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本发明公开了一种氮化物发光二极管，依次包括衬底，N型氮化物，In量子点/InN和Al量子点/AlN组成的V形坑控制层，第一V形坑，第二V形坑，多量子阱，P型氮化物以及P型接触层，在多量子阱形成第一V形坑的基础上，在多量子阱区与N型氮化物间插...
该专利属于厦门市三安光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门市三安光电科技有限公司授权不得商用。

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