用于提高非易失性存储器的耐久性的动态擦除深度制造技术

公开了通过动态擦除深度来提高非易失性存储器的耐久性。对一组存储器单元进行擦除。然后，对经擦除的存储器单元中的至少一些存储器单元进行编程。对存储器单元进行编程通常影响意欲保持被擦除的那些存储器单元的擦除阈值分布。可以基于编程操作影响擦除阈值分布的程度来调节下一擦除的擦除深度。作为一个示例，在编程之后对擦除分布的上尾进行测量。在一种实施方式中，该上尾越高，下一擦除越浅。这有助于提高耐久性。在一种实施方式中，通过确定适当擦除验证电平来调节擦除深度。可以对擦除验证过后进行的擦除脉冲的数量进行调节而不是对擦除验证电平进行调节(或者可以除对擦除验证电平进行调节以外对擦除验证过后进行的擦除脉冲的数量进行调节)来调节擦除深度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利说明】用于提高非易失性存储器的耐久性的动态擦除深度优先权本申请要求2013年3月4日提交的名称为“PARTIT1NED ERASE AND ERASEVERIFICAT1N IN NON-VOLATILE MEMORY” 的美国临时申请 N0.61/772，250 的权益，其全部内容通过引用合并于本文。
技术介绍
本公开内容涉及用于非易失性存储器的技术。在各种电子设备中使用半导体存储器。例如，在蜂窝电话、数字摄影机、个人数字助理、移动计算设备、非移动计算设备以及其他设备中使用非易失性半导体存储器。电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)和闪存存储器属于最普遍的非易失性半导体存储器。—些非易失性存储器利用了浮栅，浮栅位于半导体衬底中的沟道区之上并且与该沟道区绝缘。浮栅位于源极区与漏极区之间。控制栅极设置在浮栅之上并且与浮栅绝缘。晶体管的阈值电压由浮栅上所保留的电荷量来控制。即，由浮栅上的电荷电平来控制在晶体管被接通以许可在它的源极与漏极之间进行传导之前必须施加给控制栅极的最小电压量。—些非易失性存储器使用电荷捕获层来存储信息。一个这样的示例具有氧化物-氮化物-氧化物(0N0)区，其本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于操作非易失性存储器的方法，所述方法包括：对一组非易失性存储元件进行擦除(1302)；在对所述组进行擦除之后对所述组中的非易失性存储元件的集合进行编程(1304)；在所述编程之后确定所述集合中的非易失性存储元件的擦除分布的上尾(1306)；基于所述上尾来创建用于擦除所述一组非易失性存储元件的擦除深度(1308)；以及基于所创建的擦除深度来擦除所述一组非易失性存储元件(1310)。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：迪潘舒·杜塔，赖春洪，李世钟，大和田宪，东谷政昭，
申请(专利权)人：桑迪士克技术有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US