【技术实现步骤摘要】
本专利技术大致涉及制造集成电路的方法，尤其涉及利用定向自组装形成通孔及接触结构的制造集成电路的方法。
技术介绍
传统上，降低装置尺寸并增加装置密度已成为集成电路制造的高优先级任务。光学微影已成为装置尺寸缩小的驱动力。对于单一曝光图案化，传统光学微影受限于约80纳米(nm)间距。尽管双重或其它多重图案化制程可实现更小间距，但这些方法昂贵且更加复杂。在微影定义的定向或引导图案上对齐自组装聚合物材料的定向自组装(directedself-assembly；DSA)技术是使当前微影超越其间距及分辨率限制的潜在选择。自组装材料例如为包括“A”均聚物与“B”均聚物共价键合的嵌段共聚物(blockcopolymer；BCP)，该嵌段共聚物沉积于半导体在制晶圆(wafer-in-process)或在制品(work-in-process；WIP)上的微影定义定向图案上方。该微影定义定向图案是预图案(下文中称作“DSA定向图案”)，它使用空间化学和/或形貌信息(例如化学外延和/或...
【技术保护点】
一种制造集成电路的方法，包括：确定定向自组装(directed self‑assembly；DSA)期间在嵌段共聚物(block copolymer；BCP)材料中形成的圆柱体之间的自然六角间隔距离L0；依据公式PA＝L0*(sqrt(3)/2)*n确定集成电路特征间距PA，其中n为正整数；产生集成电路布局设计，其中，集成电路特征依据该集成电路特征间距PA而隔开，以及其中，通孔或接触结构与该集成电路特征实体连接及电性连接；以及依据该集成电路布局设计在半导体在制品(work‑in process；WIP)上制造该集成电路特征以及该通孔或接触结构，其中，该通孔或接触结构使用该B...
【技术特征摘要】
2014.12.30 US 14/586,2681.一种制造集成电路的方法，包括：
确定定向自组装(directedself-assembly；DSA)期间在嵌段共聚物(block
copolymer；BCP)材料中形成的圆柱体之间的自然六角间隔距离L0；
依据公式PA＝L0*(sqrt(3)/2)*n确定集成电路特征间距PA，其中n为正整数；
产生集成电路布局设计，其中，集成电路特征依据该集成电路特征间距PA而隔开，以及
其中，通孔或接触结构与该集成电路特征实体连接及电性连接；以及
依据该集成电路布局设计在半导体在制品(work-inprocess；WIP)上制造该集成电路
特征以及该通孔或接触结构，其中，该通孔或接触结构使用该BCP材料的定向自组装而制
造。
2.如权利要求1所述的方法，其中，确定该间隔距离L0包括确定在BCP材料中形成的圆柱
体之间的间隔距离L0，该BCP材料包括聚苯乙烯-嵌段-聚甲基丙烯酸甲酯(PS-b-PMMA)、聚
苯乙烯-嵌段-聚丁二烯(PS-b-PB)、聚苯乙烯-嵌段-聚2-乙烯基吡啶(PS-b-P2VP)、聚苯乙
烯-嵌段-聚二甲基硅氧烷(PS-b-PDMS)或聚苯乙烯-嵌段-聚氧化乙烯(PS-b-PEO)。
3.如权利要求1所述的方法，其中，产生该集成电路布局设计包括依据该集成电路特征
间距PA而隔开金属化层的平行导线。
4.如权利要求1所述的方法，其中，产生该集成电路布局设计包括产生该集成电路布局
设计，其中，主动集成电路结构依据该集成电路特征间距PA而隔开。
5.如权利要求1所述的方法，其中，确定该集成电路特征间距PA包括依据公式PA＝L0*
(sqrt(3)/2)*n确定该集成电路特征间距PA，其中n为1。
6.如权利要求5所述的方法，其中，确定该集成电路特征间距PA是针对该集成电路的第
一层的集成电路特征而执行，其中，该方法还包括针对设于该集成电路的该第一层上方或
下方的该集成电路的第二层的集成电路特征确定集成电路特征间距PB，其中，确定该集成
电路特征间距PB是依据公式PB＝(L0/2)*m而执行，其中m为独立于n所选择的正整数，以及其
中，该方法还包括产生该集成电路布局设计，其中，该集成电路的该第一层的集成电路特征
是依据该集成电路特征间距PA而隔开以及该集成电路的该第二层的集成电路特征是依据
该集成电路特征间距PB而隔开。
7.如权利要求6所述的方法，其中，确定该集成电路特征间距PB包括依据公式PB＝(L0/
2)*m确定该集成电路特征间距PB，其中m为1。
8.如权利要求5所述的方法，其中，确定该集成电路特征间距PA是针对该集成电路的第
一层的集成电路特征而执行，其中，该方法还包括针对设于该集成电路的该第一层上方或
下方的该集成电路的第二层的集成电路特征确定集成电路特征间距PB，其中，确定该集成
电路特征间距PB是依据公式PB＝L0*(sqrt(3)/2)*m而执行，其中，m为独立于n所选择的正整
数，以及其中，该方法还包括产生该集成电路布局设计，其中，该集成电路的该第一层的集
成电路特征是依据该集成电路特征间距PA而隔开以及该集成电路的该第二层的集成电路
特征是依据该集成电路特征间距PB而隔开。
9.如权利要求8所述的方法，其中，确定该集成电路特征间距PB包括依据公式PB＝L0*
(sqrt(3)/2)*m确定该集成电路特征间距PB，其中m为1。
10.如权利要求8所述的方法，其中，产生该集成电路布局设计包括产生该集成电路布
局设计以使该集成电路的该第一层的该集成电路特征沿第一方向取向且使该第二层的该
集成电路特征沿相对该第一方向呈一角度的第二方向取向，从而使与该集成电路的该第一
层连接并以该间隔距离L0彼此隔开的圆柱体也与该集成电路的该第二层连接。
11.如权利要求10所述的方法，其中，产生该集成电路布局设计包括产生该集成电路布
局设计，以使该第二层的该集成电路特征沿相对该第一方向呈约50度至约70度的角度的该
第二方向取向。
12.如权利要求1所述的方法，其中，确定该集成电路特征间距PA包括依据公式PA＝L0*
(sqrt(3)/2)*n确定该集成电路特征间距PA，其中n为2。
13.如权利要求12所述的方法，其中，确定该集成电路特征间距PA是针对该集成电路的
第一层的集成电路特征而执行，其中，该方法还包括针对...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·拉特波夫，J·徐，
申请(专利权)人：格罗方德半导体公司，
类型：发明
国别省市：开曼群岛;KY
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