【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体光电
，具体为一种柔性蓝宝石衬底。
技术介绍
通常，GaN基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上，蓝宝石衬底有许多的优点，首先，蓝宝石衬底的生产技术成熟、器件质量较好；其次，蓝宝石的稳定性很好，能够运用在高温生长过程中；最后，蓝宝石的机械强度高，易于处理和清洗。因此，大多数工艺一般都以蓝宝石作为衬底，蓝宝石衬底技术是目前异质衬底氮化镓材料生长领域较为成熟的技术方案，其中采用图形化蓝宝石衬底技术可以较好地缓解蓝宝石衬底和氮化镓外延生长中的应力，降低氮化镓外延中的缺陷密度，提高外延材料的晶体质量，目前，为了防止水氧的渗入和增加衬底的弹性，会在两层聚合物之间加上一层金属箔片，然而聚合物和金属箔片之间存在粘结问题，且切割金属箔片过程中会产生不平整的表面，而且光的反射率不高，从而导致发光二极管的出光效率依然较低，为此，我们提出一种柔性蓝宝石衬底。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种柔性蓝宝石衬底，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种柔性蓝宝石衬底，包括衬底层，所述衬底层的上表面和下表面由内向外依次设置有氧化铝原子层、硅保护层、聚合物层和基板，且底层的基板的底部均匀设置有锥形凸块，所述锥形凸块的锥形部设置有金属反光块，所述聚合物层上设置有切割划痕，所述切割划痕包括横向划痕和竖向划痕，且横向划痕和竖向划痕交错排列设置在聚合物层的上表面上。优选的，所述聚合物层为聚碳酸酯层，且切割划痕的高度为聚合物层的高度的八分之一至六分之一。优选的，所述锥形...
【技术保护点】
一种柔性蓝宝石衬底，包括衬底层（1），其特征在于：所述衬底层（1）的上表面和下表面由内向外依次设置有氧化铝原子层（2）、硅保护层（3）、聚合物层（4）和基板（5），且底层的基板（5）的底部均匀设置有锥形凸块（6），所述锥形凸块（6）的锥形部设置有金属反光块（61），所述聚合物层（4）上设置有切割划痕（7），所述切割划痕（7）包括横向划痕（71）和竖向划痕（72），且横向划痕（71）和竖向划痕（72）交错排列设置在聚合物层（4）的上表面上。
【技术特征摘要】
1.一种柔性蓝宝石衬底，包括衬底层（1），其特征在于：所述衬底层（1）的上表面和下表面由内向外依次设置有氧化铝原子层（2）、硅保护层（3）、聚合物层（4）和基板（5），且底层的基板（5）的底部均匀设置有锥形凸块（6），所述锥形凸块（6）的锥形部设置有金属反光块（61），所述聚合物层（4）上设置有切割划痕（7），所述切割划痕（7）包括横向划痕（71）和竖向划痕（72），且横向划痕（...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈铭欣，林木榕，林永腾，
申请(专利权)人：福建晶安光电有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35
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