改善SONOS存储器中擦除深度的方法技术

本发明专利技术公开了一种改善SONOS存储器中擦除深度的方法，其为：在对所有的SONOS单体进行擦除归零操作时，将所有的SONOS单体的WLS端的操作电压设为(-M-X)V，BL端的操作电压设为(N-X)V；而对其中一个SONOS单体进行写入操作时，该SONOS单体的WLS端的操作电压设为(N-X)V，BL端的操作电压设为(-M-X)V，其中M为现有操作条件下，擦除操作时WLS端所接电位的绝对值；N为现有操作条件下，擦除操作时BL端所接电位的绝对值；X为由所要求的擦除深度决定的电位偏差值。本发明专利技术的方法，通过操作电压的调整，提高了SONOS存储器的擦除深度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种SONOS存储器的操作方法。
技术介绍
在SONOS存储器工艺中，读写与擦除动作来确定1和0的区别，从而进行存储，读写与擦除必须有足够的阈值电压来区分，现在，人们为了减低操作电压尽量压缩阈值电压， 尤其是擦除阈值电压，这就带来了性能和可靠性的问题。在器件和工艺不变时，擦写操作电压(如WLS端与BL端电压差为10. 7V)的差值已决定了，不可改变。擦除操作时，WLS(字总线)端接负电位，BL(位线)端接正电位；而写入操作时，WLS端与BL端反接。其中擦除和写入的深度决定于操作电压。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种改善SONOS存储器中擦除深度的方法，其能提高SONOS单体的擦除深度。为解决上述技术问题，本专利技术的改善SONOS存储器中擦除深度的方法，其为在对所有的SONOS单体进行擦除归零操作时，将所有的SONOS单体的WLS端的操作电压设为(-M-X)V，BL端的操作电压设为(N-X)V;而对其中一个SONOS单体进行写入操作时，该 SONOS单体的WLS端的操作电压设为(N-X) V，BL端的操作电压设为(_M_X) V，其中M为现有操作条件下，擦除操作时WLS端所接电位的绝对值；N为现有操作条件下，擦除操作时BL端所接电位的绝对值；X为电位偏差值，通过试验得到。本专利技术的改善SONOS存储器中擦除深度的方法，创造性地运用SONOS存储器中的寄身干扰(parasitic disturb)。在现有器件工艺不变的条件下，通过操作电压的微调来提高擦除(erase)深度，从而提高擦除阈值电压，达到改善SONOS存储器的器件性能和可靠性的目的。附图说明下面结合附图与具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明图1为一个SONOS存储器中多体结构的连接图。具体实施例方式一个具体的实例中，由4个SONOS单体(分别编号为T、A、B和C)组成的SONOS 多体为例(见图1)，其中WL为字线端。现有的SONOS存储器的操作方法为在现有操作电压条件下，WLS端的电压为-3. 5V，BL端的电压为7. 2V，进行所有SONOS单体的擦除，得到 SONOS单体的擦除阈值电压Vtel ；WLS端的电压为7. 2V，BL端的电压为_3. 5V，对SONOS单体T进行写入操作，得到SONOS单体T的写入阈值电压Vtpl。本专利技术的改善存储器中擦除深度的方法，改变了操作电压WLS端的电压设为-(3. 5+X)V，BL端的电压设为(7. 2-X)V，对所有SONOS单体进行擦除进行归零；WLS端的电压设为(7. 2-X) V，BL端的电压设为-(3. 5+X) V，对SONOS单体T进行写入，得到SONOS单体T的写入阈值电压Vtp2，因为操作电压差没变，Vtp2与Vtpl相同，所以即使改变操作电压，也没有改变SONOS单体的写入深度。在对SONOS单体T的写入操作完成后，对SONOS单体B测量得到Vte2，SONOS单体B在BL端的电压增大时而对SONOS单体T进行写入操作时， 因为发生了比较强的擦除干扰(erase disturbing)，所以擦除深度在原有基础上进一步加深了，擦除阈值电压更大了，即Vte2大于Vtel。而SONOS单体A和SONOS单体C的擦除阈值电压基本保持不变。X值为通过试验得到，具体为能保证SONOS存储器的其他性能的情况下最大程度的提高擦除阈值电压的数值。在具体实施中，X可为0. 2-0. 8之间，最佳数值可通过试验得到。 本专利技术的方法，提高了 SONOS存储器的擦除深度，和擦写窗口，可以有效地提高 SONOS的可靠性。权利要求1.一种改善SONOS存储器中擦除深度的方法，其特征在于在对所有的SONOS单体进行擦除归零操作时，将所有的SONOS单体的WLS端的操作电压设为(_M_X)V，BL端的操作电压设为(N-X)V ；而对其中一个SONOS单体进行写入操作时，该SONOS单体的WLS端的操作电压设为(N-X) V，BL端的操作电压设为(-M-X)V，其中M为现有操作条件下，擦除操作时WLS 端所接电位的绝对值；N为现有操作条件下，擦除操作时BL端所接电位的绝对值；X为电位偏差值，其通过试验得到。2.按照权利要求1所述的方法，其特征在于所述M为3.5，所述N为7. 2，所述X为 0. 2-0. 8。全文摘要本专利技术公开了一种改善SONOS存储器中擦除深度的方法，其为在对所有的SONOS单体进行擦除归零操作时，将所有的SONOS单体的WLS端的操作电压设为(-M-X)V，BL端的操作电压设为(N-X)V；而对其中一个SONOS单体进行写入操作时，该SONOS单体的WLS端的操作电压设为(N-X)V，BL端的操作电压设为(-M-X)V，其中M为现有操作条件下，擦除操作时WLS端所接电位的绝对值；N为现有操作条件下，擦除操作时BL端所接电位的绝对值；X为由所要求的擦除深度决定的电位偏差值。本专利技术的方法，通过操作电压的调整，提高了SONOS存储器的擦除深度。文档编号G11C16/14GK102456409SQ20101052149公开日2012年5月16日 申请日期2010年10月27日 优先权日2010年10月27日专利技术者陈华伦 申请人:上海华虹Nec电子有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈华伦，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：