【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
【技术保护点】
一种式(I)的金属‑配位体络合物:其中J为选自以下的单阴离子部分:(RK)(RL)(RX)P=N‑、(RK)(RL)C=N‑、(RK)((RL)(RX)N)C=N‑、(RK)(RL)B‑O‑、RKO‑、RKS‑、RKS(O)‑、(RK)(RL)N‑、(RKN=C(RL)‑N(RX))‑、(RK)(RL)NO‑、RKC(O)O‑、RKC(O)NH‑以及(RK)(RL)P‑,其中各RK、RL以及RX独立地为氢、(C1‑C40)烃基‑、((C1‑C15)烃基)3Si‑、((C1‑C15)烃基)2N‑或(C1‑C40)杂烃基‑;L在每次出现时独立地为卤素、氢、((C1‑C40)烃基)C(O)N(H)‑、((C1‑C40)烃基)C(O)N(H)(C1‑C20)烃基‑、((C1‑C40)烃基)C(O)O‑、(C1‑C40)烃基‑、(C1‑C40)杂烃基‑、RK(RL)N‑、RLO‑、RLS‑或RK(RL)P‑,其中RK和RL中的每一个独立地如上文所定义;并且L在每次出现时为键结于M的单阴离子部分;M为元素周期表第3族、第4族、第5族以及第6族中任一族的金属,所述金属为+2、+3、+4、+5或+6的 ...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:J·克洛西,P·P·方丹,R·菲格罗阿,D·M·皮尔森,T·D·塞内卡尔,
申请(专利权)人:陶氏环球技术有限责任公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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