高稳定性大功率三相桥堆制造技术

一种高稳定性大功率三相桥堆，包括环氧封装体和6颗芯片；环氧封装体内还包括有正极芯片载板、负极芯片载板和3个交流芯片载板；6颗芯片中的3颗对应于正极芯片载板，正极芯片载板与该3颗芯片的负极面电性连接，该3颗芯片的正极面与3个交流芯片载板一一对应，且分别通过一第一连接片电性连接；6颗芯片中的另外3颗一一对应于3个交流芯片载板设置，3个交流芯片载板与该3颗芯片的负极面一一对应地电性连接，该3颗芯片的正极面与负极芯片载板分别通过一第二连接片电性连接；正极芯片载板的主体部上于任意两颗对应的芯片之间开设有至少一个第一通孔，负极芯片载板上开设有一第二通孔。本大功率桥堆能够提高长期使用过程中的稳定性。定性。定性。

【技术实现步骤摘要】
高稳定性大功率三相桥堆


[0001]本技术涉及半导体封装
，特别地，涉及一种高稳定性大功率三相桥堆。

技术介绍

[0002]大功率桥堆产品的开发面临两大难题，一方面，产品需要长期承载大电流工作，是设备板卡上的主要发热元件之一，因此，良好的散热性能是主要技术指标之一；另一方面，大功率桥堆产品需要封装大尺寸芯片，封装结构应力是造成产品失效的重要因素，芯片承受的应力包括来自于工艺过程中的冷热冲击和终端产品在高温/低温条件下长期使用产生的内部应力。
[0003]因此，现有桥堆产品所面临的问题有两点，第一，产品散热性能不够理想，需要整机厂采用更大的散热片或机箱较强的对流条件来改善整机散热性能，设备在严苛的高温条件下工作时，散热问题更为突出；第二，产品封装结构应力大，封装工艺过程中的热应力、机械应力有对芯片造成潜在损伤的风险，后期在恶劣的使用条件下更有可能产生产品失效的情况。
[0004]针对上述问题，就需要提供一种提高散热能力，并降低结构应力，以保证长期使用过程中性能稳定的大功率桥堆。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于提供一种高稳定性大功率三相桥堆。
[0006]本技术采用的技术方案是：一种高稳定性大功率三相桥堆，包括环氧封装体，以及包覆于所述环氧封装体内的6颗芯片；
[0007]所述环氧封装体内还包括有一个正极芯片载板、一个负极芯片载板和3个沿该环氧封装体长度方向间隔排布的交流芯片载板；
[0008]所述正极芯片载板、所述负极芯片载板和所述交流芯片载板均包括主体部和自所述环氧封装体内向外伸出的外延部，所述正极芯片载板的外延部为正极引脚，所述负极芯片载板的外延部为负极引脚，所述交流芯片载板的外延部为交流端引脚；
[0009]6颗所述芯片中的3颗对应于所述正极芯片载板设置，该3颗芯片沿环氧封装体长度方向间隔排布，所述正极芯片载板的主体部上表面与该3颗芯片的负极面电性连接，该3颗芯片的正极面与3个所述交流芯片载板的主体部上表面一一对应，且分别通过一第一连接片电性连接；
[0010]6颗所述芯片中的另外3颗一一对应于3个所述交流芯片载板设置，3个所述交流芯片载板的主体部上表面与该3颗芯片的负极面一一对应地电性连接，该3颗芯片的正极面与所述负极芯片载板的主体部上表面分别通过一第二连接片电性连接；
[0011]所述正极芯片载板的主体部上于任意两颗对应的所述芯片之间开设有至少一个第一通孔，所述负极芯片载板的主体部上开设有一第二通孔。
[0012]进一步的技术方案，所述第二通孔位于所述环氧封装体长度方向的中轴线上。
[0013]进一步的技术方案，所述负极芯片载板在所述第二通孔位置处形成环绕该第二通孔的环状结构。
[0014]进一步的技术方案，所述正极芯片载板、所述负极芯片载板和至少一个所述交流芯片载板各自的主体部边缘处均设置有至少一个缺口。
[0015]进一步的技术方案，所述正极芯片载板和所述负极芯片载板各自的主体部与外延部垂直交叉设置。
[0016]本技术的有益效果在于：本大功率三相桥堆通过对芯片、载板等结构的排布和设置，降低了产品在封装过程中以及长期使用过程中产生的结构应力，同时提升了产品的散热性能，能够提高长期使用过程中的稳定性。
附图说明
[0017]附图1为本技术实施例的结构示意图。
[0018]以上附图中：1、环氧封装体；2、芯片；3、正极芯片载板；4、交流芯片载板；5、负极芯片载板；6a、第一连接片；6b、第二连接片；7、正极引脚；8、负极引脚；9、交流端引脚；10、缺口；11、第一通孔；12、第二通孔。
实施方式
[0019]下面结合附图及实施例对本技术作进一步描述：
[0020]以下将以图式及详细叙述对本案进行清楚说明，任何本领域技术人员在了解本案的实施例后，当可由本案所教示的技术，加以改变及修饰，其并不脱离本案的精神与范围。
