低功耗半导体整流器件制造技术

本发明专利技术一种低功耗半导体整流器件，其位于第二引线条一端的焊接区与连接片的第一焊接面连接；连接片的第一焊接面和第二焊接面之间具有一中间区，此中间区与第一焊接面和第二焊接面之间分别设有第一折弯处和第二折弯处，所述连接片的第二焊接面相对的两侧端面均具有条状缺口，第二焊接面均匀分布有若干个第一通孔，一第二通孔位于第二折弯处、第二焊接面、中间区上，此第二通孔横跨第二折弯处并延伸到第二焊接面、中间区边缘区域，所述第一折弯处、第二折弯处与中间区夹角为125°~145°。本发明专利技术低功耗半导体整流器件可以自适应吸收多余的焊料，既保证了焊接区域铺展有足够面积的焊料，又避免了因为焊料量多而溢出可焊接区造成产品失效，提高了产品电性。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术一种低功耗半导体整流器件，其位于第二引线条一端的焊接区与连接片的第一焊接面连接；连接片的第一焊接面和第二焊接面之间具有一中间区，此中间区与第一焊接面和第二焊接面之间分别设有第一折弯处和第二折弯处，所述连接片的第二焊接面相对的两侧端面均具有条状缺口，第二焊接面均匀分布有若干个第一通孔，一第二通孔位于第二折弯处、第二焊接面、中间区上，此第二通孔横跨第二折弯处并延伸到第二焊接面、中间区边缘区域，所述第一折弯处、第二折弯处与中间区夹角为125°~145°。本专利技术低功耗半导体整流器件可以自适应吸收多余的焊料，既保证了焊接区域铺展有足够面积的焊料，又避免了因为焊料量多而溢出可焊接区造成产品失效，提高了产品电性。【专利说明】低功耗半导体整流器件
本专利技术涉及一种半导体封装器件，尤其涉及一种低功耗半导体整流器件。
技术介绍
整流器是利用二极管的单向导电特性对交流电进行整流，故被广泛应用于交流电转换成直流电的电路中。在设计开发连接片结构半导体产品时，为了提升大功率器件芯片表面的导电性能暨提升器件的关键电特性，需要把连接片与芯片焊接部分的面积设计的足够大。连接片与芯片上表面通过焊料焊接在一起。受限于连接片-芯片焊接区域和芯片上表面面积的匹配，焊料用量的控制成为关键工艺参数。焊料偏少会导致器件电特性不良，焊料过多会导致器件短路或早期可靠性失效。现有技术往往存在随着时间的延长，会出现各种电性能下降。尤其是 因此，如何研发一种整流芯片封装结构，能解决上述问题，便成为本领域技术人员努力的方向。
技术实现思路
本专利技术目的是提供一种低功耗半导体整流器件，该低功耗半导体整流器件可以自适应吸收多余的焊料，既保证了焊接区域铺展有足够面积的焊料，又避免了因为焊料量多而溢出可焊接区造成产品失效，提高了产品电性、可靠性和良率。为达到上述目的，本专利技术采用的技术方案是:一种低功耗半导体整流器件，包括位于环氧封装体内的第一引线条、第二引线条、连接片和整流芯片，该第一引线条一端的支撑区连接到所述整流芯片下表面，该整流芯片下表面通过焊锡膏与该第一引线条的支撑区电连接，第一引线条另一端作为器件电流传输的引脚区； 位于所述第二引线条一端的焊接区与连接片的第一焊接面连接，该第二引线条另一端作为器件电流传输的引脚区；所述连接片第二焊接面与整流芯片上表面通过焊锡膏电连接； 所述连接片的第一焊接面和第二焊接面之间具有一中间区，此中间区与第一焊接面和第二焊接面之间分别设有第一折弯处和第二折弯处，从而使得中间区高度高于第一焊接面和第二焊接面，所述连接片的第二焊接面相对的两侧端面均具有条状缺口；所述第二焊接面均匀分布有若干个第一通孔，一第二通孔位于第二折弯处、第二焊接面、中间区上，此第二通孔横跨第二折弯处并延伸到第二焊接面、中间区边缘区域，所述第一折弯处、第二折弯处与中间区夹角为125°?145°。由于上述技术方案运用，本专利技术与现有技术相比具有下列优点和效果: 1.本专利技术低功耗半导体整流器件，其连接片的第一焊接面和第二焊接面之间具有一中间区，此中间区与第一焊接面和第二焊接面之间分别设有第一折弯处和第二折弯处，从而使得中间区高度高于第一焊接面和第二焊接面，所述连接片的第二焊接面相对的两侧端面均具有条状缺口，在保证不降低接触面积和增加电阻的情况下，可以自适应吸收多余的焊料，从而防止焊料进入非焊接区，既保证了焊接区域铺展有足够面积的焊料，又避免了因为焊料量多而溢出可焊接区造成产品失效、短路，提高了产品电性和可靠性大大提高了良率。2.本专利技术低功耗半导体整流器件，其连接片的第一焊接面和第二焊接面之间具有一中间区，此中间区与第一焊接面和第二焊接面之间分别设有第一折弯处和第二折弯处，从而使得中间区高度高于第一焊接面和第二焊接面，所述连接片的第二焊接面相对的两侧端面均具有条状缺口；所述第二焊接面均匀分布有若干个第一通孔;既可防止焊料进入非焊接区，避免了因为焊料量多而溢出可焊接区造成产品失效、短路，提高了产品电性和可靠性大大提高了良率，第二焊接面均匀分布有若干个第一通孔由于第一通孔覆盖溢出的焊料，防止焊料在焊接面边缘溢出，利用了连接片中第一通孔的侧面积，减小了接触电阻和响应时间，降低了功耗，也加强了连接片与整流芯片的连接强度。