薄膜制造装置、掩模组、薄膜制造方法制造方法及图纸

提供能够使膜厚的测定结果立即反映到成膜工序中的薄膜制造装置和薄膜制造方法。在一个成膜单元(11)的成膜室(22)内，在成膜对象物形成构图后的薄膜，然后使其移动至另一成膜单元(11)的成膜室(22)而形成构图后的另一薄膜，此时，在位于成膜单元(11)之间的第一移动室(21)或第二移动室(23)中，从光发送部(32)将偏振光照射至所形成的薄膜之中的与成膜对象物表面接触的测定用薄膜的部分，由光接收部(33)接收反射光，通过椭圆偏振计求出薄膜的膜厚。在测定结果为异常值的情况下，使形成显示异常值的薄膜的成膜室(22)的运转停止。当在多个成膜室(22)形成不同的薄膜时，如果预先以各薄膜的测定用部分分离地定位的方式形成掩模，则即使在二层以上的薄膜形成后，也能够进行膜厚测定。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及膜厚测定的技术，特别地涉及通过基于椭圆偏振技术的测定而进行成膜工序的管理的技术。
技术介绍
在真空蒸镀装置等成膜装置中，从在成膜室的内部设置的成膜源释放薄膜的构成材料的微粒，使其附着于成膜对象物，形成期望的膜厚的薄膜。因此，薄膜的膜厚的管理变得重要，但使用膜厚传感器来测定膜厚同时使薄膜生长的技术是普遍的。例如，在图10的符号110所示的蒸镀装置中，在真空槽111中配置蒸发源112，在其上方配置掩模113和成膜对象物114，在真空槽111内成为真空气氛的状态下，如果从蒸发源112释放薄膜材料的微粒(在此为蒸气)，则通过形成于掩模113的开口的蒸气到达成膜对象物114，形成与掩模113的开口的图案相仿的图案的薄膜。在蒸发源112的蒸气所到达的位置，配置有石英振动器115，从蒸发源112释放的微粒，除了成膜对象物114以外还到达石英振动器115，在石英振动器115的表面生长的薄膜的膜厚利用石英振动器115的谐振频率的变化来测定，换算成在成膜对象物114的表面形成的薄膜的膜厚值。在这样的膜厚测定中，除了测定精度低之外，还必须频繁地更换薄膜生长的石英振动器115，使装置的运转率恶化。除了在成膜中测定膜厚的管理以外，还存在如下的管理方法：在通过时间管理等形成了推断为期望膜厚的薄膜之后，将成膜对象物搬出至成膜室的外部，使用椭圆偏振计等膜厚计来进行膜厚的测定，由此确认所形成的薄膜的膜厚是否处于基准范围内。使用振动器的膜厚计由于频率的下降或温度变化等因素而测定值容易受到影响，与此相对的是，椭圆偏振技术的膜厚测定是正确的，能够得到可靠性高的膜厚值。然而，由于椭圆偏振计配置于大气中，因而如果将作为测定对象的成膜对象物搬出至大气中进行测定，则测定作业需要长时间，难以使测定结果立即反映到成膜工序中。另外，在形成如有机EL器件那样的多层层叠膜的情况下，在技术上难以测定层叠膜的膜厚，不能够使测定结果反映到成膜工序中。下述是具有椭圆偏振计的现有技术的成膜装置。在先技术文献专利文献专利文献1：日本特表2012-502177号。
技术实现思路