[0021]本文的用语只为描述特定实施例，而无意为本案的限制。单数形式如“一”、“这”、“此”、“本”以及“该”，如本文所用，同样也包含复数形式。
[0022]关于本文中所使用的“第一”、“第二”等，并非特别指称次序或顺位的意思，亦非用以限定本案，其仅为了区别以相同技术用语描述的组件或操作。
[0023]关于本文中所使用的“连接”或“定位”，均可指二或多个组件或装置相互直接作实体接触，或是相互间接作实体接触，亦可指二或多个组件或装置相互操作或动作。
[0024]关于本文中所使用的“包含”、“包括”、“具有”等，均为开放性的用语，即意指包含但不限于。
[0025]关于本文中所使用的用词（terms），除有特别注明外，通常具有每个用词使用在此领域中、在本案内容中与特殊内容中的平常意义。某些用以描述本案的用词将于下或在此说明书的别处讨论，以提供本领域技术人员在有关本案之描述上额外的引导。
[0026]关于本文中所使用的“前”、“后”、“上”、“下”、“左”、“右”等，均为方向性用词，在本案中仅为说明各结构之间位置关系，并非用以限定本案保护范围及实际实施时的具体方向。
[0027]如图1所示的实施例，提供一种高稳定性大功率三相桥堆，主要应用于工业控制、充电桩、汽车电子，该三相桥堆包括环氧封装体1，以及包覆于所述环氧封装体1内的6颗芯片2。
[0028]所述环氧封装体1内还包括有一个正极芯片载板3、一个负极芯片载板5和3个沿该
环氧封装体1长度方向间隔排布的交流芯片载板4。
[0029]所述正极芯片载板3、所述负极芯片载板5和所述交流芯片载板4均包括主体部和自所述环氧封装体1内向外伸出的外延部，所述正极芯片载板3的外延部为正极引脚7，所述负极芯片载板5的外延部为负极引脚8，所述交流芯片载板4的外延部为交流端引脚9。
[0030]6颗所述芯片2中的3颗对应于所述正极芯片载板3设置，该3颗芯片2沿环氧封装体1长度方向间隔排布，所述正极芯片载板3的主体部上表面与该3颗芯片2的负极面电性连接，该3颗芯片2的正极面与3个所述交流芯片载板4的主体部上表面一一对应，且分别通过一第一连接片6a电性连接。
[0031]6颗所述芯片2中的另外3颗一一对应于3个所述交流芯片载板4设置，3个所述交流芯片载板4的主体部上表面与该3颗芯片2的负极面一一对应地电性连接，该3颗芯片2的正极面与所述负极芯片载板5的主体部上表面分别通过一第二连接片6b电性连接。
[0032]其中，6颗芯片2的正极面一致向上，避免了反放芯片2使其正极面向下带来的芯片2保护环区域承受较大结构应力的问题。
[0033]该结构下，6颗芯片2分别搭接独立的连接片，避免了现有结构中通常3颗芯片2共用连接片，而导致连接片尺寸大，受热膨胀后变形量较大，给芯片2带来的应力比也较大的问题；同时使得芯片载板分散设置，散热面积最大化，使6颗芯片2产生的热量能够通过金属铜迅速导出到外部散热片，芯片2位置本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高稳定性大功率三相桥堆，其特征在于：包括环氧封装体（1），以及包覆于所述环氧封装体（1）内的6颗芯片（2）；所述环氧封装体（1）内还包括有一个正极芯片载板（3）、一个负极芯片载板（5）和3个沿该环氧封装体（1）长度方向间隔排布的交流芯片载板（4）；所述正极芯片载板（3）、所述负极芯片载板（5）和所述交流芯片载板（4）均包括主体部和自所述环氧封装体（1）内向外伸出的外延部，所述正极芯片载板（3）的外延部为正极引脚（7），所述负极芯片载板（5）的外延部为负极引脚（8），所述交流芯片载板（4）的外延部为交流端引脚（9）；6颗所述芯片（2）中的3颗对应于所述正极芯片载板（3）设置，该3颗芯片（2）沿环氧封装体（1）长度方向间隔排布，所述正极芯片载板（3）的主体部上表面与该3颗芯片（2）的负极面电性连接，该3颗芯片（2）的正极面与3个所述交流芯片载板（4）的主体部上表面一一对应，且分别通过一第一连接片（6a）电性连接；6颗所述芯片（2）中的另外3颗一一对应于3个所述交流芯片载板（4）设置，3个所述交流芯片载板（4）的主体部上表面与该3颗芯片（2）的负极面一一对应地电性连接，该3颗芯片（2）的正极面与所述负极芯片...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈加勇，王丽丹，朱建平，刘玉龙，
申请(专利权)人：苏州固锝电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：