一种浮法硅晶片的制作工艺，采取融熔、结晶成型、打磨切割连续工艺制取。将硅原料通过加料装置（１）加入到坩锅（２）中，坩锅内的温度设在高于硅熔点１４２１℃以上，固态的硅原料在１４２１℃以上熔化成液态硅，液态硅上方经加料口连续排除氩气或其他惰...