一种倒装近深紫外发光二极管的外延结构及制备方法技术

本发明专利技术提供了一种倒装近紫外发光二极管的外延结构及制备方法，该倒装近紫外发光二极管的外延结构上从下到上依次为：衬底、AlN溅射层、非掺杂AlxGa1-xN层、n型AlyGa1-yN层、多量子阱InuGa1-uN/AlvGa1-vN层、p型AlwGa1-wN层、p型AlzGa1-zN层以及p型GaN接触层，其中，x、y、z、u以及v的取值范围都为0.001～0.500，w的取值范围为0.100～0.500。由于底层没有GaN层，该外延结构可以有效地减少外延材料本身对近紫外光的自吸收，提高倒装近紫外发光二极管的光提取效率。此外，使用AlN溅射层可以显著提高外延结构的晶体质量，达到提高近倒装近紫外发光二极管内量子效率的目的。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种倒装近紫外发光二极管的外延结构，其特征在于，所述外延结构从下到上依次为：衬底、AlN溅射层、非掺杂AlxGa1‑xN层、n型AlyGa1‑yN层、多量子阱InuGa1‑uN/AlvGa1‑vN层、p型AlwGa1‑wN层、p型AlzGa1‑zN层以及p型GaN接触层，其中，所述x、y、z、u以及v的取值范围都为0.001～0.500，所述w的取值范围为0.100～0.500。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王嘉星，陈振，
申请(专利权)人：晶能光电江西有限公司，
类型：发明
国别省市：江西;36