本发明专利技术属于显示技术领域，提供薄膜晶体管及其制备方法、像素结构及其制备方法、阵列基板、显示装置。该薄膜晶体管包括信号电极、扫描电极、透明层，透明层采用兼具电学传导和光学透明性质的材料形成，信号电极、扫描电极以及透明层彼此之间绝缘设置，信号电极与扫描电极的正投影面积无重叠，信号电极和扫描电极均落入透明层的正投影面积内，信号电极与透明层至少局部电性连接。该薄膜晶体管不仅制备工艺简单，而且其水平方向的遮光面积较小、运用于像素结构中能够显著提高像素结构的开口率。可解决现有的薄膜晶体管的制备工艺繁多、且其水平方向的遮光面积较大以及现有的像素结构的开口率低的问题。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于显示
，具体涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、像素结构及其制备方法、阵列基板、显示装置。
技术介绍
在显示领域，现有的像素结构一般如图1所示，包括薄膜晶体管001和存储电容002，薄膜晶体管001包括源极01、漏极02、栅极03以及用于导通源极01与漏极02的有源层04，存储电容002包括公共电极05和像素电极06。其中，薄膜晶体管001中的源极01和漏极02分别对应设置在有源层04的两端，并分别通过开设过孔，使源极01与有源层04电性连接以及漏极02与有源层04电性连接。这样的薄膜晶体管，不仅制备工艺繁多，而且其水平方向的不透光的面积较大。然而，在像素结构中，存储电容对应着像素结构的有效显示区，薄膜晶体管因为其包括的源极、漏极、栅极均为不透光结构，所以，薄膜晶体管对应着像素结构的区域为非有效显示区、薄膜晶体管水平方向的遮光面积较大将直接导致像素结构的有效显示区的面积减小，从而，导致像素结构的开口率较低，降低显示效果。所以，设计一种制备工艺简单、且水平方向的遮光面积较小的薄膜晶体管，以及相应设计一种开口率更高的像素结构是亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术针对现有的上述技术问题，提供一种薄膜晶体管及其制备方法、像素结构及其制备方法、阵列基板、显示装置。该薄膜晶体管不仅制备工艺简单，而且其水平方向的遮光面积较小、运用于像素结构中能够显著提高像素结构的开口率;阵列基板和显示装置均采用上述像素结构，能够显著提高明亮度和显示效果。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是提供一种薄膜晶体管，包括信号电极、扫描电极、透明层，所述透明层采用兼具电学传导和光学透明性质的材料形成，所述信号电极、所述扫描电极以及所述透明层彼此之间绝缘设置，所述信号电极与所述扫描电极的正投影面积无重叠，所述信号电极和所述扫描电极均落入所述透明层的正投影面积内，所述信号电极与所述透明层至少局部电性连接。优选的是，还包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层或所述第二绝缘层设置于所述信号电极与所述透明层之间，所述透明层采用掺杂的多晶硅材料形成。优选的是，所述透明层对应着所述扫描电极的区域的掺杂量范围为11t3?112离子数/每平方厘米，所述透明层对应着所述信号电极的区域的掺杂量范围为114?116离子数/每平方厘米。优选的是，所述信号电极设置于所述扫描电极的上方，所述透明层设置于所述扫描电极的下方，所述第一绝缘层设置于所述扫描电极与所述透明层之间，所述第二绝缘层设置于所述信号电极与所述扫描电极之间，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层对应开设有通孔，所述信号电极穿过所述通孔与所述透明层电性连接。优选的是，所述信号电极设置于所述透明层的上方，所述扫描电极设置于所述透明层的下方，所述第一绝缘层设置于所述信号电极与所述透明层之间，所述第二绝缘层设置于所述透明层与所述扫描电极之间，所述第一绝缘层对应开设有通孔，所述信号电极穿过所述通孔与所述透明层电性连接。本专利技术提供另一种技术方案:一种像素结构，设置于像素区内，包括上述薄膜晶体管以及设置在所述薄膜晶体管上方的钝化层和导电层。优选的是，所述透明层为板状结构、且延伸至覆盖整个所述像素区，所述导电层设置在所述钝化层的上方、且未覆盖所述信号电极和所述扫描电极所在的区域。优选的是，所述透明层对应着所述导电层的区域的掺杂量范围为114?116离子数/每平方厘米。本专利技术提供另一种技术方案:一种阵列基板，包括上述的像素结构。