3.本专利技术低功耗半导体整流器件，其连接片的第二焊接面相对的两侧端面均具有条状缺口 ；所述第二焊接面均匀分布有若干个第一通孔，一第二通孔位于第二折弯处、第二焊接面、中间区上，此第二通孔横跨第二折弯处并延伸到第二焊接面、中间区边缘区域；进一步防止焊料进入非焊接区，避免了因为焊料量多而溢出可焊接区造成产品失效、短路，提高了产品电性和可靠性大大提高了良率，第二焊接面均匀分布有若干个第一通孔由于通孔覆盖溢出的焊料，防止焊料在焊接面边缘溢出，减小了接触电阻和响应时间，降低了功耗。【附图说明】附图1为现有技术封装结构示意图一； 附图2为现有技术封装结构示意图二； 附图3为本专利技术低功耗半导体整流器件结构示意图； 附图4为附图3中A-A剖面结构示意图； 附图5为附图4的局部结构示意图。以上附图中:1、第一引线条;11、支撑区；2、第二引线条;21、焊接区；3、连接片;31、第一焊接面;32、第二焊接面;33、中间区；34、第一折弯处;35、第二折弯处;4、整流芯片;5、引脚区;6、条状缺口；7、第一通孔;8、焊料;9、第二通孔。【具体实施方式】下面结合附图及实施例对本专利技术作进一步描述: 实施例:一种低功耗半导体整流器件，包括位于环氧封装体内的第一引线条1、第二引线条2、连接片3和整流芯片4，该第一引线条I 一端的支撑区11连接到所述整流芯片4下表面，该整流芯片4下表面通过焊锡膏与该第一引线条I的支撑区11电连接，第一引线条I另一端作为器件电流传输的引脚区5; 位于所述第二引线条2—端的焊接区21与连接片3的第一焊接面31连接，该第二引线条2另一端作为器件电流传输的引脚区5;所述连接片3第二焊接面32与整流芯片4上表面通过焊锡膏电连接； 所述连接片3的第一焊接面31和第二焊接面32之间具有一中间区33，此中间区33与第一焊接面31和第二焊接面32之间分别设有第一折弯处34和第二折弯处35，从而使得中间区33高度高于第一焊接面31和第二焊接面32，所述连接片3的第二焊接面相对的两侧端面均具有条状缺口 6;所述第二焊接面32均匀分布有若干个第一通孔7，一第二通孔9位于第二折弯处35、第二焊接面32、中间区33上，此第二通孔9横跨第二折弯处35并延伸到第二焊接面32、中间区33边缘区域。上述连接片3的第一焊接面31高度低于所述第二焊接面32高度。上述第一折弯处34、第二折弯处35与中间区33夹角为125°或者130°或者145°。采用上述低功耗半导体整流器件时，其连接片的第一焊接面和第二焊接面之间具有一中间区，此中间区与第一焊接面和第二焊接面之间分别设有第一折弯处和第二折弯处，从而使得中间区高度高于第一焊接面和第二焊接面，所述连接片的第二焊接面相对的两侧端面均具有条状缺口，在保证不降低接触面积和增加电阻的情况下，可以自适应吸收多余的焊料，从而防止焊料8进入非焊接区，既保证了焊接区域铺展有足够面积的焊料8，又避免了因为焊料8量多而溢出可焊接本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低功耗半导体整流器件，包括位于环氧封装体内的第一引线条（1）、第二引线条（2）、连接片（3）和整流芯片（4），该第一引线条（1）一端的支撑区（11）连接到所述整流芯片（4）下表面，该整流芯片（4）下表面与该第一引线条（1）的支撑区（11）电连接，第一引线条（1）另一端作为器件电流传输的引脚区（5）；位于所述第二引线条（2）一端的焊接区（21）与连接片（3）的第一焊接面（31）连接，该第二引线条（2）另一端作为器件电流传输的引脚区（5）；所述连接片（3）第二焊接面（32）与整流芯片（4）上表面电连接；其特征在于：所述连接片（3）的第一焊接面（31）和第二焊接面（32）之间具有一中间区（33），此中间区（33）与第一焊接面（31）和第二焊接面（32）之间分别设有第一折弯处（34）和第二折弯处（35），从而使得中间区（33）高度高于第一焊接面（31）和第二焊接面（32），所述连接片（3）的第二焊接面相对的两侧端面均具有条状缺口（6）；所述第二焊接面（32）均匀分布有若干个第一通孔（7），一第二通孔（9）位于第二折弯处（35）、第二焊接面（32）、中间区（33）上，此第二通孔（9）横跨第二折弯处（35）并延伸到第二焊接面（32）、中间区（33）边缘区域；所述第一折弯处（34）、第二折弯处（35）与中间区（33）夹角为130°。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张雄杰，何洪运，程琳，
申请(专利权)人：苏州固锝电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32