一种轻载模式判定电路及应用该电路的开关电源制造技术

本实用新型专利技术涉及一种轻载模式判定电路及应用该电路的开关电源，其轻载模式判定电路包括第一比较器Comp1、第二比较器Comp2、第一反相器INV1、第二反相器INV2、第三反相器INV3、第四反相器INV4、RS触发器以及第一与非门NAND1；该轻载模式判定电路包括四个端口，分别为FB端口、VREF端口、COMP端口、COMP_VTHL端口以及Light_Load_L端口。本实用新型专利技术的轻载模式判定电路能够自动判定轻载状态，输出逻辑控制信号使开关电源退出AFT控制模式进入PFM模式从而降低开关频率。

【技术实现步骤摘要】
一种轻载模式判定电路及应用该电路的开关电源
本技术涉及开关电源设计
，特别是一种轻载模式判定电路及应用该电路的开关电源。
技术介绍
随着电子技术的蓬勃发展、电子产品的不断创新，开关电源的相关技术也在迅速的更新。近年来，DC-DC变换器已朝着高集成度、高转换效率、高控制精度、低噪声、高频化方向发展。其控制方式由简单的电压型单环控制模式、电流型双环控制模式发展到如今的恒定导通(关闭)时间控制模式以及自适应导通(关闭)时间控制模式。如图1为传统的自适应关闭(AFT)时间控制模式开关电源系统示意图，其可以在不采用传统固定振荡器的情况下实现开关频率的近似恒定，其不随输入输出电压及负载的改变而改变，克服了恒定导通(关闭)时间控制模式频率漂移大的缺陷，提高了EMI特性，具有更快的瞬态响应速度，且很多产品可以实现重载和轻载控制状态无缝对接，备受业内青睐。然而，随着对电子产品效率的要求近乎苛刻，即使很多产品在自适应AFT控制模式下实现了重载和轻载状态控制的无缝对接，仍无法在轻载模式下实现令人满意的效率从而实现全负载范围内的高效率。专本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种轻载模式判定电路，其特征在于，包括第一比较器Comp1、第二比较器Comp2、第一反相器INV1、第二反相器INV2、第三反相器INV3、第四反相器INV4、RS触发器以及第一与非门NAND1；该轻载模式判定电路包括四个端口，分别为FB端口、VREF端口、COMP端口、COMP_VTHL端口以及Light_Load_L端口；/n所述第一比较器Comp1的正输入端连接至COMP端口，负输入端连接至COMP_VTHL端口，输出端连接至第一反相器INV1的输入端；所述第一反相器INV1的输出端连接至第二反相器INV2的输入端，所述第二反相器INV2的输出端分别与第三反相器INV3的输入端、R...

【技术特征摘要】
1.一种轻载模式判定电路，其特征在于，包括第一比较器Comp1、第二比较器Comp2、第一反相器INV1、第二反相器INV2、第三反相器INV3、第四反相器INV4、RS触发器以及第一与非门NAND1；该轻载模式判定电路包括四个端口，分别为FB端口、VREF端口、COMP端口、COMP_VTHL端口以及Light_Load_L端口；
所述第一比较器Comp1的正输入端连接至COMP端口，负输入端连接至COMP_VTHL端口，输出端连接至第一反相器INV1的输入端；所述第一反相器INV1的输出端连接至第二反相器INV2的输入端，所述第二反相器INV2的输出端分别与第三反相器INV3的输入端、RS触发器的S端相连；所述第二比较器COMP2的正输入端连接至FB端口，负输入端连接至VREF端口，输出端连接至RS触发器的R端；所述RS触发器的Q端连接至第四反相器INV4的输入端，所述第四反相器INV4的输出端与第三反相器INV3的输出端分别连接至第一与非门NAND1的两个输入端，所述第一与非门NAND1的输出端连接至Light_Load_L端口。


2.根据权利要求1所述的一种轻载模式判定电路，其特征在于，所述第一比较器Comp1包括电流源I1、第一N沟道MOS管至第五N沟道MOS管N21-N25、第一P沟道MOS管至第七P沟道MOS管P21-P27；
电流源I1的一端分别与第三P沟道MOS管P23的漏极与栅极、第四P沟道MOS管P24的栅极与第五P沟道MOS管P25的栅极相连；所述第三P沟道MOS管P23的源极、第一P沟道MOS管P21的源极、第四P沟道MOS管P24的源极、第二P沟道MOS管P22的源极以及第五P沟道MOS管P25的源极均连接至VCC；电流源I1的另一端、第一N沟道MOS管N21的源极、第二N沟道MOS管N22的源极、第三N沟道MOS管N23的源极、第四N沟道MOS管N24的源极以及第五N沟道MOS管N25的源极均接地；所述第一P沟道MOS管P21的漏极与栅极相连，并与第二P沟道MOS管P22的栅极、第一N沟道MOS管N21的漏极相连；所述第二N沟道MOS管N22的漏极与栅极相连并连接至第六P沟道MOS管P26的漏极以及第一N沟道MOS管N21的栅极，所述第三N沟道MOS管N23的漏极与栅极相连并连接至第七P沟道MOS管P27的漏极以及第四N沟道MOS管N24的栅极；所述第六P沟道MOS管P26的源极与第七P沟道MOS管P27的源极相连并连接至第四P沟道MOS管P24的漏极；所述第二P沟道MOS管P22的漏极与第四N沟道MOS管N24的漏极相连，并连接至第五N沟道MOS管N25的栅极；所述第五P沟道MOS管P25的漏极与第五N沟道MOS管N25的漏极相连，并作为所述第一比较器Comp1的输出端；所述第六P沟道MOS管P26的栅极作为第一比较器Comp1的正输入端，所述第七P沟道MOS管P27的栅极作为第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：高耿辉，李昌，张传军，
申请(专利权)人：厦门元顺微电子技术有限公司，大连连顺电子有限公司，友顺科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35