专利技术要解决的课题本专利技术是为了解决上述现有技术的课题而创作的，提供如下的技术：不使成膜对象物暴露于大气，能够通过椭圆偏振技术来测定膜厚，并使测定的膜厚值在短时间内反映到生产工序中。用于解决课题的方案为了解决上述课题，本专利技术是如下的薄膜制造装置，其具有：第一成膜源，释放作为第一成膜物质的微粒的第一微粒；第二成膜源，释放作为第二成膜物质的微粒的第二微粒；第一、第二成膜室，分别配置有前述第一、第二成膜源；第一掩模，形成有第一主开口，配置于前述第一成膜室；第二掩模，形成有第二主开口，配置于前述第二成膜室；以及椭圆偏振计，具有射出偏振光的光发送部和接收入射光的光接收部，在前述第一成膜室中，成膜对象物与前述第一掩模对置，利用通过前述第一主开口的前述第一微粒来在前述成膜对象物上形成第一主薄膜，在前述第二成膜室中，前述成膜对象物与前述第二掩模对置，利用通过前述第二主开口的前述第二微粒来在前述成膜对象物上形成第二主薄膜，其中，在前述第一掩模中，在与前述第一主开口不同的部位形成有第一副开口，在前述第二掩模中，在与前述第二主开口不同的部位形成有第二副开口，当在前述第一成膜室中形成薄膜时，利用通过前述第一副开口的第一微粒来形成与前述成膜对象物的表面接触的第一测定用薄膜，当在前述第二成膜室中形成薄膜时，利用通过前述第二副开口的第二微粒来形成与前述成膜对象物的表面接触的第二测定用薄膜，设置有从前述第一成膜室搬出的前述成膜对象物所搬入的移动室，前述光发送部和前述光接收部配置于前述移动室内，在前述移动室内配置的前述成膜对象物的前述第一测定用薄膜的表面露出，前述偏振光照射至前述第一测定用薄膜的露出的表面，反射光入射至前述光接收部，测定前述第一测定用薄膜的膜厚值。本专利技术是如下的薄膜制造装置：在测定了前述第一测定用薄膜的膜厚值之后，形成前述第二主薄膜和前述第二测定用薄膜。本专利技术是如下的薄膜制造装置：前述第一、第二成膜室和前述移动室配置成：形成有前述第一主薄膜和前述第一测定用薄膜且从前述第一成膜室搬出的前述成膜对象物，在前述移动室内前述偏振光照射至前述第一测定用薄膜之后，被搬入前述第二成膜室，形成前述第二主薄膜和前述第二测定用薄膜。本专利技术是如下的薄膜制造装置：在形成有前述第一、第二主薄膜以及前述第一、第二测定用薄膜之后，测定前述第一测定用薄膜的膜厚值。本专利技术是如下的薄膜制造装置：将前述偏振光照射至在前述移动室内配置的前述成膜对象物的前述第二测定用薄膜，反射光入射至前述光接收部，测定前述第二测定用薄膜的膜厚值。本专利技术是如下的薄膜制造装置：前述第一、第二主薄膜形成于前述成膜对象物的表面的相同部位上。本专利技术是如下的薄膜制造装置，其具有：第三成膜源，释放作为第三成膜物质的微粒的第三微粒；第三成膜室，配置有前述第三成膜源；以及第三掩模，形成有第三主开口和第三副开口，配置于前述第三成膜室，在前述第三成膜室中，前述成膜对象物与前述第三掩模对置，利用通过前述第三主开口的前述第三微粒和通过前述第三副开口的前述第三微粒来形成前述第一、第二主薄膜和前述第一、第二测定用薄膜，在前述第一、第二测定用薄膜的表面露出的前述成膜对象物上，形成第三主薄膜和第三测定用薄膜，其中，前述第三测定用薄膜与前述成膜对象物接触地形成，即使在形成了前述第三主薄膜和前述第三测定用薄膜之后，前述第一、第二测定用薄膜的表面也依然露出。本专利技术是如下的薄膜制造装置：在测定了前述第一、第二测定用薄膜的膜厚值之后，形成前述第三主薄膜和前述第三测定用薄膜。本专利技术是如下的薄膜制造装置：前述第一、第二、第三主薄膜形成于前述成膜对象物的表面的相同部位上。本专利技术是如下的掩模组：由多个前述掩模组成，前述掩模具有使成膜物质的微粒通过的主开口和将前述微粒遮蔽的遮蔽部，与成膜对象物相面对，使通过前述主开口的前述微粒到达前述成膜对象物，在前述成膜对象物的表面针对每个前述掩模而形成主薄膜，其中，多个前述各掩模分别具有副开口，掩模组构成为：其它的前述掩模的遮蔽部面对于与任一块前述掩模的前述副开口相面对的前述成膜对象物的位置，利用通过前述副开口的前述微粒在前述成膜对象物上针对每个前述掩模而与前述主薄膜一同形成副薄膜。