一种氮化物发光二极管及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种氮化物发光二极管及其制作方法，其具有MgGa纳米团簇超晶格的P型接触层，通过高导电性能MgGa团簇作为电流扩展桥接点，提升P型接触层的空穴的扩散长度，改善P型电流的扩展能力，减少电流的积聚效应，提升发光的均匀性和ESD。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体光电器件领域，特别是。
技术介绍
现今，发光二极管(LED)，特别是氮化物发光二极管因其较高的发光效率，在普通照明领域已取得广泛的应用。但由于因P型Mg的离化效率低，导致空穴浓度低，P型氮化物的电流扩展差且欧姆接触较差，制作电极后电流容易积聚在局部区域，特别是电极和扩展条(Finger)周围，导致发光均勾性不好和ESD差等问题。
技术实现思路
鉴于现有技术存在P型空穴扩展长度偏低的问题，本案提出一种具有MgGa纳米团簇的氮化物发光二极管及其制作方法来改善以上问题。本专利技术的目的是:提供，通过高导电性能MgGa团簇作为电流扩展桥接点，解决P型因Mg离化效率低引起空穴浓度偏低和电流扩展偏差的问题，提升P型接触层空穴的扩散长度，改善P型电流的扩展能力，减少电流的积聚效应，提升发光的均匀性和ESD。根据本专利技术的第一方面，一种氮化物发光二极管，依次包括衬底，缓冲层，N型氮化物，多量子阱，P型氮化物以及P型接触层，其特征在于:所述P型接触层具有MgGa纳米团簇超晶格，通过高导电性能MgGa团簇作为电流扩展桥接点，解决P型因Mg离化效率低引起空穴浓度偏低和电流扩本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化物发光二极管，依次包括衬底，缓冲层，N型氮化物，多量子阱，P型氮化物以及 P型接触层，其特征在于：所述P型接触层具有MgGa纳米团簇超晶格，通过高导电性能MgGa团簇作为电流扩展桥接点，解决P型因Mg离化效率低引起空穴浓度偏低和电流扩展偏差的问题，提升P型接触层空穴的扩散长度，改善P型电流的扩展能力，减少电流的积聚效应，提升发光的均匀性和ESD。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郑锦坚，钟志白，杜伟华，代睿冬，廖树涛，李志明，伍明跃，周启伦，林峰，李水清，康俊勇，
申请(专利权)人：厦门市三安光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35