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本发明公开了一种NAND型闪存存储器的块擦除方法，包括：擦除操作、擦除校验操作、软编程操作和软编程校验操作。本发明的软编程操作是对NAND型闪存存储器的块的所有存储单元一起编程，能够极大地节省存储单元的编程时间；本发明的软编程校验操作也是对...
该专利属于合肥恒烁半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥恒烁半导体有限公司授权不得商用。

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