一种低成本LED去频闪控制电路及其驱动电路系统技术方案

本实用新型专利技术涉及一种低成本LED去频闪控制电路及其驱动电路系统，所述LED去频闪控制电路包括第一电阻R1、第二电阻R2、二极管D1、第一齐纳管Z1和第二齐纳管Z2；本实用新型专利技术能够检测外部功率NMOSFET管的漏极电压，通过外接的VC端口去频闪电容自动调节外部功率NMOSFET管的工作状态，使其工作于恒流区，从而去除LED电流中的交流分量，达到去LED频闪的目的。同时，电路中采用了较少的器件即达到了去频闪作用，极大的降低了成本，还集成了端口和功率管保护功能，实现了高性能和高安全性，具有较好的使用价值和经济价值。价值和经济价值。价值和经济价值。

【技术实现步骤摘要】
一种低成本LED去频闪控制电路及其驱动电路系统


[0001]本技术涉及电力电子领域，特别是一种低成本LED去频闪控制电路及其驱动电路系统。

技术介绍

[0002]目前，LED照明已经走进千家万户，随着LED技术的不断发展，特别是近年来智能照明甚嚣尘上，人们现在不仅关注照明的效果，同时也开始逐步重视照明的光生物安全问题。
[0003]频闪，是一种由于频率而发生的闪烁。照明产品在附加调光、通讯等功能后往往频闪问题凸显。LED频闪产生的原因是因为现有的LED灯应用主要是常用交流电压降压转直流应用，或者是LED灯串联升压后再使用，但是前提也必须将电压交流转直流后使用。现有LED 产品需要较高的功率因数，为了提高产品的功率因数，目前产品均是在整流滤波之后均采用了较小的滤波电容对整流后的电流进行滤波，由于滤波电容较小，因此在后级电流输出部分仍有100/120Hz的包络波，在LED灯点亮时，通过摄像头或手机观察，仍可发现有快速移动的干扰条。LED频闪对人的视觉系统有刺激作用，会产生不舒适的感觉。目前，为了解决LED频闪问题，有采用增加后级滤波电容方案的，有采用增加DC-DC变换电路方案的，也有采用复杂去频闪电路方案的。但是由于产品尺寸和成本的限制，急需一种无需后级大滤波电容和 DC-DC变换电路，也无需复杂去频闪控制电路的低成本精简型LED去频闪控制方案。如图1所示，为传统的LED驱动系统，此时LED负载的电流纹波较大，如图2为传统的LED驱动电路系统的相关信号波形示意图。本技术的一种低成本LED去频闪控制电路，电路精简，其联合外部功率NMOSFET、VC端口去频闪电容器及LED驱动器、输出电容构成的去频闪控制方案，可以消除传统LED驱动电路系统中存在的频闪问题。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本技术的目的是提供一种低成本LED去频闪控制电路及其驱动电路系统，能够采用很少的控制电路即达到了LED去频闪的目的，可以大幅降低LED电流纹波；且电路精简并内置端口及外部功率管保护，有效降低了设计和生产成本及下游应用端的器件成本。
[0005]本技术采用以下方案实现：一种低成本LED去频闪控制电路，包括第一电阻R1、第二电阻R2、二极管D1、第一齐纳管Z1和第二齐纳管Z2；所述第一电阻R1的一端与所述二极管D1的阳极连接并作为第一端口D；所述第一电阻R1的另一端分别与所述第一齐纳管 Z1的一端、所述第二电阻R2的一端连接，并作为第三端口VC；所述二极管D1的阴极与所述第一齐纳管Z1的另一端连接，并作为第五端口VT；所述第二电阻R2的另一端与所述第二齐纳管Z2的一端连接，并作为第四端口G；所述第二齐纳管Z2的另一端作为第二端口S。
[0006]进一步地，本技术还提供一种应用低成本LED去频闪控制电路的LED驱动电路系统，包括LED驱动器、输出电容Co、LED去频闪控制电路、去纹波电容器C1、外部功率NMOSFET管和LED负载；所述LED驱动器的输入端外接电源，所述LED驱动器的一输出端分别
与所述输出电容Co的一端、所述LED负载的正极相连；所述LED去频闪控制电路的第一端口D分别与所述LED负载的负极、所述功率 NMOSFET管的漏极相连；所述LED去频闪控制电路的第三端口VC端口与所述去纹波电容器C1的一端相连；所述LED去频闪控制电路的五端口VT悬空或外接电压限制电路，用以限制第一端口D电压以防止因LED负载短路而造成的所述功率NMOSFET管烧毁；所述LED去频闪控制电路的第四端口G与所述功率NMOSFET管的栅极相连；所述 LED驱动器的另一输出端与所述输出电容Co的另一端、所述LED去频闪控制电路的第二端口S、所述功率NMOSFET管的源极、所述去纹波电容C1的另一端相连并接地。
