【技术实现步骤摘要】
本申请涉及LED外延设计应用
，具体地说，涉及一种LED外延新P层生长方法。
技术介绍
目前LED是一种固体照明，体积小、耗电量低使用寿命长高亮度、环保、坚固耐用等优点受到广大消费者认可，国内生产LED的规模也在逐步扩大；市场上对LED亮度和光效的需求与日俱增，如何生长更好的外延片日益受到重视，因为外延层晶体质量的提高，LED器件的性能可以得到提升，LED的发光效率、寿命、抗老化能力、抗静电能力、稳定性会随着外延层晶体质量的提升而提升。传统的LED外延P层设计方法空穴浓度不高，亮度提升一直受到限制。因此，如何提高LED亮度成为亟待解决的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本申请所要解决的技术问题是提供了一种LED外延新P层生长方法，运用InyMg(1-y)N/pGaN超晶格层，可大幅度提升Mg的掺杂效率和激活效率，空穴浓度得到提升，随之亮度得到进一步提升。为了解决上述技术问题，本申请有如下技术方案：一种LED外延新P层生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温缓冲层GaN、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、交替生长掺杂In的InxGa(1-x)N/GaN发光层、生长P型AlGaN层、生长掺杂Mg的P层，降温冷却，其特征在于，所述生长掺杂Mg的P层进一步为：保持反应腔压力400mbar-900mbar、温度950℃-1000℃，通入流量为50000sccm-70000sccm的NH3...
【技术保护点】
一种LED外延新P层生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温缓冲层GaN、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、交替生长掺杂In的InxGa(1‑x)N/GaN发光层、生长P型AlGaN层、生长掺杂Mg的P层，降温冷却，其特征在于，所述生长掺杂Mg的P层进一步为：保持反应腔压力400mbar‑900mbar、温度950℃‑1000℃，通入流量为50000sccm‑70000sccm的NH3、500sccm‑1000sccm的TMIn、100L/min‑130L/min的H2、1000sccm‑3000sccm的Cp2Mg生长5nm‑10nm的InyMg(1‑y)N层，y的取值范围：0.05<y<1；保持反应腔压力400mbar‑900mbar、温度950℃‑1000℃、通入流量为50000sccm‑70000sccm的NH3、20sccm‑100sccm的TMGa、100L/min‑130L/min的H2、1000sccm‑3000sccm的Cp2Mg，生长5nm‑10nm的pGaN，Mg的掺杂浓度为1E19atoms/cm3‑1E20atoms/cm3；重复周期性...
【技术特征摘要】
1.一种LED外延新P层生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温缓冲层GaN、生长不掺杂
GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、交替生长掺杂In的InxGa(1-x)N/GaN发光层、生长P型AlGaN
层、生长掺杂Mg的P层，降温冷却，其特征在于，
所述生长掺杂Mg的P层进一步为：
保持反应腔压力400mbar-900mbar、温度950℃-1000℃，通入流量为50000sccm-
70000sccm的NH3、500sccm-1000sccm的TMIn、100L/min-130L/min的H2、1000sccm-3000sccm
的Cp2Mg生长5nm-10nm的InyMg(1-y)N层，y的取值范围：0.05<y<1；
保持反应腔压力400mbar-900mbar、温度950℃-1000℃、通入流量为50000sccm-
70000sccm的NH3、20sccm-100sccm的TMGa、100L/min-130L/min的H2、1000sccm-3000sccm的
Cp2Mg，生长5nm-10nm的pGaN，Mg的掺杂浓度为1E19atoms/cm3-1E20atoms/cm3；
重复周期性生长InyMg(1-y)N/pGaN超晶格层，周期数为10-20，生长InyMg(1-y)N层和pGaN
层的顺序可置换。
2.根据权利要求1所述LED外延新P层生长方法，其特征在于，
所述处理衬底进一步为：在1000℃-1100℃的H2气氛下，通入100L/min-130L/min的H2，
保持反应腔压力100mbar-300mbar，处理蓝宝石衬底8min-10min。
3.根据权利要求1所述LED外延新P层生长方法，其特征在于，
所述生长低温缓冲层GaN进一步为：
降温至500℃-600℃，保持反应腔压力300mbar-600mbar，通入流量为10000sccm-
20000sccm的NH3、50sccm-100sccm的TMGa、100L/min-130L/min的H2、在蓝宝石衬底上生长厚
度为20nm-40nm的低温缓冲层GaN；
升高温度至1000℃-1100℃，保持反应腔压力300mbar-600mbar，通入流量为
30000sccm-40000sccm的NH3、100L/min-130L/min的H2、保持温度稳定持续300s-500s，将低
温缓冲层GaN腐蚀成不规则小岛。
4.根据权利要求1所述LED外延新P层生长方法，其特征在于，
所述生长不掺杂GaN层进一步为：升高温度到1000℃-1200℃，保持反应腔压力
300mbar-600mbar，通入流量为30000sccm-40000sccm的NH3、200sccm-400sccm的TMGa、
100L/min-130L/min的H2、持续生长2μm-4μm的不掺杂GaN层。
5.根据权利要求4...
【专利技术属性】
技术研发人员：张宇，苗振林，徐平，
申请(专利权)人：湘能华磊光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南;43
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