一种NAND型闪存存储器的块擦除方法技术

本发明专利技术公开了一种NAND型闪存存储器的块擦除方法，包括：擦除操作、擦除校验操作、软编程操作和软编程校验操作。本发明专利技术的软编程操作是对NAND型闪存存储器的块的所有存储单元一起编程，能够极大地节省存储单元的编程时间；本发明专利技术的软编程校验操作也是对NAND型闪存存储器的块的所有存储单元一起校验，其操作方式与擦除校验操作相同，只是位线放电的时间不同或校验的判定电压不同。本发明专利技术能够明显地收紧NAND型闪存存储器的块的存储单元的阈值电压分布，为页编程操作提供良好的初始阈值电压分布，从而节省编程时间，并增加页编程操作的沟道自举效率，减小编程干扰。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及NAND型闪存存储器领域，尤其一种NAND型闪存存储器的块擦除方法。
技术介绍
闪存存储器是一种非易失存储器，具有掉电后信息保持不变的特点。闪存存储器按照存储单元在阵列中的结构分为NOR型闪存存储器和NAND型闪存存储器。NOR型闪存存储器是以并联的方式构成阵列，具有随机访问速度快的优势，主要用于存储代码；而NAND型闪存存储器是以串联的方式构成阵列，具有单位比特面积小的优势，用于存储大量的数据。NAND型闪存存储器的块结构的电路图如图1所示，包括η条字线(WL1、WL2、…、WLn)、m条位线(BL1、BL2、…、BLm)、一条源端选通线(SSL)、一条漏端选通线(DSL)和一条源线(SL),虚线框11标识出来的存储单元部分称为一条存储单元串。NAND型闪存存储器的基本操作包括编程操作、擦除操作、读取操作。NAND型闪存存储器的擦除操作是基于块做的，图2是现有技术典型的NAND型闪存存储器的块擦除方法的流程图，如图2所示，现有技术典型的NAND型闪存存储器的块擦除方法包括:步骤一(101):擦除操作:对NAND型闪存存储器的块中的所有存储单元做擦除操作，具体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种NAND型闪存存储器的块擦除方法，包括以下步骤：步骤一：擦除操作：对NAND型闪存存储器的块中的所有字线施加0V电压或负电压，对衬底施加第一正电压；步骤二：擦除校验操作：对NAND型闪存存储器的块中的所有字线施加第一电压，将所有位线预充到第一预充电电压；接着对所有位线进行第一时间的放电，然后将放电后的位线电压与第一判定电压进行比较，若所有位线的电压均低于所述第一判定电压，则进入下一步骤；反之，则返回步骤一重新进行擦除操作；步骤三：软编程操作：对NAND型闪存存储器的块中的所有字线施加第二正电压，对所有位线施加0V电压；步骤四：软编程校验操作：对NAND型闪存存储器的块中的所有字线施加第二电...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刁静，
申请(专利权)人：合肥恒烁半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31