本专利技术是如下的掩模组：前述副薄膜的至少一部分成为与前述成膜对象物接触的测定用薄膜。本专利技术是如下的薄膜制造方法：为在成膜对象物上一次一层地按顺序形成多个薄膜的薄膜制造方法，其中，在形成作为从最初形成的薄膜至最后之前的按顺序形成的薄膜所包含的一个薄膜且包含与前述成膜对象物接触的测定用薄膜的前述一个薄膜之后，从形成了前述一个薄膜的成膜装置经由移动室而移动至形成下一个薄膜的成膜装置，此时，在前述移动室内将偏振光照射至前述一个薄膜的前述测定用薄膜，接收反射光，根据偏振光状态的变化而求出前述测定用薄膜的膜厚值，比较所求出的膜厚值与基准范围，如果处于前述基准范围外则输出警报。本专利技术是如下的薄膜制造方法：使用掩模组，使成膜对象物与各掩模一次一块地相面对，通过各前述掩模在前述成膜对象物上分别形成主薄膜，该掩模组由多个前述掩模组成，该掩模具有使成膜物质的微粒通过的主开口和将前述微粒遮蔽的遮蔽部，与成膜对象物相面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜制造装置，具有：第一成膜源，释放作为第一成膜物质的微粒的第一微粒；第二成膜源，释放作为第二成膜物质的微粒的第二微粒；第一、第二成膜室，分别配置有所述第一、第二成膜源；第一掩模，形成有第一主开口，配置于所述第一成膜室；第二掩模，形成有第二主开口，配置于所述第二成膜室；以及椭圆偏振计，具有射出偏振光的光发送部和接收入射光的光接收部，在所述第一成膜室中，成膜对象物与所述第一掩模对置，利用通过所述第一主开口的所述第一微粒来在所述成膜对象物上形成第一主薄膜，在所述第二成膜室中，所述成膜对象物与所述第二掩模对置，利用通过所述第二主开口的所述第二微粒来在所述成膜对象物上形成第二主薄膜，其中，在所述第一掩模中，在与所述第一主开口不同的部位，形成有第一副开口，在所述第二掩模中，在与所述第二主开口不同的部位，形成有第二副开口，当在所述第一成膜室形成薄膜时，利用通过所述第一副开口的第一微粒来形成与所述成膜对象物的表面接触的第一测定用薄膜，当在所述第二成膜室形成薄膜时，利用通过所述第二副开口的第二微粒来形成与所述成膜对象物的表面接触的第二测定用薄膜，设置有移动室，从所述第一成膜室搬出的所述成膜对象物被搬入该移动室，所述光发送部和所述光接收部配置于所述移动室内，配置于所述移动室内的所述成膜对象物的所述第一测定用薄膜的表面露出，所述偏振光照射至所述第一测定用薄膜的露出的表面，反射光入射至所述光接收部，测定所述第一测定用薄膜的膜厚值。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.02.04 JP 2014-0190381.一种薄膜制造装置，具有：第一成膜源，释放作为第一成膜物质的微粒的第一微粒；第二成膜源，释放作为第二成膜物质的微粒的第二微粒；第一、第二成膜室，分别配置有所述第一、第二成膜源；第一掩模，形成有第一主开口，配置于所述第一成膜室；第二掩模，形成有第二主开口，配置于所述第二成膜室；以及椭圆偏振计，具有射出偏振光的光发送部和接收入射光的光接收部，在所述第一成膜室中，成膜对象物与所述第一掩模对置，利用通过所述第一主开口的所述第一微粒来在所述成膜对象物上形成第一主薄膜，在所述第二成膜室中，所述成膜对象物与所述第二掩模对置，利用通过所述第二主开口的所述第二微粒来在所述成膜对象物上形成第二主薄膜，其中，在所述第一掩模中，在与所述第一主开口不同的部位，形成有第一副开口，在所述