The invention relates to an enhanced, depletion type and current sensing integrated VDMOS power devices, including N type substrate, the substrate is provided with a N type N type epitaxial layer, which is characterized in that the N epitaxial layer is provided with a depletion type VDMOS and type VDMOS VDMOS, current should be enhanced, the isolation structure and it is arranged between them; the three VDMOS devices are integrated together, using the combination of flexible, can be used for LED driving power supply, power adapter, charger circuit, not only conducive to system integration and miniaturization, but also has the advantages of low cost, has the advantages of simple control made; the invention adopts the isolation structure in between three VDMOS devices, can effectively prevent the device between perforating. The invention has the advantages of good compatibility, high reliability, low manufacturing cost and easy industrialization.
【技术实现步骤摘要】
增强型、耗尽型和电流感应集成VDMOS功率器件
本专利技术涉及VDMOS功率器件
,特别是一种增强型、耗尽型和电流感应集成VDMOS功率器件。
技术介绍
垂直双扩散金属氧化物场效应器件VDMOS包括了增强型和耗尽型,它们具有开关特性好、功耗小等优点;此外还有利用该垂直双扩散金属氧化物场效应器件设计成电流感应功率MOSFET(SENSFET),电流感应功率MOSFET可以实现比其它方案更高的效率、更快的负载电流瞬间响应和更低的系统成本。因此VDMOS功率器件在LED驱动电源、充电器、电源适配器等产品上得到广泛使用,但是现有的垂直双扩散金属氧化物场效应器件在这些产品中都是独立封装,这样不仅占用面积大,而且制造工艺复杂,成本高。然而随着电子器件集成技术的发展,各自独立封装已经阻碍了产品小型化,因此,怎样将增强型、耗尽型和电流感应型VDMOS通过集成技术集成成一个器件,并能保证器件的稳定性、可靠性是市场的需求。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种增强型、耗尽型和电流感应集成VDMOS功率器件,能有效降低生产成本,更有利系统的集成和小型化。本专利技术采用以下方案实现:一种增强型、耗尽型和电流感应集成VDMOS功率器件,包括N型衬底,所述N型衬底上设置有N型外延层,其特征在于:所述N型外延层上设置有增强型VDMOS、耗尽型VDMOS、电流感应VDMOS和两个隔离结构,其中三类VDMOS器件共用漏极,增强型VDMOS和电流感应VDMOS共用栅极,所述隔离结构分别设置于所述增强型VDMOS、耗尽型VDMOS和电流感应VDMOS的源极之间。在本专利技术一实施例中,所 ...
【技术保护点】
一种增强型、耗尽型和电流感应集成VDMOS功率器件,包括N型衬底,所述N型衬底上设置有N型外延层,其特征在于:所述N型外延层上设置有增强型VDMOS、耗尽型VDMOS、电流感应VDMOS和隔离结构,其中三类VDMOS器件共用漏极,增强型VDMOS和电流感应VDMOS共用栅极,所述隔离结构分别设置于所述增强型VDMOS、耗尽型VDMOS和电流感应VDMOS的源极之间;其中,所述增强型VDMOS的栅极和电流感应VDMOS的栅极通过金属共同连接到共用栅极;其中,所述隔离结构包括多晶硅场板,多晶硅场板下的N型外延上还设置有浮空P阱,浮空P阱位于P阱之间,所述多晶硅场板位于P阱的上端且向浮空P阱方向延伸,同时和浮空P阱有交叠;所述的多晶硅场板被二氧化硅介质所覆盖,所述多晶硅场板下设置有栅氧化层和场氧化层;其中,所述的多晶硅场板为两块,且为Z字形;其中,所述的耗尽型VMDOS和电流感应VDMOS版图能位于增强型VDMOS版图内部或者外部。
【技术特征摘要】
1.一种增强型、耗尽型和电流感应集成VDMOS功率器件,包括N型衬底,所述N型衬底上设置有N型外延层,其特征在于:所述N型外延层上设置有增强型VDMOS、耗尽型VDMOS、电流感应VDMOS和隔离结构,其中三类VDMOS器件共用漏极,增强型VDMOS和电流感应VDMOS共用栅极,所述隔离结构分别设置于所述增强型VDMOS、耗尽型VDMOS和电流感应VDMOS的源极之间;其中,所述增强型VDMOS的栅极和电流感应VDMOS的栅极通过金属共同连接到共用栅极;其中,所述隔离结构包括多晶硅场板,多晶硅场板下的N型外延上还设置有浮空P阱,浮空P阱位于P阱之间,所述多晶硅场板位于P阱的上端且向浮空P阱方向延伸,同时和浮空P阱有交叠;所述的多晶硅场板被二氧化硅介质所覆盖,所述多晶硅场板下设置有栅氧化层和场氧化层;其中,所述的多晶硅场板为两块,且为Z字形;其中,所述的耗尽型VMDO...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈利,高耿辉,高伟钧,
申请(专利权)人:厦门元顺微电子技术有限公司,友顺科技股份有限公司,大连连顺电子有限公司,
类型:发明
国别省市:福建,35
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