所述光刻胶进行曝光和显影，形成设定图形的所述光刻胶；在所述光刻胶的保护下，在所述硅化物薄膜上形成延伸至所述GaAs衬底的切割道；剥离所述光刻胶。6.一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括依次层叠的N型电流扩展层、N型限制层、多量子阱层、P型限制层、P型电流扩展层，其特征在于，所述发光二极管芯片还包括非吸光衬底、AB胶、以及硅化物薄膜，所述硅化物...

【专利技术属性】
技术研发人员：高百卉，林晓文，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33