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本发明公开了一种不可见光发光二极管及其制作方法，所述发光二极管包括：N型欧姆接触半导体层、N型电流扩散层、N‑GaAs可见光吸收层、N型覆盖层、发光层、P型覆盖层和P型欧姆接触半导体层。本发明所述不可见光发光二极管采用GaAs作为吸收层，在...
该专利属于天津三安光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天津三安光电有限公司授权不得商用。

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