III族氮化物半导体发光器件及其制造方法技术

提供了一种III族氮化物半导体发光器件及其制造方法，在该III族氮化物半导体发光器件中，抑制了穿透位错对电子和空穴的俘获。该发光器件包括n型半导体层、在n型半导体层上的发光层、在发光层上的p型半导体层。发光器件具有从n型半导体层延伸至p型半导体层的多个凹坑。n型半导体层包括n侧防静电击穿层。n侧防静电击穿层包括：n型GaN层，该n型GaN层包括凹坑的起始点；以及ud-GaN层，该ud-GaN层被设置成与n型GaN层相邻并包括凹坑的一部分。n型GaN层和ud-GaN层中的至少之一具有In掺杂层。In掺杂层的In组成比大于0且不大于0.0035。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及III族氮化物半导体发光器件及其制造方法，更具体地，涉及用于制造具有凹坑(pit)的III族氮化物半导体发光器件的方法。
技术介绍
III族氮化物半导体发光器件包括：发光层，该发光层通过电子与空穴的复合来发射光；n型半导体层；以及p型半导体层。当制造III族氮化物半导体发光器件时，在衬底上外延生长半导体层。在这种情况下，由于衬底与半导体层之间的晶格失配，在半导体层中会出现穿透位错。在穿透位错中，发生电子与空穴的非发光复合。非发光复合是指电子与空穴的不产生光而产生热的复合。因此，存在于穿透位错附近的电子可以引起在穿透位错处的非发光复合。非发光复合发生得越频繁，半导体发光器件产生热就越多。产生的热量使半导体发光器件的发光效率降低。因此，已经开发了抑制穿透位错中的非发光复合的技术。例如，专利文件1公开了由于n型GaN层上的穿透位错而产生凹坑的技术(参考专利文件1的[0014]至[0016]段)。在该技术中，使用AlGaN势垒层来填充凹坑。因此，AlGaN势垒层用作势垒，使得电子和空穴几乎不到达穿透位错(参考专利文件1的[0016]段)。因此，该半导体发光器件表现出高的发光效本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种III族氮化物半导体发光器件，包括n型半导体层、在所述n型半导体层上的发光层、在所述发光层上的p型半导体层，其中存在从所述n型半导体层延伸至所述p型半导体层的多个凹坑；所述n型半导体层包括：第一半导体层，所述第一半导体层包括所述凹坑的起始点；以及第二半导体层，所述第二半导体层设置成与所述第一半导体层相邻并且包括所述凹坑的一部分；所述第一半导体层和所述第二半导体层中的至少之一具有III族氮化物半导体的In掺杂层；并且所述In掺杂层的In组成比大于0且不大于0.0035。

【技术特征摘要】
2015.03.06 JP 2015-0449971.一种III族氮化物半导体发光器件，包括n型半导体层、在所述n型半导体层上的发光层、在所述发光层上的p型半导体层，其中存在从所述n型半导体层延伸至所述p型半导体层的多个凹坑；所述n型半导体层包括：第一半导体层，所述第一半导体层包括所述凹坑的起始点；以及第二半导体层，所述第二半导体层设置成与所述第一半导体层相邻并且包括所述凹坑的一部分；所述第一半导体层和所述第二半导体层中的至少之一具有III族氮化物半导体的In掺杂层；并且所述In掺杂层的In组成比大于0且不大于0.0035。2.根据权利要求1所述的III族氮化物半导体发光器件，其中所述n型半导体层包括n侧防静电击穿层；所述n侧防静电击穿层包括所述第一半导体层和所述第二半导体层；所述第一半导体层是n型GaN层；以及所述第二半导体层是ud-GaN层。3.根据权利要求1所述的III族氮化物半导体发光器件，其中所述第一半导体层掺杂有Si，所述第二半导体层未掺杂有Si。4.根据权利要求1所述的III族氮化物半导体发光器件，其中所述In掺杂层的In组成比大于0.001且不大于0.003。5.根据权利要求1所述的III族氮化物半导体发光器件，其中所述In掺杂层起始于在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的界面下方5nm至50nm的点。6.根据权利要求1至5中的任一项所述的III族氮化物半导体发光器件，其中所述第一半导体层和所述第二半导体层具有其中形成有所述凹坑的凹坑形成区域；所述凹坑形成区域包括通过将所述凹坑形成区域在厚度方向...

【专利技术属性】
技术研发人员：斋藤义树，坊山美乡，
申请(专利权)人：丰田合成株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP