一种不可见光发光二极管及其制作方法技术
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了，所述发光二极管包括：N型欧姆接触半导体层、N型电流扩散层、N?GaAs可见光吸收层、N型覆盖层、发光层、P型覆盖层和P型欧姆接触半导体层。本专利技术所述不可见光发光二极管采用GaAs作为吸收层，在电流密度>1A/mm2情况下，可以完全有效的去除可见光部分，尤其是在3A/mm2电流密度以下都没看到可见光部分，有效解决了不可见光发光二极管的红爆现象。【专利说明】-种不可见光发光二极管及其制作方法
本专利技术属于光电子
，特别设及不可见光发光二极管及其制作方法。
技术介绍
目前不可见光发光二极管忍片普遍存在红爆现象:在点亮时使用人眼观察忍片发 光状况，会看到部分深红光从忍片发出，造成在应用上需要无红爆纯红外光需求上受到限 审IJ，所W市场目前需要一无可见光的不可见光忍片。中国专利申请公开案CN1758457A公开了 一种红外发光二极管，由于光吸收层的带 隙比有源层的带隙宽，能够借助吸收福射光谱中较短波长一侧的边缘处的分量来减少红光 分量的效果。然而该结构仍有一问题：因为光吸收层的厚度需在0.1 umW上，而厚度太大时 又...
【技术保护点】
一种不可见光发光二极管，依次包括：电流扩散层、GaAs可见光吸收层、第一类型覆盖层、发光层、第二类型覆盖层，当发光层的输入电流密度≥1 A/mm2时，所述发光二极管的可见光比例＜0.2%。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：吴超瑜，吴俊毅，黄俊凯，王笃祥，
申请(专利权)人：天津三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：天津;12
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