集成电路芯片制造技术

技术编号:12761571 阅读:50 留言:0更新日期:2016-01-22 10:23
本实用新型专利技术涉及具有校正温度漂移的集成电路芯片,其中集成电路芯片包括沟槽,沟槽至少部分地环绕电路的对温度变化敏感的关键部分。沟槽局部中断以允许电路连接经过关键部分和包含电路的剩余部分的外部之间。关键部分包括加热电阻器和温度传感器。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种集成电路芯片,其特征在于包括:多个沟槽,至少部分地环绕所述集成电路芯片的关键部分的周界;位于所述关键部分中的对温度变化敏感的电路装置;其中所述沟槽局部地彼此断开;一个或多个电连接,经过所述集成电路芯片中所述沟槽局部地彼此断开的部分,所述电连接在所述关键部分和所述集成电路芯片的外部部分之间延伸;一个或多个加热电阻器,放置在所述电路部分中;以及温度传感器,放置在所述电路部分中。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:S·庞塔罗洛P·迈格
申请(专利权)人:意法半导体格勒诺布尔二公司
类型:新型
国别省市:法国;FR

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1