在复合玻璃基板上制造视频显示板用多色LED的方法技术

本发明专利技术涉及一种在复合玻璃基板上制造视频显示板用多色LED的方法，包括：在复合玻璃基板上制备第一掩蔽层，第一掩蔽层用于掩蔽除第一颜色LED生长区域之外的其它区域；在第一颜色LED生长区和第一掩蔽层上淀积第一颜色外延层，形成第一颜色LED；去除第一掩蔽层和第一掩蔽层上的第一颜色外延层；制备第二掩蔽层，第二掩蔽层用于掩蔽除第二颜色LED生长区域之外的其它区域；在第二颜色LED生长区和第二掩蔽层上淀积第二颜色外延层，形成第二颜色LED；去除第二掩蔽层和第二掩蔽层上的第二颜色外延层；对复合玻璃基板的表面进行研磨，清洗和电学测试。

【技术实现步骤摘要】
在复合玻璃基板上制造视频显示板用多色LED的方法
本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种在复合玻璃基板上制造视频显示板用多色LED的方法。
技术介绍
在一般LED视频显示板制造过程中，由于受制于一般性电子加工的后工序，譬如需要对LED晶片先实施封装，然后再进行双列直插式封装(dualinline-pinpackage，DIP)或表面贴装(SurfaceMountTechnology，SMT)组装等等，已经使LED行业没有问津超小晶片的制作的必要，而这正是LED在超高密度上没有机会发挥其超高亮长寿命性能稳定等优势，去覆盖类似高分辨率的手机屏幕的视频显示领域的应用。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种在复合玻璃基板上制造视频显示板用多色LED的方法。第一方面，本专利技术实施例提供了一种在复合玻璃基板上制造视频显示板用多色LED的方法，包括：在复合玻璃基板上制备第一掩蔽层，所述第一掩蔽层用于掩蔽除第一颜色LED生长区域之外的其它区域；在所述第一颜色LED生长区和第一掩蔽层上淀积第一颜色外延层，形成第一颜色LED；所述第一颜色外延层包括第一颜色N型外延层和第一颜色P型外延层；去除所述第一掩蔽层和所述第一掩蔽层上的第一颜色外延层；制备第二掩蔽层，所述第二掩蔽层用于掩蔽除第二颜色LED生长区域之外的其它区域；在所述第二颜色LED生长区和第二掩蔽层上淀积第二颜色外延层，形成第二颜色LED；所述第二颜色外延层包括第二颜色N型外延层和第二颜色P型外延层；去除所述第二掩蔽层和所述第二掩蔽层上的第二颜色外延层；对所述复合玻璃基板的表面进行研磨，清洗和电学测试。优选的，所述复合玻璃基板包括：玻璃基板和容置于所述玻璃基板一侧的磊晶衬片；所述第一掩蔽层、第二掩蔽层和第三掩蔽层均制备与所述磊晶衬片一侧。进一步优选的，所述磊晶衬片包括：SiC衬片、Al2O3衬片或GaAs衬片中的任一种。进一步优选的，所述在复合玻璃基板上制备第一掩蔽层具体包括：在所述复合玻璃基板上物理气相沉积SiO2；对所述SiO2进行台阶Mesa光刻，露出所述第一颜色LED生长区的SiO2；对所述第一颜色LED生长区的SiO2进行刻蚀，用以在所述第一颜色LED生长区内露出所述磊晶衬片。进一步优选的，所述制备第二掩蔽层具体包括：在所述复合玻璃基板上物理气相沉积SiO2；对所述SiO2进行台阶Mesa光刻，露出所述第二颜色LED生长区的SiO2；对所述第二颜色LED生长区的SiO2进行刻蚀，用以在所述第二颜色LED生长区内露出所述磊晶衬片。优选的，所述淀积具体为：采用金属有机化合物化学气相沉淀MOCVD的方法，进行外延层生长。