本专利技术提供另一种技术方案:一种显示装置，包括上述的阵列基板。本专利技术提供另一种技术方案:一种薄膜晶体管的制备方法，包括形成信号电极、扫描电极、透明层的步骤，其中:所述透明层采用兼具电学传导和光学透明性质的材料形成，所述信号电极、所述扫描电极以及所述透明层彼此之间绝缘设置，所述信号电极与所述扫描电极的正投影面积无重叠，所述信号电极和所述扫描电极均落入所述透明层的正投影面积内，所述信号电极与所述透明层至少局部电性连接。优选的是，包括:依次形成透明层、第一绝缘层、扫描电极、第二绝缘层、信号电极的步骤，其中，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层对应开设有通孔，所述信号电极穿过所述通孔与所述透明层连接，所述透明层采用掺杂的多晶硅材料形成。优选的是，包括:依次形成扫描电极、第二绝缘层、透明层、第一绝缘层、信号电极，其中，所述第一绝缘层对应开设有通孔，所述信号电极穿过所述通孔与所述透明层连接，所述透明层采用掺杂的多晶硅材料形成。优选的是，所述透明层对应着所述扫描电极的区域的掺杂量范围为11t3?112离子数/每平方厘米，所述透明层对应着所述信号电极的区域的掺杂量范围为114?116离子数/每平方厘米。本专利技术提供另一种技术方案:一种像素结构的制备方法，在上述的薄膜晶体管的制备方法的基础上，还包括:步骤1:在像素区内，所述透明层制成板状结构、且延伸至覆盖整个所述像素区；步骤2:在所述薄膜晶体管的上方依次形成钝化层、导电层，所述导电层未覆盖所述信号电极和所述扫描电极所在的区域。优选的是，所述透明层对应着所述导电层的区域的掺杂量范围为114?116离子数/每平方厘米。本专利技术提供的薄膜晶体管以及相应的薄膜晶体管的制备方法，均采用掺杂的多晶硅材料形成透明层，该透明层具有现有薄膜晶体管中漏极和有源层的功能，因此，相比于现有薄膜晶体管，在制备工艺上减少了漏极的制备步骤、以及漏极与有源层之间的过孔的制备步骤，使整个制备工艺更加简单;此外，本专利技术的薄膜晶体管因为不具有现有薄膜晶体管中的漏极，所以，其水平方向的遮光面积相应减小，运用于像素结构中能够显著提高像素结构的开口率。本专利技术提供的像素结构以及相应的像素结构的制备方法，采用了上述薄膜晶体管、并将透明层对应着导电层的区域掺杂，使掺杂区域具有了现有像素结构中的像素电极的功能，不仅在制备工艺上减少了像素电极的制备步骤，而且减小了薄膜晶体管对应的非有效显示区的面积、增大了导电层对应的有效显示区的面积，即增大了像素结构的开口率。本专利技术提供的阵列基板和显示装置，均采用了上述像素结构，不仅简化了制备工艺过程，而且能够显著提高其明亮度和显示效果。【附图说明】图1为现有的像素结构的剖视图；图2为本专利技术的实施例1的薄膜晶体管的剖视图；图3为本专利技术的实施例2的薄膜晶体管的剖视图；图4为本专利技术的实施例3的一种像素结构的剖视图；图5为本专利技术的实施例3的另一种像素结构的剖视图；其中，附图标记为:001、薄膜晶体管;002、存储电容;O1、源极;02、漏极;03、栅极;04、有源层;05、公共电极;06、像素电极；100、(顶栅型)薄膜晶体管；11、(底栅型)薄膜晶体管;200、存储电容；1、信号电极;2、扫描电极;3、透明层;4、第一绝缘层;5、第二绝缘层;6、钝化层;7、导电层;8、基板;9、遮光金属层;10、缓冲层；a、透明层3对应着信号电极I的区域；b、透明层3对应着扫描电极2的区域；C、透明层3对应着导电层7的区域。【具体实施方式】为使本领域技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和【具体实施方式】对本专利技术作进一步详细描述。实施例1:本实施例提供一当前第1页1 2 3 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括信号电极、扫描电极、透明层，所述透明层采用兼具电学传导和光学透明性质的材料形成，所述信号电极、所述扫描电极以及所述透明层彼此之间绝缘设置，所述信号电极与所述扫描电极的正投影面积无重叠，所述信号电极和所述扫描电极均落入所述透明层的正投影面积内，所述信号电极与所述透明层至少局部电性连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张洁，李付强，陈小川，薛海林，樊君，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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