温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

公开了通过动态擦除深度来提高非易失性存储器的耐久性。对一组存储器单元进行擦除。然后，对经擦除的存储器单元中的至少一些存储器单元进行编程。对存储器单元进行编程通常影响意欲保持被擦除的那些存储器单元的擦除阈值分布。可以基于编程操作影响擦除阈值分...
该专利属于桑迪士克技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过桑迪士克技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。