【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体电子器件，具体地，涉及具有连接到场板的电极的器件。
技术介绍
大多数功率半导体器件，诸如高压P-1-N 二极管，以及功率晶体管，诸如功率MOSFET和绝缘栅双极晶体管(IGBT)，通常用硅(Si)半导体材料制造。近来，由于其优异的性能，已经使用了碳化硅(SiC)功率器件。II1-氮化物(II1-N)半导体器件现在正在成为一种有吸引力的候选物，以载送大电流和支持高电压，并提供非常低的导通电阻、高电压器件操作和快速的开关时间。如本文所使用的，术语II1-N或II1-氮化物材料、层、器件等，指的是根据化学计量公式BwAlxInyGazN，其中w+x+y+z约为1，由化合物半导体材料构成的材料或器件。在图1和图2中示出了现有技术的II1-N高电子迀移率晶体管(HEMT)的实例。图1的II1-N HEMT包括衬底10、在衬底顶部上的II1-N沟道层11诸如GaN层，和在沟道层顶部上的II1-N阻挡层12诸如AlxGa1 XN层。在沟道层11和阻挡层12之间的界面附近的沟道层11中引起二维电子气(2DEG)沟道19。源极接触14和漏极接触15分别...
【技术保护点】
一种III‑N器件，包括：III‑N增强型晶体管，所述III‑N增强型晶体管包括源极接触和第一栅极，所述第一栅极在栅极绝缘体上，III‑N耗尽型晶体管，所述III‑N耗尽型晶体管包括漏极接触；III‑N结构，所述III‑N结构包括导电沟道，其中，所述导电沟道的第一部分充当所述III‑N增强型晶体管的器件沟道，所述导电沟道的第二部分充当所述III‑N耗尽型晶体管的器件沟道；绝缘体层，所述绝缘体层在所述III‑N结构上，其中，第一凹部在所述III‑N增强型晶体管的栅极区中形成为穿过所述绝缘体层，并且所述栅极绝缘体和所述第一栅极至少部分地在所述凹部中；电极限定层，所述电极限定层具...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：拉柯许·K·拉尔，
申请(专利权)人：创世舫电子有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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