第二掩模中，在与所述第二主开口不同的部位，形成有第二副开口，当在所述第一成膜室形成薄膜时，利用通过所述第一副开口的第一微粒来形成与所述成膜对象物的表面接触的第一测定用薄膜，当在所述第二成膜室形成薄膜时，利用通过所述第二副开口的第二微粒来形成与所述成膜对象物的表面接触的第二测定用薄膜，设置有移动室，从所述第一成膜室搬出的所述成膜对象物被搬入该移动室，所述光发送部和所述光接收部配置于所述移动室内，配置于所述移动室内的所述成膜对象物的所述第一测定用薄膜的表面露出，所述偏振光照射至所述第一测定用薄膜的露出的表面，反射光入射至所述光接收部，测定所述第一测定用薄膜的膜厚值。2.根据权利要求1所述的薄膜制造装置，其特征在于，在测定了所述第一测定用薄膜的膜厚值之后，形成所述第二主薄膜和所述第二测定用薄膜。3.根据权利要求2所述的薄膜制造装置，其特征在于，所述第一、第二成膜室和所述移动室配置成：形成有所述第一主薄膜和所述第一测定用薄膜且从所述第一成膜室搬出的所述成膜对象物，在所述移动室内所述偏振光照射至所述第一测定用薄膜之后，被搬入至所述第二成膜室，形成所述第二主薄膜和所述第二测定用薄膜。4.根据权利要求1所述的薄膜制造装置，其特征在于，在形成了所述第一、第二主薄膜和所述第一、第二测定用薄膜之后，测定所述第一测定用薄膜的膜厚值。5.根据权利要求1至4中的任一项所述的薄膜制造装置，其特征在于，所述偏振光照射至在所述移动室内配置的所述成膜对象物的所述第二测定用薄膜，反射光入射至所述光接收部，测定所述第二测定用薄膜的膜厚值。6.根据权利要求1至4中的任一项所述的薄膜制造装置，其特征在于，所述第一、第二主薄膜形成于所述成膜对象物的表面的相同部位上。7.根据权利要求1至4中的任一项所述的薄膜制造装置，其特征在于，具有：第三成膜源，释放作为第三成膜物质的微粒的第三微粒；第三成膜室，配置有所述第三成膜源；以及第三掩模，形成有第三主开口和第三副开口，配置于所述第三成膜室，在所述第三成膜室中，所述成膜对象物与所述第三掩模对置，利用通过所述第三主开口的所述第三微粒和通过所述第三副开口的所述第三微粒来形成所述第一、第二主薄膜和所述第一、第二测定用薄膜，在所述第一、第二测定用薄膜的表面露出的所述成膜对象物上，形成第三主薄膜和第三测定用薄膜，其中，所述第三测定用薄膜与所述成膜对象物接触地形成，即使在形成了所述第三主薄膜和所述第三测定用薄膜之后，所述第一、第二测定用薄膜的表面也依然露出。8.根据权利要求7所述的薄膜制造装置，其特征在于，在测定了所述第一、第二测定用薄膜的膜厚值之后，形成所述第三主薄膜和所述第三测定用薄膜。9.根据权利要求7所述的薄膜制造装置，其特征在于，所述第一、第二、第三主薄膜形成于所述成膜对象物的表面的相同部位上。10.一种由多个所述掩模组成的掩模组，所述掩模具有使成膜物质的微粒通过的主开口和将所述微粒遮蔽的遮蔽部，与成膜对象物相面对，使通过所述主开口的所述微粒到达所述成膜对象物，在所述成膜对象物的表面针对每个所述掩模而形成主薄膜，其中，多个所述各掩模分别具有副开口，构成为：其它的所述掩模的遮蔽部面对于与任一块所述掩模的所述副开口相面对的所述成膜对象物的位置，利用通过所述副开口的所述微粒来在所述成膜对象物上针对每个所述掩模而与所述主薄膜一同形成副薄膜。11.根据权利要求10所述的掩模组，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：深尾万里，糟谷宪昭，
申请(专利权)人：株式会社爱发科，
类型：发明
国别省市：日本;JP