具有柱和凸块结构的半导体封装体制造技术

一个或多个实施例涉及半导体封装体，这些半导体封装体包括柱和凸块结构。这些半导体封装体包括裸片，该裸片在该半导体裸片的周边处具有凹陷。该半导体封装体包括包封层，该包封层位于该半导体裸片之上，从而填充该凹陷并且包围这些柱的多个侧表面。该封装体可以形成在具有多个裸片的晶圆上并且可以被分割成多个封装体。

【技术实现步骤摘要】

本披露的多个实施例涉及半导体裸片封装体以及用于组装半导体裸片封装体的工艺。
技术介绍
芯片级封装体(CSP)具有非常接近半导体裸片的实际面积的占地面积并且在倒装芯片构型中通常涉及到通过多个导电凸块将封装体安装到衬底或其他器件上。晶圆级封装(WLP)涉及在切割晶圆之前使用后端晶圆加工来加工在晶圆上的裸片以便封装的工艺。晶圆级芯片级封装(WLCSP)通常涉及到凸块工艺，该凸块工艺包括将多个导电凸块或导电球添加到晶圆上的每个半导体裸片上。典型地，首先在半导体裸片的上表面上形成多个凸块。然后，将晶圆分割以使裸片彼此分隔开。然后，可以将裸片面朝下地放置到另一个衬底上，从而使得这些导电凸块与衬底的多个焊区对齐。可以在裸片与衬底之间设置底部填充材料来包围这些凸块，由此提供进一步的结构支撑。在晶圆级加工中，分割工艺可能造成裸片缺陷。例如，使用锯片的分割可能会压碎裸片的多个部分或者在裸片中的一个或多个层中造成豁口。即使被压碎的部分和有豁口的层不在裸片的有源区域中，其也可能会引起结构弱点，这些结构弱点引起裂纹延伸穿过裸片，由此引起可靠性问题。
技术实现思路
一个或多个实施例涉及半导体结构，这些半导体结构包本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构，包括：上表面；第一接触焊盘，所述第一接触焊盘位于所述上表面上；重分布层，所述重分布层包括迹线和重分布的接触焊盘，所述重分布的接触焊盘与所述第一接触焊盘电连通；导电柱，所述导电柱位于所述第一接触焊盘上或所述重分布的接触焊盘上；包封层，所述包封层位于所述上表面之上并且围绕着所述导电柱；以及在所述导电柱上的导电凸块，所述导电凸块位于所述包封层上方。

【技术特征摘要】
2015.03.31 US 14/674,8911.一种半导体结构，包括：上表面；第一接触焊盘，所述第一接触焊盘位于所述上表面上；重分布层，所述重分布层包括迹线和重分布的接触焊盘，所述重分布的接触焊盘与所述第一接触焊盘电连通；导电柱，所述导电柱位于所述第一接触焊盘上或所述重分布的接触焊盘上；包封层，所述包封层位于所述上表面之上并且围绕着所述导电柱；以及在所述导电柱上的导电凸块，所述导电凸块位于所述包封层上方。2.如权利要求1所述的半导体结构，其中，所述导电柱位于所述第一接触焊盘上。3.如权利要求1所述的半导体结构，其中，所述重分布层位于所述导电柱之上。4.如权利要求1所述的半导体结构，其中，所述导电柱位于所述重分布的接触焊盘上。5.如权利要求1所述的半导体结构，其中，所述包封层位于所述重分布层的至少一部分之上。6.如权利要求1所述的半导体结构，其中，所述导电柱具有第一表面并且所述包封层具有第二表面，其中，所述第一表面与所述第二表面齐平。7.如权利要求1所述的半导体结构，其中，所述包封层是模制化合物。8.如权利要求7所述的半导体结构，其中，所述模制化合物是树脂。9.如权利要求1所述的半导体结构，进一步包括半导体裸片，其
\t中，所述上表面是所述裸片的上表面，其中，所述半导体裸片具有周边并且在所述裸片的所述周边处包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·泰伊塞伊瑞，靳永钢，刘云，
申请(专利权)人：意法半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：新加坡;SG