[0007]进一步地，所述去频闪控制电路的适用频率为100/120Hz。
[0008]进一步地，所述LED驱动器的型号为ULF0291。
[0009]进一步地，所述LED负载包括一个以上发光二极管，各个发光二极管相互串联连接。
[0010]与现有技术相比，本技术具有以下有益效果：
[0011]本技术电路精简，采用很小的控制电路即达到了LED去频闪的目的，同时集成端口和功率管保护功能，性能良好，设计和生产成本大幅降低，具有较好的使用价值和经济价值。
附图说明
[0012]图1为本技术实施例的传统的LED驱动电路系统示意图。
[0013]图2为本技术实施例的传统的LED驱动电路系统的相关信号波形示意图。
[0014]图3为本技术实施例的LED去频闪控制电路示意图。
[0015]图4为本技术实施例的LED驱动电路系统示意图。
[0016]图5为本技术实施例的LED驱动电路系统的相关信号波形示意图。
具体实施方式
[0017]下面结合附图及实施例对本技术做进一步说明。
[0018]如图3所示，本实施例提供了一种低成本LED去频闪控制电路，包括第一电阻R1、第二电阻R2、二极管D1、第一齐纳管Z1和第二齐纳管Z2；所述第一电阻R1的一端与所述二极管D1的阳极连接并作为第一端口D；所述第一电阻R1的另一端分别与所述第一齐纳管 Z1的一端、所述第二电阻R2的一端连接，并作为第三端口VC；所述二极管D1的阴极与所述第一齐纳管Z1的另一端连接，并作为第五端口VT；所述第二电阻R2的另一端与所述第二齐纳管Z2的一端连接，并作为第四端口G；所述第二齐纳管Z2的另一端作为第二端口S。
[0019]如图4所示，较佳的，本实施例还提供一种应用低成本LED去频闪控制电路的LED驱动电路系统，包括LED驱动器、输出电容Co、 LED去频闪控制电路、去纹波电容器C1、外部功率NMOSFET管和LED 负载；所述LED驱动器的输入端外接电源，所述LED驱动器的一输出端分别与所述输出电容Co的一端、所述LED负载的正极相连；所述 LED去频闪控制电路的第一端口D分别与所述LED负载的负极、所述功率NMOSFET管的漏极相连；所述LED去频闪控制电路的第三端口VC端口与所述去纹波电容器C1的一端相连；所述LED去频闪控制电路的五端口VT悬空或外接电压限制电路，用以限制第一端口D电压以防止因LED负载短路而造成的所述功率NMOSFET管烧毁；所述LED 去频闪控制电路的第四端口G与所述功率NMOSFET管的栅极
相连；所述LED驱动器的另一输出端与所述输出电容Co的另一端、所述LED 去频闪控制电路的第二端口S、所述功率NMOSFET管的源极、所述去纹波电容C1的另一端相连并接地。
[0020]在本实施例中，所述去频闪控制电路的适用频率为100/120Hz。
[0021]在本实施例中，所述LED驱动器的型号为ULF0291。
[0022]在本实施例中，所述LED负载包括一个以上发光二极管，各个发光二极管相互串联连接。
[0023]较佳的，在本实施例中，所述的第一端本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低成本LED去频闪控制电路，其特征在于：包括第一电阻R1、第二电阻R2、二极管D1、第一齐纳管Z1和第二齐纳管Z2；所述第一电阻R1的一端与所述二极管D1的阳极连接并作为第一端口D；所述第一电阻R1的另一端分别与所述第一齐纳管Z1的一端、所述第二电阻R2的一端连接，并作为第三端口VC；所述二极管D1的阴极与所述第一齐纳管Z1的另一端连接，并作为第五端口VT；所述第二电阻R2的另一端与所述第二齐纳管Z2的一端连接，并作为第四端口G；所述第二齐纳管Z2的另一端作为第二端口S。2.一种应用权利要求1所述的低成本LED去频闪控制电路的LED驱动电路系统，其特征在于：包括LED驱动器、输出电容Co、LED去频闪控制电路、去纹波电容器C1、外部功率NMOSFET管和LED负载；所述LED驱动器的输入端外接电源，所述LED驱动器的一输出端分别与所述输出电容Co的一端、所述LED负载的正极相连；所述LED去频闪控制电路的第一端口D分别与所述LED负载的负极、所述功率NMOSFET管的漏极相连；所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：高耿辉，李昌，张传军，
申请(专利权)人：厦门元顺微电子技术有限公司，
类型：新型
国别省市：