优选的，在所述对所述复合玻璃基板的表面进行研磨，清洗和电学测试之前，所述方法还包括：制备第三掩蔽层，所述第三掩蔽层用于掩蔽除第三颜色LED生长区域之外的其它区域；在所述第三颜色LED生长区和第三掩蔽层上淀积第三颜色外延层，形成第三颜色LED；所述第三颜色外延层包括第三颜色N型外延层和第三颜色P型外延层；去除所述第三掩蔽层和所述第三掩蔽层上的第三颜色外延层。本专利技术提供的在复合玻璃基板上制造视频显示板用多色LED的方法，利用掩蔽层依次选择生长不同颜色的外延层，从而在复合玻璃基板的不同区域形成不同颜色的LED。本专利技术提供的方法，简便易行，成本低，适于大规模生产应用，在复合玻璃基板上可以一次性完成多个同色LED的磊晶生长，形成LED显示模组，从而有效的保证了LED显示模组的每种颜色的LED晶片间的一致性，即保证了具有一致性良好的显示效果，能够实现LED显示板平均故障间隔时间(MeanTimeBetweenFailure，MTBF)达10万小时的稳定性和信赖性。附图说明图1为本专利技术实施例提供的在复合玻璃基板上制造视频显示板用多色LED的方法的流程图；图2为本专利技术实施例提供的制造方法的过程示意图之一；图3为本专利技术实施例提供的制造方法的过程示意图之二；图4为本专利技术实施例提供的制造方法的过程示意图之三；图5为本专利技术实施例提供的制造方法的过程示意图之四；图6为本专利技术实施例提供的制造方法的过程示意图之五；图7为本专利技术实施例提供的制造方法的过程示意图之六；图8为本专利技术实施例提供的制造方法的过程示意图之七；图9为本专利技术实施例提供的制造方法的过程示意图之八；图10为本专利技术实施例提供的制造方法的过程示意图之九。具体实施方式下面通过附图和实施例，对本专利技术的技术方案做进一步的详细描述。本专利技术的在复合玻璃基板上制造视频显示板用多色LED的方法，主要用于LED显示屏，超小间距LED显示屏，超高密度LED显示屏，LED正发光电视，LED正发光监视器，LED视频墙，LED指示，LED特殊照明等领域的显示面板制造。图1为本专利技术实施例提供的在复合玻璃基板上制造视频显示板用多色LED的方法的流程图。在本实施例中，以三色LED的制备方法为例进行说明，本领域技术人员根据本专利技术的描述均可知道，基于本专利技术的方法进行简化或重复局部工艺，即可获知单色，双色，或三色以上的多色LED的制备方法。本实施例所用的复合玻璃基板为申请人在专利201410485949.5一种用于磊晶LED显示模组的复合玻璃基板的制造方法中所制备的复合玻璃基板，包括玻璃基板和容置于玻璃基板一侧的磊晶衬片。其中，磊晶衬片可以包括：SiC衬片、Al2O3衬片或GaAs衬片等。需要说明的是，本专利技术的制备方法中，视频显示板上每个位置所需要的LED晶片的颜色是预先设定好的，磊晶衬片优选为等间距地排列成矩阵，用于进行LED磊晶生长。本专利技术的制造方法包括如下步骤：步骤101，在复合玻璃基板上制备第一掩蔽层，所述第一掩蔽层用于掩蔽除第一颜色LED生长区域之外的其它区域；具体的，图如2所示，第一掩蔽层为SiO2层，用于掩蔽除第一颜色LED生长区域之外的其它区域。在本例中，第一颜色为蓝色。第一掩蔽层制备的具体包括：在复合玻璃基板容置有磊晶衬片的一侧物理气相沉积SiO2；对所述SiO2进行台阶Mesa光刻，露出所述第一颜色LED生长区的SiO2；对所述第一颜色LED生长区的SiO2进行刻蚀，用以在所述第一颜色LED生长区内露出所述磊晶衬片。