硅片背面清洗装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种硅片背面清洗装置，可以从硅片的背面清洗和干燥硅片，而且可以在同一操作中同时实施对不同尺寸的硅片的清洗和干燥。其技术方案为：硅片背面清洗装置包括：圆环形喷头支架，位于放置了硅片的基板承载盘的外围；多个清洗喷头，对硅片背面进行清洗，分布于圆环形喷头支架的上方和下方，分为两组，其中一组安装在圆环形喷头支架的外圈，另一组安装在圆环形喷头支架的内圈；多个气体喷头，对清洗后的硅片背面进行干燥处理，分为两组，其中一组安装在圆环形喷头支架的外圈，另一组安装在圆环形喷头支架的内圈。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种硅片清洗设备，尤其涉及一种对硅片背面实施清洗的设备。
技术介绍
对半导体产业而言，随着器件工艺的关键尺寸的不断缩小，因此对晶圆显影工艺的要求更加严苛。现代晶圆显影方式主要分为两大类:湿法显影和干法(等离子)显影。目前，湿法显影仍然是半导体厂家广泛使用的显影方式。其中，湿法显影方式分为沉浸显影、喷射显影和混凝显影三种，而喷射显影和混凝显影又由于其自身的优势而更受青睐。然而，不管采用何种工艺方式，都需要在显影之后对硅片(基板)进行清洗和干燥。传统的设备中通常对8寸晶圆硅片和12寸晶圆硅片进行分开处理，S卩，有两套清洗干燥的设备，一套应用于8寸硅片，另一套应用于12寸硅片。而这种将两个尺寸的硅片分开进行清洗和干燥的处理方式，提高了生产成本，降低了工作效率，也增加了工艺制造的流程和复杂度。
技术实现思路
以下给出一个或多个方面的简要概述以提供对这些方面的基本理解。此概述不是所有构想到的方面的详尽综览，并且既非旨在指认出所有方面的关键性或决定性要素亦非试图界定任何或所有方面的范围。其唯一的目的是要以简化形式给出一个或多个方面的一些概念以为稍后给出的更加详细的描述之序本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅片背面清洗装置，其特征在于，包括：圆环形喷头支架，位于放置了硅片的基板承载盘的外围；多个清洗喷头，对硅片背面进行清洗，分布于圆环形喷头支架的上方和下方，分为两组，其中一组安装在圆环形喷头支架的外圈，另一组安装在圆环形喷头支架的内圈；多个气体喷头，对清洗后的硅片背面进行干燥处理，分为两组，其中一组安装在圆环形喷头支架的外圈，另一组安装在圆环形喷头支架的内圈。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴均，王家毅，金一诺，王坚，王晖，
申请(专利权)人：盛美半导体设备上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31