一种氮化物发光二极管制造技术
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种氮化物发光二极管，依次包括衬底，N型氮化物，In量子点/InN和Al量子点/AlN组成的V形坑控制层，第一V形坑，第二V形坑，多量子阱，P型氮化物以及P型接触层，在多量子阱形成第一V形坑的基础上，在多量子阱区与N型氮化物间插入一层In量子点/InN和Al量子点/AlN组成的V形坑控制层，通过控制该层的In量子点/InN和Al量子点/AlN界面形成的堆垛层错和反向畴等缺陷的密度，来控制产生第二V形坑的密度，从而获得最佳的V形坑的密度，提升氮化物发光二极管的发光强度和发光效率。【专利说明】一种氮化物发光二极管
本专利技术涉及半导体光电器件领域，特别是一种氮化物发光二极管。
技术介绍
现今，发光二极管(LED)，特别是氮化物发光二极管因其较高的发光效率，在普通照明领域已取得广泛的应用。因氮化物发光二极管的底层存在缺陷，导致生长量子阱时缺陷延伸会形成V形坑。缺陷会形成非辐射复合中心，引起非辐射复合，但是，一定数量的V形坑又会使多量子阱形成局域量子态，提升量子效应，提升发光二极管的发光效率和发光强度。因此，氮化物发光二极管的V形坑密度不能...
【技术保护点】
一种氮化物发光二极管，依次包括衬底，N型氮化物，In量子点/InN和Al量子点/AlN组成的V形坑控制层，第一V形坑，第二V形坑，多量子阱，P型氮化物以及P型接触层，所述V形坑控制层插入于多量子阱区与N型氮化物之间。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：郑锦坚，杜伟华，钟志白，杨焕荣，廖树涛，李志明，伍明跃，周启伦，林峰，李水清，康俊勇，
申请(专利权)人：厦门市三安光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35
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