步骤102，在所述第一颜色LED生长区和第一掩蔽层上淀积第一颜色外延层，形成第一颜色LED；具体的，如图3所示，第一颜色外延层包括第一颜色N型外延层(B-N)和第一颜色P型外延层(B-P)。在本例中，外延层为GaN。淀积方法采用金属有机化合物化学气相沉淀(Metal-organicChemicalVaporDeposition，MOCVD)。步骤103，去除所述第一掩蔽层和所述第一掩蔽层上的第一颜色外延层；具体的，如图4所示，去除后仅保留第一颜色LED生长区域内的B-N和B-P，形成第一颜色的LED，即蓝色LED。步骤104，制备第二掩蔽层，所述第二掩蔽层用于掩蔽除第二颜色LED生长区域之外的其它区域；具体的，图如5所示，第二掩蔽层为SiO2层，用于掩蔽除第二颜色LED生长区域之外的其它区域。在本例中，第二颜色为绿色。制备第二掩蔽层具体包括：在所述复合玻璃基板上容置有磊晶衬片的一侧物理气相沉积SiO2；对所述SiO2进行台阶Mesa光刻，露出所述第二颜色LED生长区的SiO2；对所述第二颜色LED生长区的SiO2进行本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在复合玻璃基板上制造视频显示板用多色LED的方法，其特征在于，所述方法包括：在复合玻璃基板上制备第一掩蔽层，所述第一掩蔽层用于掩蔽除第一颜色LED生长区域之外的其它区域；在所述第一颜色LED生长区和第一掩蔽层上淀积第一颜色外延层，形成第一颜色LED；所述第一颜色外延层包括第一颜色N型外延层和第一颜色P型外延层；去除所述第一掩蔽层和所述第一掩蔽层上的第一颜色外延层；制备第二掩蔽层，所述第二掩蔽层用于掩蔽除第二颜色LED生长区域之外的其它区域；在所述第二颜色LED生长区和第二掩蔽层上淀积第二颜色外延层，形成第二颜色LED；所述第二颜色外延层包括第二颜色N型外延层和第二颜色P型外延层；去除所述第二掩蔽层和所述第二掩蔽层上的第二颜色外延层；对所述复合玻璃基板的表面进行研磨，清洗和电学测试。

【技术特征摘要】
1.一种在复合玻璃基板上制造视频显示板用多色LED的方法，其特征在于，所述方法包括：在复合玻璃基板上制备第一掩蔽层，所述第一掩蔽层用于掩蔽除第一颜色LED生长区之外的其它区域；在所述第一颜色LED生长区和第一掩蔽层上淀积第一颜色外延层，形成第一颜色LED；所述第一颜色外延层包括第一颜色N型外延层和第一颜色P型外延层；去除所述第一掩蔽层和所述第一掩蔽层上的第一颜色外延层；制备第二掩蔽层，所述第二掩蔽层用于掩蔽除第二颜色LED生长区之外的其它区域；在所述第二颜色LED生长区和第二掩蔽层上淀积第二颜色外延层，形成第二颜色LED；所述第二颜色外延层包括第二颜色N型外延层和第二颜色P型外延层；去除所述第二掩蔽层和所述第二掩蔽层上的第二颜色外延层；对所述复合玻璃基板的表面进行研磨，清洗和电学测试；其中，所述复合玻璃基板包括：玻璃基板和容置于所述玻璃基板一侧的磊晶衬片；且所述第一掩蔽层、第二掩蔽层均制备与所述磊晶衬片一侧。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述磊晶衬片包括：SiC衬片、Al2O3衬片或GaAs衬片中的任一种。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在复合玻璃基板上制备第一掩蔽层具体包...

【专利技术属性】
技术研发人员：严敏，程君，周鸣波，
申请(专利权)人：严敏，程君，周鸣波，
类型：发明
国别省市：北京;11